(23/08/2017) Fuente de evaporación por arco voltaico al vacío que comprende una fuente de campo magnético con forma de anillo y un cuerpo de cátodo con un material de evaporación como cátodo para la generación de una descarga por arco voltaico sobre una superficie de evaporación del cátodo , en cuyo caso el cuerpo de cátodo se limita en una primera dirección axial de una base de cátodo y en una segunda dirección axial de la superficie de evaporación en dirección axial, y la fuente de campo magnético con forma de anillo se polariza en paralelo o antiparalelo hacia una normal superficial de la superficie de evaporación y se dispone de modo concéntrico hacia la normal…

(14/06/2017) Un dispositivo para formar a una presión atmosférica ambiental un plasma gaseoso que comprende especies activas para el tratamiento de una región de tratamiento, comprendiendo el dispositivo : al menos una célula de plasma para formar dicho plasma gaseoso para tratar la región de tratamiento, comprendiendo la al menos una célula de plasma : una entrada para recibir gas desde una fuente y una salida para descargar especies activas generadas en la célula; un sustrato dieléctrico encerrado alrededor de una trayectoria de flujo para gas transportado desde la entrada hasta la salida ; un electrodo formado sobre o en el sustrato…

(14/06/2017) Un aparato para producir diamantes y realizar un análisis in situ y en tiempo real, que comprende: un alojamiento , una cámara de reacción , estando la cámara de reacción conectada estructuralmente al alojamiento , comprendiendo la cámara de reacción un área cerrada adaptada para alojar el crecimiento de diamantes, un medio de radiación , estando el medio de radiación montado por encima de la cámara de reacción dentro del alojamiento , el medio de radiación adaptado para emitir microondas en la cámara de reacción para efectuar el crecimiento de los diamantes dentro de la cámara de reacción , un medio de grabación montado por encima de la cámara de reacción , una cubierta dieléctrica proporcionada en la parte superior de la cámara de reacción y dispuesta entre el área cerrada…

(01/03/2017) Aparato generador de plasma para fabricar dispositivos con patrones que comprende: - una cámara de reactor de plasma; - un conjunto de alimentación de gas para introducir un gas de entrada en la cámara del reactor de plasma a una presión elegida (P); - un primer conjunto de electrodos y un segundo conjunto de electrodos colocados en la cámara de reactor de plasma, estando el primer conjunto de electrodos dispuesto para separarse del segundo conjunto de electrodos por un volumen entre electrodos, y - una fuente de alimentación eléctrica para generar una diferencia de tensión entre el primer conjunto de electrodos y el segundo conjunto de electrodos ; en el que - el primer conjunto de electrodos comprende…

(22/02/2017) Procedimiento de tratamiento por microondas de una carga, que comprende las siguientes etapas: - generar por lo menos una onda electromagnética en el campo de las microondas mediante por lo menos un generador del tipo de estado sólido; - guiar la o cada onda electromagnética con destino a por lo menos un dispositivo de aplicación de la onda electromagnética; - aplicar mediante el o mediante cada dispositivo de aplicación la o cada onda electromagnética sobre la carga; - una etapa de ajuste automatizado de la frecuencia de la o de cada onda electromagnética con el fin de minimizar la potencia reflejada PR(i) en el o en cada dispositivo de aplicación para garantizar una adaptación de impedancia que permite optimizar la transferencia de la…

(15/02/2017) Dispositivo de generación de plasma, comprendiendo una fuente de plasma con cuerpo hueco fuente de plasma y una unidad de emisión de electrones que hace posible emitir electrones libres en el cuerpo hueco fuente de plasma , en donde el cuerpo hueco fuente de plasma presenta una primera entrada de gas (7a) y una abertura de fuente de plasma que forma una abertura que lleva a una cámara de vacío, así como un ánodo con cuerpo hueco de ánodo , en donde el cuerpo hueco de ánodo presenta una segunda entrada de gas (7b) y una abertura de ánodo , y una fuente de tensión cuyo polo negativo está unido con la unidad de emisión de electrones y cuyo polo positivo está unido con el cuerpo hueco de ánodo , en donde el polo positivo…

(01/02/2017) Un sistema de plasma para la deposición química de vapor asistida por plasma, comprendiendo el sistema: una cámara de vacío , al menos dos electrodos, un sustrato, y una materia a ionizar para depositarse sobre al menos una superficie deseada del sustrato, en el que el sustrato comprende una pieza de trabajo tubular que tiene dos extremos , siendo al menos uno de los dos extremos un extremo abierto que se cierra por una tapa de extremo extraíble de manera que la cámara de vacío se define por la pieza de trabajo y la tapa , y en el que la pieza de trabajo define uno de los electrodos extendiéndose el otro electrodo (3, 3a, 3b) a través de la tapa de extremo y al interior de la pieza de trabajo , y siendo al menos una superficie deseada del sustrato definida por una superficie interior de la pieza de trabajo tubular…

(23/11/2016) Un aparato de pulverización catódica que comprende: una diana de pulverización catódica cilíndrica giratoria ; al menos un bloque de extremo para soportar un extremo de la diana de pulverización catódica cilíndrica giratoria , incluyendo el bloque de extremo un colector conductor fijo y un rotor conductor giratorio dispuesto para girar con la diana de pulverización catódica cilíndrica durante las operaciones de pulverización catódica; el bloque de extremo que incluye además una estructura de transferencia de energía eléctrica situada entre el colector conductor fijo y el rotor giratorio y dispuesta para…

(18/05/2016) Fuente de evaporación en vacío de arco voltaico, que comprende una fuente de campo magnético en forma de anillo y un cuerpo de cátodo con un material de evaporación como cátodo para la generación de una descarga de arco voltaico sobre una superficie de evaporación del cátodo , en la que el cuerpo del cátodo está limitado en una primera dirección axial por un fondo del cátodo y en una segunda dirección axial por la superficie de evaporación en dirección axial, y la fuente de campo magnético en forma de anillo está polarizada paralela o antiparalela a una normal superficial de la superficie de evaporación y está dispuesta concéntricamente a la normal superficial de la superficie de evaporación , en la que un anillo de amplificación del campo magnético…

(30/12/2015) Un sistema de recubrimiento que comprende: una cámara de vacío; y un montaje de recubrimiento que incluye: una fuente de vapor que tiene una cara de objetivo con una dimensión larga de fuente de vapor y una dimensión corta de fuente de vapor; un soporte de sustrato para sostener sustratos que van a revestirse de modo que los sustratos estén posicionados en frente de la fuente de vapor, y el soporte de sustrato tiene una dimensión de soporte lineal; un ánodo remoto eléctricamente acoplado al objetivo catódico, y el ánodo remoto tiene una dimensión de ánodo remoto lineal, y la fuente de vapor tiene una dimensión de fuente de vapor lineal; un montaje de cámara catódica que incluye un objetivo catódico,…

(16/12/2015) Fuente de plasma destinada al depósito de un revestimiento sobre un sustrato y apta para estar unida a una fuente de energía (P) que comprende: a) Un electrodo que delimita una cavidad de descarga que desemboca en una apertura enfrente de la cual puede estar posicionado dicho sustrato, comprendiendo la sección transversal de dicho electrodo una primera y una segunda pared lateral situadas a ambos lados de un fondo provisto de una parte central que sobresale en dicha cavidad de descarga, comprendiendo dicha parte central una primera y una segunda pared central y una punta que une las dos paredes centrales, b) un conjunto magnético situado en la periferia de dicho electrodo y que comprende un conjunto de imanes unidos entre sí por un soporte magnético , comprendiendo cada uno de dichos imanes un polo expuesto girado hacia…

(30/06/2015) Procedimiento para el tratamiento con plasma de unas piezas de trabajo en forma de cuerpos huecos, en el que dentro de una cámara del reactor es puesta en vacío por lo menos parcialmente una zona de tratamiento, un gas de proceso se introduce en la zona de tratamiento, en particular en la pieza de trabajo, y mediante una energía electromagnética irradiada se genera un plasma en el entorno de por lo menos una parte de la superficie de la pieza de trabajo, caracterizado por que el plasma durante una excitación de un gas mediante una descarga de efluvios se inflama en un recinto separado de la cámara del reactor mediante…

(20/05/2015) Un dispositivo destinado a la protección de unos sistemas de fijación de electrodos en unos reactores de CVD, que comprende un electrodo apropiado para el alojamiento de una barra filamentosa, que está situado sobre un sistema de fijación de un electrodo hecho a base de un material conductivo de la electricidad, que está colocado dentro de un rebajo de una placa de fondo, siendo estanqueizado con un material de estanqueidad un espacio intermedio existente entre el sistema de fijación de un electrodo y la placa de fondo y siendo protegido el material de estanqueidad por medio de un cuerpo protector constituido por una o múltiples piezas, que está dispuesto en forma anular en torno al sistema de fijación de un electrodo,…

(14/01/2015) Procedimiento para hacer funcionar una fuente de arcos eléctricos, realizándose que una descarga eléctrica de chispas se enciende o respectivamente se hace funcionar dentro de una atmósfera que comprende un gas reactivo, sobre una superficie de una diana , siendo alimentada la descarga de chispas al mismo tiempo con una corriente continua así como también con una corriente pulsante o respectivamente alterna, caracterizado porque la superficie de la diana es cubierta por lo menos parcialmente mediante un recubrimiento aislante que se forma a partir de una reacción entre el gas reactivo y el material de la diana, realizándose que mediante el recubrimiento aislante se da lugar a un aumento de la proporción de CC de la tensión eléctrica de la fuente, de por lo menos un 10 %, de manera preferida de por lo menos un 20 %, en comparación…

(17/12/2014) Dispositivo de esterilización por un plasma gaseoso obtenido mediante la ionización de un gas, comprendiendo dicho dispositivo una fuente de microondas de potencia nominal (Pn) determinada, que comprende un magnetrón , un circuito de alimentación, una cavidad resonante y un guiaondas , uniendo el guiaondas el magnetrón a la cavidad resonante , y recibiendo el magnetrón su energía eléctrica del circuito de alimentación, caracterizado por que el magnetrón presenta una potencia nominal de aproximadamente 800 W y necesita un pico de tensión del orden de 3 a 4 kV para el cebado, y por que el circuito de alimentación…

(24/09/2014) rf-electrodo para la generación de un plasma en una cámara de plasma, con al menos un orificio de paso óptico, en el que el rf-electrodo es una ducha de gas, caracterizado por un embudo cónico, que reviste de forma hermética al gas el orificio de paso óptico de la ducha de gas.

(23/04/2014) Cámara de tratamiento por vacío con disposición de bobinas para crear un campo magnético en la cámara en donde la disposición de bobinas comprende como mínimo una primera bobina parcial y una segunda bobina parcial, en donde la primera bobina parcial y la segunda bobina parcial se encuentran en sección transversal una junto a otra, preferentemente en un plano, de tal manera que como mínimo cada una zona parcial de la primera bobina sigue esencialmente el trayecto de una zona parcial de la segunda bobina, en donde la distancia de la primera zona parcial a la segunda zona parcial es como mínimo un tamaño aproximado menor que la sección transversal de una bobina parcial y en…

(26/03/2014) Aparato para procesamiento de plasma que comprende: a. al menos una antena plana (A), b. al menos un generador de radiofrecuencia para excitar dicha antena (A), c. un sistema de inyección de gas y difusor, d. una cámara de procesamiento en las proximidades de dicha antena (A), e. en el que dicha antena plana (A) comprende una pluralidad de circuitos en forma de malla resonantes elementales interconectados (M1, M2, M3), comprendiendo cada malla (M1, M2, M3) al menos dos ramas conductoras y al menos dos condensadores , de modo que dicha antena (A) presente una pluralidad de frecuencias resonantes, f. y caracterizado porque dicho generador de radiofrecuencia está adaptado para excitar dicha antena (A) por lo menos una de sus frecuencias sea resonante.

(06/11/2013) Procedimiento para el funcionamiento de una fuente de arco, cebando, respectivamente haciendo funcionar unadescarga eléctrica de chispa sobre la superficie de un blanco y alimentando al mismo tiempo la descarga de chispacon una corriente continua a la que se asigna una tensión (DV) continua así como con una corriente pulsatoria aplicadaperiódicamente, caracterizado porque se genera una señal de tensión pulsada con una tensión (PV) del impulso ycon una longitud (Tp) del impulso de varios microsegundos.

(11/09/2013) Aparato de CVD por plasma, que comprende; una primera y una segunda cámara de vacío conectadas a través de una válvula decompuerta, estando equipada cada cámara de vacío con una abertura (31, 31', 41) de suministrode gas y una abertura de escape, una disposición de electrodos en la que una pluralidad de electrodos (33, 33', 33", 43) acoplados de manerainductiva con una parte (34, 34') de alimentación de potencia y una parte puesta a tierra estándispuestos en paralelo entre sí formando un plano, estando dispuestas dichas disposiciones de electrodosen N capas (donde N es el número natural 2 o superior) en dicha primera cámara de vacío (o dichasegunda…

(14/08/2013) Fuente de ARCO con un primer objetivo y con un segundo objetivo , en el que el primero y el segundoobjetivos se encuentran esencialmente en un primer plano, y está previsto un dispositivo de encendido para elencendido de una chispa en el primer objetivo y en el segundo objetivo, en la que el dispositivo de encendidocomprende un linguete de disparo montado móvil, de tal manera que están revistos medios para elmovimiento de la punta de linguete del linguete de disparo hacia la superficie del primer objetivo y hacia lasuperficie del segundo objetivo, en el que los medios para la realización del movimiento comprenden unaccionamiento del grupo de accionamiento lineal o accionamiento giratorio, caracterizada porque…

(07/05/2013) Dispositivo, sistema y método de introducción de muestras gaseosas en plasmas contenidos en tubos dieléctricos que comprende un tubo dieléctrico y unos medios de acoplamiento de energía electromagnética a la descarga, y donde la descarga, generada en el interior de un tubo dieléctrico atraviesa los medios de acoplamiento de energía electromagnética en donde dicha energía ha sido generada mediante un gas plasmógeno y que se caracteriza porque comprende al menos una entrada lateral angulada respecto del tubo dieléctrico para la entrada de la muestra en estado gaseoso, forzada mediante un flujo adicional de gas portador, en donde dicho gas portador no forma parte…

(18/04/2013) Generador de plasma en vacío con una salida del generador (9, 9') para la alimentación de una descarga de plasma para el tratamiento de piezas en una cámara de vacío con una conexión a la red de corriente alterna (6a),una disposición de rectificador de red para la conversión de la corriente alterna de red a una corriente continua, uncondensador de alisado (6b), una primera etapa como convertidor de voltaje CC-CC sincronizado con elementospara el ajuste del voltaje CC de salida que forma un voltaje de circuito intermedio (Uz), comprendiendo un conmutadorde corriente (7a) controlado que alimenta el arrollamiento primario de un transformador , cuyo arrollamientosecundario…

(18/04/2013) Un aparato de recubrimiento iónico por arco, que comprende: una cámara de vacío ; un miembro móvil para mover un sustrato cargado dentro de dicha cámara de vacío , estando dichomiembro móvil provisto dentro de dicha cámara de vacío ; una fuente de evaporación por arco para bombardeo (9A) para irradiar iones metálicos evaporados mediantedescarga en arco con la superficie de dicho sustrato para limpiar la superficie, estando dicha fuente deevaporación por arco para bombardeo (9A) provista dentro de dicha cámara de vacío ; una pluralidad de fuentes de evaporación por arco para deposición (7A) para depositar iones metálicosevaporados mediante descarga…

(17/05/2012) Un sistema para la deposición química en fase de vapor asistida por plasma de baja energía adecuado para el crecimiento epitaxial de capas semiconductoras uniformes sobre sustratos de 300 mm de tamaño, comprendiendo el sistema: (a) una fuente de plasma de área amplia; (b) una cámara de deposición; y (c) un sistema de distribución de gas, en el que la fuente de plasma comprende un recinto , al menos dos cátodos termoiónicos adaptados para ser operados independientemente el uno del otro e incluidos en una cámara catódica, y un cabezal de ducha que tiene varios orificios ; y en el que la…

(09/05/2012) Un sistema de recubrimiento por metalización por bombardeo atómico que comprende: una cámara de vacío; unos medios para generar un vacío en la cámara de vacío; un sistema de alimentación de gas acoplado a la cámara de vacío; un sistema para confinar y guiar un plasma de gas en el interior de la cámara de vacío; un conjunto objetivo de metalización por bombardeo atómico ubicado en el interior de dicha cámara, teniendo el conjunto objetivo una sección transversal externa circular o no circular definida por una superficie exterior del conjunto objetivo; un sistema de formación de plasma de gas para formar el plasma…