(26/02/2020) Un sistema de tratamiento con plasma y recubrimiento de vacío que comprende: un conjunto de plasma dispuesto de modo tal que mira a un sustrato , incluyendo el conjunto de plasma: una diana magnetrónica (Ts) que tiene una superficie diana; un cátodo magnetrónico con un borde largo, un borde corto y un polo magnético, estando dicho polo magnético dispuesto para formar, en el uso, un circuito de pulverización catódica dentro de la diana magnetrónica (Ts) y una barrera electromagnética; un ánodo (As) conectado eléctricamente al cátodo magnetrónico; un suministro de energía de cátodo magnetrónico (Ps) conectado al cátodo magnetrónico y al ánodo; al menos dos electrodos de descarga de arco remoto ; un suministro de energía de descarga de arco remoto conectado entre los al menos dos electrodos de descarga de arco remoto…

(19/02/2020) Proceso para el tratamiento superficial termoquímico de piezas metálicas, en un reactor (R) de plasma que tiene una cámara de reacción (RC) provista de: un soporte (S), que soporta las piezas metálicas ; un sistema de ánodo y cátodo , que tiene uno de sus electrodos (2a) asociado con una fuente de alimentación de CC pulsante de alta tensión; una entrada de carga de gas ionizable; y una salida , para la extracción de la carga de gas, que comprende las etapas de: a) conectar el ánodo a un primer electrodo (2a) y a tierra (2b) y conectar el cátodo al soporte (S), que funciona como el otro electrodo (3a) del sistema de ánodo y cátodo , y a un potencial…

(15/01/2020) Dispositivo de evaporación de un material diana que comprende una cámara de proceso para el establecimiento y el mantenimiento de una atmósfera de gas, que presenta una entrada y una salida para un gas de proceso, así como un ánodo y un cátodo de evaporación cilíndrico realizado como diana , comprendiendo dicho cátodo de evaporación cilíndrico el material diana , estando prevista además una fuente de energía eléctrica para generar una tensión eléctrica entre el ánodo y el cátodo , de manera que por medio de la fuente de energía eléctrica el material diana del cátodo cilíndrico se puede convertir a una fase de vapor, y estando prevista una fuente de campo magnético que genera un campo magnético, estando previstos en la cámara de proceso al mismo tiempo un…

(26/06/2019) Un método para filtrar macropartículas en una deposición física de vapor por arco catódico (PVD) en vacío, comprendiendo dicho método la etapa de evaporar un material de una fuente sólida por medio de una aplicación del arco sobre la fuente, formar un plasma que comprende electrones, micropartículas (vapor) e iones de material evaporado, junto con macropartículas de mayor tamaño que las micropartículas y los iones, - la deposición física de vapor por arco catódico (PVD) es pulsada; - siendo dicho material carbono; caracterizado por que el arco se mueve sobre la fuente a una velocidad Vcs (velocidad superficial) a la que los electrones, las micropartículas y los iones del material evaporado en un punto P2 impulsan,…

(01/05/2019) Dispositivo de recubrimiento mediante pulverización, que se compone de en una serie de segmentos de pulverización y de segmentos de separación de gases con un plano de sustrato continuo , en el que los segmentos de pulverización están formados por una cubeta de caldera con un dispositivo de transporte interno para el transporte de sustratos y por al menos una tapa de la caldera conectada a la cubeta de caldera por medio de una brida de la caldera , disponiéndose la brida de la caldera en la proximidad inmediata por encima del plano de sustrato y encontrándose un bloque de apoyo de cátodos con objetivo y los canales de entrada de gas en las proximidades inmediatas…

(04/04/2019) Un aparato de pulverización catódica para recubrir por pulverización catódica, un artículo en un entorno reactivo, que comprende: una cámara de vacío ; un cátodo que tiene una porción de cuerpo hueca; y en donde el aparato de pulverización catódica comprende, además: un yugo sustancialmente plano provisto entre el cátodo y la cámara , incluyendo el yugo al menos la primera y la segunda ubicaciones objetivo (56a; 56b) provistas en una primera superficie principal del mismo, y al menos una tercera y una cuarta ubicaciones objetivo (56c; 56d) provistas en una segunda superficie principal del mismo, estando dispuestas la al menos primera y segunda ubicaciones objetivo (56a; 56b) de manera que al menos inicialmente se enfrenten a la cámara de vacío , estando las al menos tercera y…

(03/04/2019) Un bloque de extremo para transportar de manera giratoria un tubo de objetivo de pulverización catódica y para sujetar una barra de imán dentro de dicho tubo de objetivo de pulverización catódica, comprendiendo dicho bloque de extremo un receptáculo para recibir un accesorio de barra de imán , en donde dicho receptáculo comprende una primera parte de un conector de señal dispuesto para recibir una segunda parte de un conector de señal de dicho accesorio de barra de imán y que permite una conexión de señal entre el bloque de extremo y la barra de imán que se va a formar, comprendiendo el bloque de extremo un canal de líquido de refrigeración para conducir…

(22/03/2019) Método para depositar un recubrimiento de óxido, nitruro o carburo metálico cristalino o mezclas de los mismos, caracterizado porque se acciona una descarga de pulverización magnetrónica con impulsos de alta potencia, HIPIMS, sobre una o más dianas mantenidas en estado metálico, en una mezcla de argón y un gas reactivo, a una potencia de pulso de pico de al menos 320 Wcm-2, una longitud de pulso de hasta 100 μs y una frecuencia de repetición de 100 Hz, en el que - la una o más dianas de la misma composición metálica son de Al, con lo que el recubrimiento depositado comprende una fase cristalina de alúmina, más específicamente gamma- o alfa-alúmina, depositada a un grosor de preferiblemente 0,1-30 μm, o, - la una o más dianas son…

(20/03/2019) Un método de deposición de vapores químicos activada plasmáticamente que comprende las etapas de: - proporcionar un recipiente de vacío que tiene una presión relativamente baja o vacío, al que se proporciona un gas operativo que comprende una mezcla de un gas de descomposición o precursor, un gas reactivo y/o un gas de sublimación, - proporcionar una unidad de descomposición plasmática dentro del recipiente de vacío para descomponer el gas operativo que tiene moléculas complejas en radicales cargados o neutros, teniendo la unidad de descomposición plasmática un ánodo y un cátodo , rodeando el ánodo al cátodo, y teniendo el cátodo un campo magnético intensificador y estando eléctricamente aislado del ánodo circundante, - proporcionar una unidad de procesamiento que incluye una cámara de procesamiento…

(14/03/2019) Procedimiento para la pulverización catódica reactiva en el que mediante bombardeo de iones se expulsa golpeando material de la superficie de un primer blanco y este pasa a la fase gaseosa, y en el blanco se aplica una tensión negativa por impulsos, de tal forma que en la superficie del blanco se produce una corriente eléctrica con una densidad de corriente superior a 0,5 A/cm2, de modo que el material que pasa a la fase gaseosa queda al menos parcialmente ionizado y en el que se establece un flujo de gas reactivo y el gas reactivo reacciona con el material de la superficie del blanco, y en el que durante un impulso…

(17/01/2019) Procedimiento para generar una descarga de plasma con una densidad de corriente de descarga que al menos en algunas zonas es localmente superior a 0,2 A/cm2, con las etapas: - proporcionar una unidad de suministro de potencia con una potencia máxima predeterminada - proporcionar al menos dos fuentes de pulverización catódica por magnetrón (q1-q6) con en cada caso pista predeterminada y límite superior térmico predeterminado, donde la pista se diseña tan pequeña que al actuar la potencia máxima de la unidad de suministro de potencia sobre en cada caso una de las fuentes de bombardeo catiónico por magnetrón (q1-q6) la densidad de corriente de descarga es superior a 0,2 A/cm2; - por medio de la unidad…

(22/10/2018) Una cubierta para un sistema de medición configurable de un sistema de pulverización catódica configurable , estando el sistema de pulverización catódica configurable previsto para la pulverización catódica de revestimientos de múltiples capas sobre un sustrato, y comprendiendo el sistema de pulverización catódica configurable una pluralidad de estaciones y teniendo una pluralidad de aberturas para proporcionar acceso a un espacio dentro de las estaciones ; - la cubierta se puede unir de manera separable a las aberturas de las estaciones; - comprendiendo la cubierta un sistema de sensor (M1) que permite determinar una propiedad de una pila parcial del revestimiento…

(06/06/2018) Fuente de revestimiento como proveedor de material para un revestimiento PVD, que comprende a) un soporte y una placa, alojada en el soporte, con lado delantero de placa (1a) y lado trasero de placa (1c) y con medios de centrado, comprendiendo el soporte una montura de placa con forma de marco para el alojamiento de la placa , siendo la placa un objetivo, y estando previsto el lado delantero de placa (1a) para transferir material de revestimiento desde la superficie a la fase gaseosa durante el proceso PVD, y estando configurados los medios de centrado de forma que está garantizado el centrado a diferentes temperaturas…

(11/04/2018) Método de preparación de un artículo revestido que comprende una película soportada por un sustrato, comprendiendo el método: tener una primera y una segunda dianas de pulverización catódica cilíndricas giratorias, comprendiendo la primera diana de pulverización catódica un primer material de pulverización catódica y comprendiendo la segunda diana de pulverización catódica un segundo material de pulverización catódica, pulverizar catódicamente la primera y la segunda dianas de pulverización catódica, y en donde al menos una barra de imán de la segunda diana de pulverización catódica se orienta de un modo tal que durante la pulverización catódica de la segunda diana se pulverice…

(08/11/2017) Un método de fabricación de un artículo recubierto, comprendiendo el método: proporcionar un artículo a recubrir; proporcionar un aparato de pulverización catódica que comprende: una cámara de vacío, un primer y un segundo tubos cilíndricos rotatorios situados en estrecha proximidad entre sí en otra cámara de vacío, soportando el primer y el segundo tubos respectivamente un primer y un segundo objetivos de pulverización catódica que incluyen un material objetivo, al menos una fuente de alimentación eléctrica conectada de forma operativa al primer y al segundo tubos de pulverización catódica, y una entrada de gas del tragante situada próxima al primer y al segundo…

(11/10/2017) Fuente de evaporación por arco con una disposición de campo magnético prevista en un blanco a partir de un material de revestimiento para la generación de campos magnéticos en y por encima de la superficie de blanco, comprendiendo la disposición de campo magnético imanes permanentes centrales (5a), imanes permanentes marginales y al menos una bobina anular dispuesta detrás del blanco, cuyo diámetro interior limitado por los devanados es preferentemente menor o igual, en todo caso no considerablemente mayor que el diámetro del blanco, caracterizada por que los imanes permanentes marginales y los imanes permanentes centrales (5a) pueden desplazarse esencialmente en perpendicular a la superficie del blanco de manera que se alejan del blanco y la proyección de los imanes…

(29/03/2017) Un dispositivo de pulverización para usarlo en la pulverización de un material, que comprende un ánodo y una cámara de revestimiento que contiene un cátodo y un sustrato que debe ser revestido con el material de pulverización, caracterizado por que el ánodo define un recipiente que tiene un cuerpo interior eléctricamente conductor, un cuerpo exterior, una cavidad anódica dentro del cuerpo interior eléctricamente conductor y una apertura en un extremo del cuerpo interior eléctricamente conductor para comunicar con la cámara de revestimiento para permitir que las partículas cargadas fluyan entre el cuerpo interior eléctricamente conductor y el cátodo en la cámara de revestimiento,…

(14/12/2016) Un aparato para recubrimiento de placas de impresión calcográfica que comprende: - una cámara de vacío que posee un espacio interno adaptado para recibir al menos una placa de impresión calcográfica que va a ser recubierta; - un sistema de vacío acoplado a la cámara de vacío y que está adaptado para crear vacío en el espacio interno de la cámara de vacío; y - un sistema de deposición física de vapor (PVD) adaptado para llevar a cabo la deposición de material de recubrimiento resistente al desgaste bajo condiciones de vacío sobre una superficie (10a) grabada de la placa de impresión calcográfica, de manera que el sistema de deposición física de vapor incluye al menos un blanco de material de recubrimiento que comprende una fuente del material de recubrimiento resistente al desgaste que va…

(23/11/2016) Un aparato de pulverización catódica que comprende: una diana de pulverización catódica cilíndrica giratoria ; al menos un bloque de extremo para soportar un extremo de la diana de pulverización catódica cilíndrica giratoria , incluyendo el bloque de extremo un colector conductor fijo y un rotor conductor giratorio dispuesto para girar con la diana de pulverización catódica cilíndrica durante las operaciones de pulverización catódica; el bloque de extremo que incluye además una estructura de transferencia de energía eléctrica situada entre el colector conductor fijo y el rotor giratorio y dispuesta para…

(30/12/2015) Un sistema de recubrimiento que comprende: una cámara de vacío; y un montaje de recubrimiento que incluye: una fuente de vapor que tiene una cara de objetivo con una dimensión larga de fuente de vapor y una dimensión corta de fuente de vapor; un soporte de sustrato para sostener sustratos que van a revestirse de modo que los sustratos estén posicionados en frente de la fuente de vapor, y el soporte de sustrato tiene una dimensión de soporte lineal; un ánodo remoto eléctricamente acoplado al objetivo catódico, y el ánodo remoto tiene una dimensión de ánodo remoto lineal, y la fuente de vapor tiene una dimensión de fuente de vapor lineal; un montaje de cámara catódica que incluye un objetivo catódico,…

(22/04/2015) Procedimiento para el suministro de impulsos de potencia con intervalo escalable del impulso de potencia para el funcionamiento de un cátodo de atomización-PVD, comprendiendo el cátodo de atomización-PVD un primer cátodo parcial y un segundo cátodo parcial, en el que para los cátodos parciales está predeterminada una impulsión de potencia media máxima y en el que la duración de los intervalos del impulso de potencia están predeterminados y el procedimiento comprende las siguientes etapas: a) suministrar un generador con cesión de potencia predeterminada, con preferencia constante al menos después del arranque y después de la expiración de un intervalo de formación de la potencia, b) conexión del generador, c) conexión del primer cátodo parcial en el generador, de manera que el primer cátodo parcial es impulsado con potencia desde el…

(17/12/2014) Método para depositar un recubrimiento de TiAlN sobre un sustrato de herramienta de corte usando un proceso de deposición por arco catódico y en particular un proceso de deposición por arco catódico de alta intensidad, comprendiendo dicho método los pasos de: - prever un sistema anódico y un blanco con forma de placa que formen una configuración de ánodo-cátodo para deposición por arco catódico dentro de una cámara de vacío, en donde dicho blanco con forma de placa comprende Ti y Al como elementos principales; - prever al menos un sustrato de herramienta de corte en la cámara de vacío que comprende nitrógeno como gas reactivo; y - generar un plasma mediante una descarga de arco visible como al menos un punto de arco en la superficie del blanco con forma de placa a base de…

(05/06/2014) Procedimiento para la preparación de una capa o multicapa barrera y/o dieléctrica sobre un sustrato y dispositivo para su realización. La presente invención se refiere a un procedimiento para la preparación de capas barrera y/o dieléctricas sobre un sustrato caracterizado por que comprende las siguientes etapas: (a) limpieza de sustratos, (b) colocación del sustrato en un portamuestras e introducción del mismo en el interior de una cámara de vacío, (c) dosificación en dicha cámara de vacío de un gas inerte y un gas reactivo, (d) inyección en la cámara de vacío de un precursor volátil que tenga al menos un catión del compuesto a depositar, (e) activación de una fuente de radiofrecuencia y activación de al menos un magnetrón, (f) descomposición del precursor volátil por plasma, produciéndose…

(18/04/2013) Generador de plasma en vacío con una salida del generador (9, 9') para la alimentación de una descarga de plasma para el tratamiento de piezas en una cámara de vacío con una conexión a la red de corriente alterna (6a),una disposición de rectificador de red para la conversión de la corriente alterna de red a una corriente continua, uncondensador de alisado (6b), una primera etapa como convertidor de voltaje CC-CC sincronizado con elementospara el ajuste del voltaje CC de salida que forma un voltaje de circuito intermedio (Uz), comprendiendo un conmutadorde corriente (7a) controlado que alimenta el arrollamiento primario de un transformador , cuyo arrollamientosecundario…

(03/01/2013) Unidad de pulverización catódica de blancos circulares. Unidad de pulverización circular catódica que puede ser utilizada en cualquier cámara de alto vacío y que comprende: - una cabeza refrigerada de soporte del blanco - un cuerpo situado detrás de la cabeza, que contiene un circuito de líquido refrigerante con dos líneas, una de entrada y otra de salida, para la refrigeración de la cabeza , con un único pasamuros de refrigeración de líquido y paso de corriente eléctrica, - un canal de entrada de gas noble a la cabeza - una carcasa exterior o ánodo , y - un tubo de conexión ensamblado por un…