CIP-2021 : H01J 37/34 : que funcionan por pulverización catódica (H01J 37/36 tiene prioridad).

CIP-2021HH01H01JH01J 37/00H01J 37/34[2] › que funcionan por pulverización catódica (H01J 37/36 tiene prioridad).

H ELECTRICIDAD.

H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.

H01J TUBOS DE DESCARGA ELECTRICA O LAMPARAS DE DESCARGA ELECTRICA (espinterómetros H01T; lámparas de arco, con electrodos consumibles H05B; aceleradores de partículas H05H).

H01J 37/00 Tubos de descarga provistos de medios o de un material para ser expuestos a la descarga, p. ej. con el propósito de sufrir un examen o tratamiento (H01J 33/00, H01J 40/00, H01J 41/00, H01J 47/00, H01J 49/00 tienen prioridad).

H01J 37/34 · · que funcionan por pulverización catódica (H01J 37/36 tiene prioridad).

CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.

DISPOSITIVO Y PROCEDIMIENTO DE FABRICACIÓN DE NANOPARTÍCULAS.

(08/08/2012) Dispositivo y procedimiento de fabricación de nanopartículas. Se describe un dispositivo para fabricar nanopartículas mediante técnicas de bombardeo iónico a varios blancos. Dicho dispositivo constituye una fuente de agregados de más de un material que permite la fabricación de nanopartículas con composición química variable y controlada, de tamaño controlado y también en estructura "core-shell".

Estructura de blanco de magnetrón cilíndrico y aparato para fijar dicha estructura de blanco a un husillo rotatorio.

(23/05/2012) Una estructura de blanco de magnetrón cilíndrico para su uso en un aparato, fijando dicha estructura deblanco de magnetrón cilíndrico a un husillo, estando adaptada dicha estructura de blanco de magnetrón para serrotada y utilizada para el depósito de capas pulverizadas en una diversidad de grandes sustratos, comprendiendodicho aparato: dicho miembro de husillo que incluye un eje hueco que termina en una porción de brida que tiene unasuperficie terminal, incluyendo dicha superficie terminal una junta tórica en una ranura para junta tóricacircular , teniendo dicha porción de brida un diámetro; dicha estructura de blanco cilíndrico ; y una abrazadera…

Fuente de plasma de arco filtrada bidireccional.

(04/05/2012) Un aparato para generar plasma y así formar una fuente de plasma; comprendiendo dicha fuente un cátodo que tiene una superficie evaporable configurada para emitir un material que comprende plasma y macropartículas; aberturas de salida para dirigir el plasma fuera de la fuente; y un filtro que comprende al menos un electrodo de deflexión y configurado para transmitir al menos parte del plasma a las aberturas de salida a la vez que evitan la transmisión de al menos parte de las macropartículas, comprendiendo adicionalmente el aparato un primer elemento para generar un primer componente de campo magnético que tiene una polaridad entre el cátodo y al menos un electrodo de deflexión…

Procedimiento e instalación de pulido bajo vacío por pulverización magnetrón de una banda metálica.

(26/04/2012) Procedimiento de pulido bajo vacío por pulverización magnetrón de una banda metálica que pasa por encima de al menos un contra-electrodo (3, 3', 7) de material conductor por un recinto bajo vacío , en el cual se crea un plasma en un gas cerca de la indicada banda metálica , con el fin de generar radicales y/o iones que actúan sobre esta banda metálica , estando un circuito magnético de confinamiento colocado por encima de la mencionada banda metálica , caracterizado porque el indicado contraelectrodo (3, 3', 7) presenta una superficie móvil, en rotación y/o en translación, con relación a la indicada banda metálica…

PROCEDIMIENTO DE ELABORACIÓN POR PROYECCIÓN TÉRMICA DE UNA DIANA A BASE DE SILICIO Y DE CIRCONIO.

(03/01/2011) Composición de un compuesto que comprende los componentes definidos a continuación y expresados en porcentaje en masa, el cual permite la elaboración de una diana por un procedimiento de elaboración por proyección térmica, especialmente por vía plasma, caracterizada porque está constituida esencialmente por: - Al : 2 a 20% - Si : 25 a 45% - ZrSi2 : 45 a 70%

DISPOSITIVO PARA RECUBRIR UN SUSTRATO CON AYUDA DE LA DEPOSICION QUIMICA EN FASE VAPOR.

(01/04/2007). Solicitante/s: BALZERS UND LEYBOLD DEUTSCHLAND HOLDING AG. Inventor/es: SZCZYRBOWSKI, JOACHIM, DR., TESCHNER, GOTZ.

EN UN DISPOSITIVO PARA RECUBRIMIENTO DE UN SUBSTRATO CON LA AYUDA DE PLASMA CVD (FIG.1), SE DISPONE DE UNA FUENTE DE CORRIENTE ALTERNA, QUE SE UNE CON DOS CATODOS MAGNETRON, DONDE UNO DE LOS POLOS DE LA FUENTE DE CORRIENTE ALTERNA ESTA CONECTADO EN UN CATODO Y EN EL OTRO POLO SE CONECTA EL OTRO CATODO A TRAVES DE UNA CONDUCCION DE ABASTECIMIENTO. DISPONIENDOSE CADA UNO DE AMBOS CATODOS EN UN COMPARTIMENTO PROPIO, DONDE CADA COMPARTIMENTO INCLUYE ENTRE ELLOS UN TERCER COMPARTIMENTO CONECTADO A UNA FUENTE DE VACIO. AMBOS COMPARTIMENTOS DISPUESTOS EXTERIORMENTE SE UNEN A TRAVES DE ABERTURAS O ESPACIOS EN LAS PAREDES UNO CON OTRO, DONDE EL SUBSTRATO DISPUESTO EN EL TERCER COMPARTIMENTO ESTA EQUIPADO CON UNA FUENTE CVD, QUE SE CONFIGURA ESENCIALMENTE A PARTIR DE UNA ENTRADA DE GAS REACTIVO Y UN COLIMADOR.

MEDIOS PARA CONTROLAR LA EROSION Y LA PULVERIZACION DEL OBJETIVO EN UN MAGNETRON.

(16/07/2006) Magnetrón de pulverización para la pulverización sobre un substrato, teniendo el magnetrón un objetivo cilíndrico giratorio y un conjunto de imanes estacionarios , estando adaptado dicho conjunto de imanes para producir una pista de carrera de plasma sobre la superficie de dicho objetivo en combinación con un campo eléctrico cruzado entre el objetivo y el substrato, teniendo la pista de carreras alargada unas pistas prácticamente paralelas sobre una parte substancial de su longitud y estando cerradas en cada extremo por partes terminales, caracterizado porque cada parte terminal de la pista de carrera de plasma puede representarse prácticamente por una elipse y el espaciado entre las…

PROCEDIMIENTO Y DISPOSITIVO PARA REVESTIR O LIMPIAR UN SUSTRATO.

(01/03/2006). Solicitante/s: RECHERCHES ET DEVELOPPEMENT DU GROUPE COCKERILL SAMBRE, EN ABREGE: RDCS. Inventor/es: VANDEN BRANDE, PIERRE.

PROCEDIMIENTO PARA LA FORMACION POR PULVERIZACION CATODICA DE UN REVESTIMIENTO SOBRE UN SUBSTRATO RESPECTIVAMENTE DE LIMPIEZA POR BOMBARDEO IONICO DE UN SUBSTRATO, ESTANDO DICHO SUBSTRATO COLOCADO EN UNA CAMARA DONDE SE GENERA UN PLASMA, SE CREA UNA ZONA DE RESONANCIA CICLOTRONICA DE LOS ELECTRONES CERCA DE UN CATODO APLICANDO UN CAMPO ELECTROMAGNETICO EN LA GAMA DE FRECUENCIAS DE MICROONDAS Y CUYA FRECUENCIA DE ONDAS ES SUPERIOR A 2,45 GH{SUB,Z} Y QUE CORRESPONDE A LA FRECUENCIA CICLOTRONICA DE LOS ELECTRONES EN EL CAMPO MAGNETICO. DE MANERA ALTERNA EL CAMPO ELECTROMAGNETICO ESTA DIRECTAMENTE ACOPLADO EN LA ZONA DE RESONANCIA CICLOTRONICA O SE LIMITA LA DIFUSION DEL PLASMA FUERA DE LA ZONA DE RESONANCIA CICLOTRONICA.

DISPOSITIVO FORMADOR DE PLASMA DE ALTA DENSIDAD.

(16/01/2006). Ver ilustración. Solicitante/s: PLASMA QUEST LIMITED. Inventor/es: THWAITES, MICHAEL JOHN.

Dispositivo formador de plasma de alta densidad que tiene una cámara de vacío comprendiendo una cámara de proceso , al menos una cámara fuente completamente abierta en un extremo a la cámara de proceso y una entrada de gas ionizable ; un blanco montado dentro de la cámara de proceso; una antena de radiofrecuencia para la formación de un plasma dentro de la cámara fuente; y un medio magnético por medio del cual puede dirigirse y concentrarse el plasma sobre el blanco, en el que dicha antena es una bobina helicoidal asociada con la cámara fuente , caracterizado porque el dispositivo comprende otros medios magnéticos configurados de tal modo que el flujo de plasma se desvíe del eje longitudinal de la cámara fuente sobre el blanco por dichos medios magnéticos adicionales.

FUENTE DE PULVERIZACION DE MAGNETRON.

(01/08/2005) Fuente de pulverización de magnetrón con un cuerpo de blanco redondo cuya cara frontal presenta una superficie de pulverización , con un sistema magnético que contiene un polo interior y un polo exterior que lo rodea a modo de anillo, de manera que se configura un campo magnético (B) a lo largo de la superficie de pulverización en forma de un bucle cerrado a modo de túnel alrededor del eje central de la fuente alojándose al menos una parte del sistema magnético de forma rotatoria alrededor del eje de la fuente que está unida en su accionamiento a este medio de accionamiento , caracterizada porque el polo exterior anular no se encuentra al mismo nivel que el polo interior y se eleva en la zona…

DIANA PARA UN DISPOSITIVO DE PULVERIZACION CON CATODO PARA LA PRODUCCION DE CAPAS DELGADAS.

(16/05/2004). Ver ilustración. Solicitante/s: LEYBOLD SYSTEMS GMBH. Inventor/es: JUNG, MICHAEL, KREMPEL-HESSE, JORG, DR., ADAM, ROLF.

EN UNA PANTALLA PARA UN MECANISMO DE PULVERIZACION DE CATODOS PARA LA FABRICACION DE CAPAS FINAS EN UN SUSTRATO MEDIANTE PLASMA EN UNA CAMARA DE PROCESAMIENTO AL VACIO, REALIZANDOSE LA PANTALLA A MODO DE PLACA, PREFERENTEMENTE DE FORMA CILINDRICA CIRCULAR O PARALELEPIPEDA Y DISPONIENDOSE EN LA CARA OPUESTA AL SUSTRATO DE LA PANTALLA UN SISTEMA MAGNETICO CON FUENTES DE DISTINTA POLARIZACION QUE FORMAN, AL MENOS, UN TUNEL CERRADO DE LINEAS DE CAMPO CURVADAS A MODO DE ARCO, SE PRACTICAN EN LA SUPERFICIE DE LA PANTALLA ORIENTADA HACIA EL SUSTRATO, UNAS RANURAS O MUESCAS FORMADAS POR DOS SECCIONES SEMICIRCULARES Y DOS SECCIONES RECTAS QUE CONSTITUYEN RESPECTIVAMENTE UNA PISTA CERRADA OVAL, DISPONIENDOSE VARIAS DE ESTAS MUESCAS CIRCULARES U OVALADAS A MODO DE PISTA CONCENTRICAMENTE LAS UNAS RESPECTO A LAS OTRAS Y LIMITANDOSE DICHAS MUESCAS POR MEDIO DE DOS SUPERFICIES INCLINADAS PLANAS (4A, 4B; 5A, 5B,...) CON INCLINACIONES IGUALES O DIFERENTES ( AL O BE ) HACIA EL PLANO DEL SUSTRATO E.

PROCEDIMIENTO PARA EL DECAPADO DE LA SUPERFICIE DE UN SUBSTRATO E INSTALACION PARA LA REALIZACION DE ESTE PROCEDIMIENTO.

(16/04/2004). Ver ilustración. Solicitante/s: RECHERCHE ET DEVELOPPEMENT DU GROUPE COCKERILL SAMBRE, EN ABREGE: RD-CS. Inventor/es: VANDEN BRANDE, PIERRE, WEYMEERSCH, ALAIN.

PROCEDIMIENTO PARA EL DECAPADO CONTINUO DE LA SUPERFICIE DE UN SUSTRATO QUE SE DESPLAZA EN UN SENTIDO DETERMINADO A TRAVES DE UNA CAMARA AL VACIO ENFRENTE DE AL MENOS UN CONTRAELECTRODO, SEGUN EL CUAL SE CREA, EN ESTE ULTIMO Y ESTA SUPERFICIE, UN PLASMA EN UN GAS PARA GENERAR ASI RADICALES Y/O IONES QUE PUEDEN ACTUAR SOBRE DICHA SUPERFICIE QUE HAY QUE DECAPAR, CARACTERIZADO PORQUE SE HACE USO EN DICHA CAMARA DE AL MENOS UN PAR DE CONTRAELECTRODOS SUCESIVOS , , , 12), ENFRENTE DE LA CUAL SE DESPLAZA DICHO SUSTRATO, Y PORQUE SE APLICA A UNOS CONTRAELECTRODOS UN POTENCIAL ALTERNO PARA IMPONER ASI UN POTENCIAL A ESTOS ULTIMOS ATERNATIVAMENTE POSITIVO Y NEGATIVO RESPECTO AL SUSTRATO.

DISPOSITIVO PARA RECUBRIR SUSTRATOS EN FORMA DE PLACA.

(01/04/2004). Ver ilustración. Solicitante/s: LEYBOLD SYSTEMS GMBH. Inventor/es: SCHUHMACHER, MANFRED, SAUER, ANDREAS, GRUNDMANN, KATJA.

Dispositivo para recubrir sustratos en forma de placa mediante pulverización catódica, que tiene varias cámaras de procesamiento consecutivas, que están limitadas hacia arriba respectivamente por una cubierta de cámara, la cual tiene en cada caso una abertura, que está cubierta por una tapa que lleva al menos un cátodo, y en el que la cámara de procesamiento muestra diafragmas y tuberías de suministro, en especial tuberías de refrigerante, caracterizado porque los diafragmas y tuberías de suministro, en especial tuberías de refrigerante , están previstos en un bastidor que penetra en la cámara de procesamiento , que puede extraerse hacia arriba desde la abertura y que se apoya con piezas de apoyo y superficies de apoyo de la cubierta de cámara , y porque la tapa sobresale de las piezas de apoyo y se asienta desde arriba, de forma directamente hermética, sobre la cubierta de cámara.

DISPOSITIVO PARA LA FORMACION DE UN REVESTIMIENTO SOBRE UN SUBSTRATO POR CONDENSACION.

(01/03/2004). Ver ilustración. Solicitante/s: RECHERCHE ET DEVELOPPEMENT DU GROUPE COCKERILL SAMBRE, EN ABREGE: RD-CS. Inventor/es: VANDEN BRANDE, PIERRE, WEYMEERSCH, ALAIN.

DISPOSITIVO PARA LA FORMACION DE UN REVESTIMIENTO SOBRE UN SUSTRATO POR CONDENSACION DE UN ELEMENTO, PARTICULARMENTE DE UN METAL, SOBRE ESTE SUSTRATO , QUE COMPRENDE (A) UN RECINTO DONDE TIENE LUGAR UNA EVAPORACION Y/O LA PULVERIZACION CATODICA DE DICHO ELEMENTO Y EN EL QUE ESTA DISPUESTA UNA DIANA QUE PRESENTA AL MENOS UNA CAPA SUPERFICIAL QUE CONTIENE DICHO ELEMENTO Y ORIENTADO HACIA EL SUSTRATO QUE SE ENCUENTRA ENFRENTE Y POR ENCIMA DE LA DIANA , (B) MEDIOS PARA EVAPORAR DICHO ELEMENTO Y/O (C) MEDIOS PARA REALIZAR LA PULVERIZACION CATODICA DE DICHO ELEMENTO A PARTIR DE LA DIANA HACIA EL SUSTRATO , CARACTERIZANDOSE ESTE DISPOSITIVO PORQUE COMPRENDE UNA PARED CONDUCTORA (9, 9A, 9B) QUE DELIMITA AL MENOS LATERALMENTE EL ESPACIO (2') ENTRE LA DIANA Y EL SUSTRATO , PREVIENDOSE MEDIOS PARA POLARIZAR NEGATIVA O POSITIVAMENTE ESTA PARED (9, 9A, 9B) RESPECTO AL SUSTRATO.

METODO Y APARATO PARA LA GENERACION DE UNA DESCARGA EN LOS VAPORES PROPIOS DE UN ELECTRODO DE FRECUENCIA DE RADIO PARA UNA SUBLIMACION METALICA Y EVAPORACION SOSTENIDA DEL ELECTRODO.

(01/05/2003) SE PRESENTA UN METODO Y UN APARATO PARA GENERAR UNA DESCARGA EN VAPORES PROPIOS DE UN ELECTRODO DE FRECUENCIA DE RADIO PARA UNA SUBLIMACION METALICA Y UNA EVAPORACION SOSTENIDA QUE COMPRENDE LOS PASOS DE: A) LA GENERACION DE UNA DESCARGA DE FRECUENCIA DE RADIO MEDIANTE UN ELECTRODO DE FRECUENCIA DE RADIO DE UNA GEOMETRIA HUECA EN UN GAS AUXILIAR INTRODUCIDO EN EL INTERIOR DEL AREA DE DESCARGA A UNA PRESION NECESARIA A UNA PRESION NECESARIA PARA LA INICIACION DE LA DESCARGA DE UN CATODO HUECO DENTRO DEL ELECTRODO HUECO PROVOCANDO LA SUBLIMACION METALICA Y/O LA EVAPORACION DE LA SUPERFICIE DEL ELECTRODO; B) INCREMENTAR LA POTENCIA…

PROCEDIMIENTO Y DISPOSITIVO DE DECAPADO.

(16/03/2003). Ver ilustración. Solicitante/s: RECHERCHE ET DEVELOPPEMENT DU GROUPE COCKERILL SAMBRE, EN ABREGE: RD-CS. Inventor/es: VANDEN BRANDE, PIERRE, WEYMEERSCH, ALAIN.

LA INVENCION SE REFIERE A UN PROCEDIMIENTO Y DISPOSITIVO PARA EL DECAPADO EN CONTINUO DE AL MENOS UNA DE LAS CARAS DE UN SUSTRATO . CONSISTE EN DESPLAZAR DICHO SUSTRATO SIGUIENDO UNA DIRECCION DETERMINADA ENTRE UN ANODO , CON RESPECTO AL CUAL ESTA POLARIZADO NEGATIVAMENTE, Y AL MENOS UN CIRCUITO MAGNETICO DISPUESTO FRENTE A DICHO ANODO , CON LA CARA QUE VA A DECAPARSE ORIENTADA HACIA EL ANODO , Y CREAR, EN LA PROXIMIDAD DE DICHA CARA, UN PLASMA EN UN GAS, DE FORMA QUE SE GENEREN RADICALES Y/O IONES QUE ACTUEN SOBRE ESTA ULTIMA, UTILIZANDO MEDIOS QUE PERMITAN ADAPTAR EL ANCHO DEL CAMPO DE ACCION DEL CIRCUITO MAGNETICO AL ANCHO DE LA ZONA QUE SE VA A DECAPAR DEL SUSTRATO.

ACOPLAMIENTO HERMETICO AL VACIO PARA TRAMOS DE TUBO.

(01/12/2002) Acoplamiento hermético al vacío para las partes extremas de dos tramos de tubo, siendo el tamaño del espacio interior de una primera parte extrema menor que el de una segunda parte extrema , teniendo la segunda parte extrema un collarín final que puede ser pasado por deslizamiento sobre la primera parte extrema para hacer que el collarín final quede aplicado a tope contra un collarín periférico exterior de acoplamiento a tope previsto en dicha primera parte extrema, comprendiendo el acoplamiento al menos un anillo de estanqueidad entre dichas partes extremas en su zona de contacto en superposición y comprendiendo el acoplamiento además un collar de apriete que tiene una superficie exterior sustancialmente cilíndrica y se compone de dos mitades que son sustancialmente iguales, teniendo cada semiabrazadera una sección…

CATODO DE CAMPO MAGNETICO.

(16/05/2002). Solicitante/s: W. BLOSCH AG. Inventor/es: CURTINS, HERMANN.

SE DESCRIBE UN CATODO DE CAMPO MAGNETICO PARA EVAPORADORES DE DESCARGA DE ARCO QUE DISPONE DE UNA BOBINA DE PERFIL ANULAR INTERIOR ASOCIADA CON EL CENTRO DEL OBJETIVO Y AL MENOS UNA BOBINA DE PERFIL ANULAR EXTERIOR ASOCIADA CON EL AREA CIRCUNFERENCIAL DEL OBJETIVO. LA BOBINA DE PERFIL ANULAR INTERIOR INCLUYE UN IMAN PERMANENTE DISPUESTO EN EL CENTRO DEL OBJETIVO Y FORMA UN CONCENTRADOR DE CAMPO INTERNO CONJUNTAMENTE CON EL INDICADO IMAN PERMANENTE.

INSTALACION DE PULVERIZACION CATODICA CON DOS MAGNETRONES ALARGADOS.

(01/05/2002). Ver ilustración. Solicitante/s: VON ARDENNE ANLAGENTECHNIK GMBH. Inventor/es: STRUMPFEL, JOHANNES, BEISTER, GUNTER, ERBKAMM, WOLFGANG, REHN, STANLEY.

LA INVENCION SE REFIERE A UNA INSTALACION DE BOMBARDEO ELECTRONICO CON DOS MAGNETRONES COLOCADOS LONGITUDINALMENTE, QUE ESTAN DISPUESTOS ADYACENTEMENTE UNO CON RESPECTO A OTRO, Y CADA UNO DE ELLOS DISPONE DE UN OBJETIVO SOBRE LA SUPERFICIE SUPERIOR. EL OBJETIVO DE LA INVENCION ES INCREMENTAR LA UTILIZACION DEL OBJETIVO EN UNA INSTALACION DE BOMBARDEO ELECTRONICO CON DOS MAGNETRONES QUE DESCANSAN ADYACENTEMENTE UNO CON OTRO. EL OBJETIVO SE OBTIENE DE TAL FORMA QUE LA RESISTENCIA DE DESCARGA DE UN MAGNETRON A LO LARGO DE LA DIRECTRIZ ES TAN HOMOGENEO QUE UNA RESISTENCIA DE DESCARGA PARCIAL DEL PUNTO OBJETIVO SOBRE LA DIRECTRIZ TIENE LA MISMA MAGNITUD QUE LA RESISTENCIA DE DESCARGA PARCIAL DE OTRO PUNTO OBJETIVO SOBRE LA DIRECTRIZ.

PROCEDIMIENTO Y DISPOSITIVO PARA EL CONTROL DE LA DENSIDAD DE LA CORRIENTE ELECTRICA EN UNA PIEZA DE TRABAJO DURANTE EL TRATAMIENTO TERMICO DE LA MISMA.

(16/09/2001) LA INVENCION SE REFIERE A UN PROCEDIMIENTO Y UN DISPOSITIVO PARA CONTROL DE LA DENSIDAD DE CORRIENTE ELECTRICA A TRAVES DE UNA PIEZA DE TRABAJO EN TRATAMIENTO TERMICO BAJO UTILIZACION DE UN ELECTRODO AUXILIAR. CON ELLO PUEDE SER CONSEGUIDO UN CALCULO PRECEDENTE DE LOS VALORES REPRODUCIDOS DE LA SUPERFICIE DE CARGAS F{CH} PARA LA DENSIDAD DE CORRIENTE, PROPONIENDOSE QUE EN UN PRIMER PASO DEL PROCEDIMIENTO SE MIDAN EN UN PLASMA NEUTRO BAJO TOMA AUXILIAR DEL ELECTRODO 9 AUXILIAR LA CORRIENTE Y SE COMPLETE EN EL HORNO 1 ASI COMO LA CORRIENTE I{HE} A TRAVES DEL ELECTRO 9 AUXILIAR Y A PARTIR DE ESTOS VALORES ASI COMO DE LA SUPERFICIE F{HE} CONOCIDA DEL ELECTRODO 9 AUXILIAR SE CALCULE LA SUPERFICIE F{CH} DE CARGAS DESCONOCIDAS.…

PIEZA DE ALUMINIO FUNDIDO Y PROCEDIMIENTO PARA SU FABRICACION.

(01/09/2001). Solicitante/s: VAW MOTOR GMBH. Inventor/es: ERBSLOH, HERMANN W., DR.-ING., FEIKUS, FRANZ JOSEF, DR.-ING., LUGSCHEIDER, ERICH, PROF. DR., LOFFLER, FRANK, DR.-ING., WOLFF, C., DIPL.-ING.

EN UNA PIEZA FUNDIDA DE ALUMINIO CON UNA SUPERFICIE INTERIOR DESLIZANTE CILINDRICA Y BRUÑIDA, QUE MUESTRA UN PERFIL DE PROFUNDIDAD DE RUGOSIDAD DE R{SUB,K} = 0,5 K} = 0,1 SOBRE LA ESTRUCTURA SUPERFICIAL PURIFICADA MEDIANTE UN PROCEDIMIENTO DE CAUTERIZACION DE IONES UNA CAPA DE MATERIA EXTRADURA CON UN PROCEDIMIENTO DE RECUBRIMIENTO QUE FORMA SUPERFICIES, A TEMPERATURAS INFERIORES A LOS 250 (GRADOS) C DE LA FASE GASEOSA, FORMANDOSE UNA CAPA SUPERFICIAL CON UNA PORCION DE MATERIA EXTRADURA SUPERIOR AL 80 AT. %.

METODOS Y APARATO PARA BOMBARDEO IONICO DE MAGNETRON.

(01/07/2000). Solicitante/s: THE BOC GROUP, INC.. Inventor/es: SIECK, PETER A., NEWCOMB, RICHARD, TRUMBLY, TERRY A., SCHULZ, STEPHEN C.

UN APARATO CON UNA CAMARA DE VACIO PARA EXTENDER UNA PELICULA DELGADA DE MATERIAL SOBRE UN SUBSTRATO QUE ESTA SIENDO MOVIDO A TRAVES DE UN CONDUCTOR, CONTIENE: UNA SUPERFICIE DE DESTINO DE FORMA CILINDRICA QUE GIRA SOBRE UN EJE ALARGADO DE LA MISMA QUE ESTA ORIENTADO A EXTENDERSE TRANSVERSALMENTE AL CONDUCTOR SUBSTRATO, INCLUYE IMANES EN LA CARA DEL CONDUCTOR, SIENDO LA SUPERFICIE DE DESTINO MANTENIDA A UN VOLTAJE NEGATIVO, DE MODO QUE SE DEFINA UNA ZONA DE DEPOSITO ENTRE EL OBJETIVO Y EL CONDUCTOR SUBSTRATO QUE SE EXTIENDE A LOS LARGO DE LA LONGITUD DEL CILINDRO, E INCLUYE AL MENOS UN ANODO ADYACENTE A LA SUPERFICIE DE DESTINO Y CONECTADO A UN VOLTAJE POSITIVO DE UNA FUENTE DE ENERGIA PARA AJUSTAR UN PERFIL QUE CORTE LA ZONA DE DEPOSITO DE UN INDICE DE DEPOSITO DE MATERIAL EN EL SUBSTRATO.

DISTRIBUIDOR DE GAS PARA UN APARATO DE DEPOSICION CATODICA EXTRAAXIAL.

(16/03/2000). Ver ilustración. Solicitante/s: E.I. DU PONT DE NEMOURS AND COMPANY. Inventor/es: FACE, DEAN, WILLETT, MYERS, KIRSTEN, ELIZABETH.

SE EXPONE UN DISPOSITIVO MEJORADO PARA LA DEPOSICION DE COMPUESTOS DE OXIDOS INORGANICOS MEDIANTE UN PULVERIZADOR MAGNETRONICO DESCENTRADO, QUE CONSTA DE UNA PISTOLA DE BOMBARDEO IONICO, UN ANTICATODO , SUSTRATO , MEDIOS PARA EL FLUJO DE GAS Y UNA CAMARA DE CONFINAMIENTO. LA MEJORA CONSISTE EN UN DISTRIBUIDOR HUECO DE FLUJO DE GAS SITUADO ENTRE EL SUSTRATO Y EL ANTICATODO Y QUE TIENE AL MENOS UNA ENTRADA DE GAS Y AL MENOS UNA ABERTURA DE SALIDA EN EL DISTRIBUIDOR, ESTANDO DICHA ABERTURA DE SALIDA SITUADA DE MANERA QUE DIRIJA EL FLUJO DE GAS LEJOS DEL ANTICATODO Y EN LA DIRECCION DEL SUSTRATO. TAMBIEN SE EXPONE EL PROCESO PARA LA REFERIDA DEPOSICION.

APARATO PARA PRODUCIR UNA DESCARGA EN ARCO LINEAL, PARA UN TRATAMIENTO POR PLASMA.

(16/01/2000) SE PRESENTA UN APARATO PARA LA GENERACION DE UNA DESCARGA DE ARCO LINEAL PARA EL PROCESAMIENTO DE PLASMA, PARTICULARMENTE PARA EL PROCESAMIENTO SUPERFICIAL DE SUBSTRATOS SOLIDOS, INSTALADO EN UN REACTOR MANTENIDO A PRESIONES DE GAS POR DEBAJO DE 5 X 10 {SUP,4} PA Y ALIMENTADO POR UN GENERADOR DE CORRIENTE ALTERNA Y/O ENERGIA PULSANTE , Y QUE INCLUYE: AL MENOS UN PAR DE UNA PRIMERA ELECTRODOS Y SEGUNDA PLACA DE ELECTRODOS COLOCADAS DE FORMA OPUESTA ENTRE SI A UNA DISTANCIA QUE EXCEDE DE 0.4 MM Y CONECTADAS AL MISMO POLO DEL GENERADOR QUE TIENE UN POLO CONTRARIO CONECTADO A UN ELECTRODO CONTRARIO , UN CAMPO MAGNETICO PRODUCIDO POR IMANES PARA EL DESARROLLO DE UNA ZONA CALIENTE LINEAL SOBRE LA PRIMERA PLACA DE ELECTRODOS Y UNA ZONA CALIENTE LINEAL…

DISPOSITIVO PARA EL RECUBRIMIENTO DE SUSTRATOS AL VACIO.

(01/10/1999). Solicitante/s: BALZERS UND LEYBOLD DEUTSCHLAND HOLDING AG. Inventor/es: SZCZYRBOWSKI, JOACHIM, DR., TESCHNER, GOTZ.

LA INVENCION SE REFIERE A UN DISPOSITIVO PARA RECUBRIMIENTO DE SUBSTRATOS EN VACIO, QUE SE COMPONE DE UNA FUENTE DE CORRIENTE ALTERNA, QUE ESTA UNIDA CON DOS CATODOS DISPUESTOS EN UNA CAMARA DE RECUBRIMIENTO EVACUABLE, ACTUANDO CONJUNTAMENTE DE FORMA ELECTRICA CON OBJETIVOS, DE FORMA QUE SE PRODUCE UNA PULVERIZACION EN LA DESCARGA DE GAS Y LAS PARTICULAS PULVERIZADAS SE CONDENSAN SOBRE EL SUBSTRATO . EN LA CAMARA DE RECUBRIMIENTO ES APLICABLE UN GAS DE PROCESO, QUE SE DISPONE ENTRE LA FUENTE DE CORRIENTE ALTERNA Y EL PAR DE CATODO CON UNA RED , QUE ACTUA COMO FILTRO, Y SE CONFIGURA A PARTIR DE UN TRANSFORMADOR Y OTRAS BOBINAS , ASI COMO CONDENSADORES , GARANTIZANDOSE UN PROCESO DE RECUBRIMIENTO ESTABLE.

APARATO Y SISTEMAS MAGNETRON PARA DEPOSICIONES ELECTRONICAS.

(16/06/1999). Solicitante/s: THE BOC GROUP, INC.. Inventor/es: HILL, RUSSEL, J., SIECK, PETER A., SCHULZ, STEPHEN C., VOSSEN, JOHN L.

SE PRESENTA UNA ESTRUCTURA ANODICA ALARGADA QUE TIENE MULTIPLES PUNTOS QUE ATRAEN ELECTRONES. EL ANODO SE PUEDE FORMAR A PARTIR DE MULTIPLES CEPILLOS DE ALAMBRE ACOPLADOS A UNA BARRA METALICA. EL USO DEL ANODO EN LOS SISTEMAS DE MAGNETRONES REDUCE DE FORMA SIGNIFICATIVA LA FORMACION DE MATERIALES DIELECTRICOS Y MEJORA LA UNIFORMIDAD DE LA PELICULA CUANDO SE LLEVA A CABO TANTO UNA PULVERIZACION NO REACTIVA COMO UNA REACTIVA DE CC. ADEMAS, EL ANODO REDUCE EL SOBRECALENTAMIENTO Y AUMENTA EL TIEMPO DE FUNCIONAMIENTO DE LOS SISTEMAS DE MAGNETRONES EN LOS QUE TIENE LUGAR UNA PULVERIZACION REACTIVA DE MATERIALES DIELECTRICOS. EN UN ASPECTO DE LA INVENCION, EL SISTEMA DE MAGNETRONES TIENE UN CATODO CILINDRICO Y UN PAR DE ANODOS ALARGADOS COLOCADOS EN PARALELO AL CATODO Y EQUIDISTANTES DEL MISMO. LA ESTRUCTURA ANODICA ES PARTICULARMENTE ADECUADA PARA PULVERIZAR PELICULAS UNIFORMES DE MATERIALES DIELECTRICOS, INCLUIDO EL DIOXIDO DE SILICIO Y EL NITRURO DE SILICIO.

MONTAJE EN VOLADIZO DE MAGNETRONES ROTATIVOS CILINDRICOS.

(01/06/1999). Solicitante/s: VIRATEC THIN FILMS, INC. Inventor/es: STEVENSON, DAVID, E., BJORNARD, ERIK, J., HUMBERSTONE, GEOFFREY, H.

UN APARATO PARA EL MONTAJE ROTABLE DE UN MAGNETRON CILINDRICO EN UNA CAMARA DE VACIO . EL APARATO INCLUYE UNA CAVIDAD DE APOYO QUE TIENE UN EXTREMO QUE SE EXTIENDE DENTRO DE LA CAMARA DE VACIO, CON EL OTRO EXTREMO SITUADO FUERA DE LA CAMARA. UN EJE CONDUCTOR ES MONTADO PARA QUE PUEDA GIRAR EN LA CAVIDAD DE APOYO. CADA EXTREMO (48A,48B) DEL EJE CONDUCTOR SE EXTIENDE FUERA DE LA CAVIDAD . EL MAGNETRON CILINDRICO ESTA PEGADO AL EXTREMO (48B) DEL EJE CONDUCTOR DENTRO DE LA CAMARA. UNA JUNTA HERMETICA ESTA SITUADA EN LA CAVIDAD DE APOYO PARA AJUSTAR HERMETICAMENTE EL EJE CONDUCTOR A LA CAVIDAD . EL EJE CONDUCTOR ESTA MONTADO EN LA CAVIDAD DE TAL MANERA QUE LA CARGA DEL MAGNETRON NO SE TRANSFIERA A LA JUNTA HERMETICA.

CATODO PARA PROCESO DE REVESTIMIENTO DE UN SUBSTRATO.

(16/04/1999) EN UN CATODO PARA REVESTIMIENTO DE UN SUBSTRATO , QUE SE ENCUENTRA CONEXIONADO CON UNA FUENTE (FUENTE DE ALTA FRECUENCIA), DE CORRIENTE ALTERNA O DE CORRIENTE CONTINUA Y DISPUESTA EN UNA CAMARA DE RECUBRIMIENTO EVACUABLE Y ENCONTRANDOSE EN UNION ELECTRICA CON UN OBJETIVO QUE ES PULVERIZADO Y CON ELLO LAS PARTICULAR DE PULVERIZACION SE DEPOSITAN SOBRE EL SUBSTRATO , DONDE ES POSIBLE LA INTRODUCCION DE UN GAS DE PROCESO EN LA CAMARA DE RECUBRIMIENTO Y EL CATODO ESTA CONFORMADO CON UNA CARCASA EN FORMA ESENCIALMENTE DE OLLA, CUYA PARTE DE FONDO SE ENCUENTRA CERRADA CON EL OBJETIVO Y UNIDA DE FORMA FIJA Y DIRIGIDA HACIA EL OBJETIVO , DONDE EL EXTREMO ABIERTO SE ENCUENTRA SUJETO EN UNA ABERTURA EN LA PARED EXTERIOR…

DISPOSICION DE CATODO EN UN DISPOSITIVO PARA PULVERIZACION DE UN OBJETIVO.

(16/01/1999) EN UNA DISPOSICION DE CATODO EN UN DISPOSITIVO PARA PULVERIZACION DE UN OBJETIVO (49 O 50) CON UN YUGO MAGNETICO Y CON HILERAS DE IMANES (33,34,53,54 O 35,36,55,56) PERMANENTES DISPUESTOS ENTRE EL OBJETIVO Y EL YUGO MAGNETICO ASI COMO CON UN SOPORTE (A O B) PARA SUJECION DEL YUGO (22 O 23) MAGNETICO EN UNA PARTE DE PARED DE LA CAMARA DE VACIO, EL YUGO (22 O 23) MAGNETICO SOPORTADO DE FORMA FIJA SE APOYA SOBRE SU LADO CON RESPECTO AL OBJETIVO (49 O 50) EN UNA LEVA O UN PAR (43,44 O 43',44') DE LEVAS POR MOTIVOS DE SUJECION CONJUNTA DE LAS PARTES INDIVIDUALES DEL CATODO (3 O 4). LAS LEVAS O EL PAR DE LEVAS SE APOYAN POR SU LADO EN UNA PLACA (41 O 42) CABEZAL, QUE ESTA UNIDA CON UN JUEGO ADECUADO CON EL YUGO (22 O 23) MAGNETICO A TRAVES DE UN TORNILLO O UN PERNO (67,67',...)…

CONJUNTO DE IMANES DE CHISPORROTEO CON MAGNETRON PLANO MEJORADO.

(16/12/1998) UN MONTAJE DE IMANES DE EMISION INCLUYE UN POLO EN FORMA DE PLACA HECHA DE UN MATERIAL MAGNETICO PERMEABLE Y UN IMAN CENTRAL COLOCADO SUSTANCIALMENTE EN EL CENTRO DE LA PIEZA POLAR Y ORIENTADA DE MODO QUE SU ORIENTACION MAGNETICA NORTE-SUR ES SUSTANCIALMENTE PERPENDICULAR A LA PIEZA POLAR EN FORMA DE PLACA. UNA PLURALIDAD DE IMANES EXTERIORES ESTAN POSICIONADOS ALREDEDOR DEL IMAN CENTRAL , CADA UNO DE LOS CUALES TIENE SU ORIENTACION MAGNETICA NORTE-SUR TAMBIEN PERPENDICULAR A LA PIEZA POLAR, PERO OPUESTA A LA ORIENTACION DEL IMAN CENTRAL . UNA PLURALIDAD DE IMANES INTERIORES PRIMARIOS ESTAN DISPUESTOS ALREDEDOR…

CATODO GIRATORIO DE PULVERIZACION CATODICA CON VARIOS BLANCOS.

(01/03/1998). Solicitante/s: SAINT-GOBAIN VITRAGE. Inventor/es: DRESSE, LOUIS.

LA INVENCION SE REFIERE A UN CATODO DE PULVERIZACION CATODICA DE MAGNETRONES DONDE EL CAMBIO DE BLANCO SE HACE INMEDIATAMENTE. EL CATODO GIRATORIO COMPRENDE VARIOS BLANCOS QUE CONSTITUYEN SECTORES DEL CILINDRO GIRATORIO. DURANTE EL DEPOSITO, EL CATODO OSCILA ALREDEDOR DE UNA POSICION DE EQUILIBRIO CENTRADA RESPECTO DEL BLANCO EN ACTIVIDAD.

APARATO PARA LA DEPOSICION POR VAPOR DE PLASMA REACTIVO POR CC DE UN MATERIAL ELECTRICAMENTE AISLANTE UTILIZANDO UN ANODO SECUNDARIO BLINDADO.

(16/10/1997) EN UN REACTOR DE DEPOSICION DE VAPOR DE PLASMA PARA DEPOSITAR UN MATERIAL ELECTRICAMENTE AISLANTE SEGUN UN PROCESO DE PULVERIZACION DE CC EL PLASMA SE ESTABILIZA, MANTENIENDO SU EFICIENCIA DE PULVERIZACION GRACIAS A LA PRESENCIA DE UN ANODO SECUNDARIO , PREFERENTEMENTE MANTENIDO A UNA POLARIZACION POSITIVA RESPECTO AL ANODO PRIMARIO . EL ANODO SECUNDARIO SE BLINDA DE LA EXPOSICION AL CHORRO DE MATERIAL PULVERIZADO SI BIEN QUEDA SITUADO LO SUFICIENTEMENTE CERCA DE LA DESCARGA DE PLASMA PARA ATRAER A LOS ELECTRONES DEL PLASMA Y MANTENER ASI SU EQUILIBRIO DE CARGA. EN UNA PULVERIZACION REACTIVA, LA CAMARA DE PULVERIZACION CONTIENE TANTO UN GAS DE PULVERIZACION, POR EJEMPLO ARGON, Y UN GAS REACTIVO, POR EJEMPLO OXIGENO. LOS IONES POSITIVOS DEL GAS DE PULVERIZACION BOMBARDEAN UN BLANCO DEL MATERIAL…

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