Sistema de plasma.

Un sistema de plasma para la deposición química de vapor asistida por plasma,

comprendiendo el sistema:

una cámara de vacío (1), al menos dos electrodos, un sustrato, y una materia a ionizar para depositarse sobre al menos una superficie deseada del sustrato,

en el que el sustrato comprende una pieza de trabajo tubular (2) que tiene dos extremos (4, 5), siendo al menos uno de los dos extremos (4, 5) un extremo abierto que se cierra por una tapa de extremo extraíble (6, 7) de manera que la cámara de vacío (1) se define por la pieza de trabajo (2) y la tapa (6, 7), y en el que la pieza de trabajo (2) define uno de los electrodos extendiéndose el otro electrodo (3, 3a, 3b) a través de la tapa de extremo (6, 7) y al interior de la pieza de trabajo (2), y siendo al menos una superficie deseada del sustrato definida por una superficie interior de la pieza de trabajo tubular (2), en el que los al menos dos electrodos comprenden un electrodo periférico formado por la pieza de trabajo tubular (2) y un electrodo central formado por dicho otro electrodo (3, 3a, 3b),

en el que el electrodo central (3, 3a, 3b) comprende un electrodo tubular que tiene una pluralidad de conductos (28, 29, 30) en comunicación fluida con la cámara de vacío (1), caracterizado en que la pluralidad de conductos (28, 29, 30 ) del electrodo tubular comprenden al menos un conducto de gas (28) para conducir el gas de proceso a la cámara de vacío (1), al menos un conducto de precursor (29) para conducir una materia precursora a la cámara de vacío (1) y al menos una conducto de vacío (30) para la generación de vacío en la cámara de vacío (1), el conducto de gas (28), el conducto de precursor (29) y el conducto de vacío (30) están dispuestos de forma concéntrica en el electrodo tubular, cada uno del conducto de gas ( 28) y el conducto de precursor (29) disponen de boquillas de difusión (31, 32) a la cámara de vacío (1) y el conducto de vacío (30) está provisto de al menos un puerto de succión (33) abierto a la cámara de vacío (1).

Tipo: Patente Internacional (Tratado de Cooperación de Patentes). Resumen de patente/invención. Número de Solicitud: PCT/EP2008/001967.

Solicitante: Alytus Corporation, S.A.

Nacionalidad solicitante: Uruguay.

Dirección: 25 de Mayo 467 Oficina 501 11.000 Montevideo URUGUAY.

Inventor/es: BIANA,LUIS SANTIAGO, BIANA,RICARDO ENRIQUE.

Fecha de Publicación: .

Clasificación Internacional de Patentes:

  • C23C16/04 SECCION C — QUIMICA; METALURGIA.C23 REVESTIMIENTO DE MATERIALES METALICOS; REVESTIMIENTO DE MATERIALES CON MATERIALES METALICOS; TRATAMIENTO QUIMICO DE LA SUPERFICIE; TRATAMIENTO DE DIFUSION DE MATERIALES METALICOS; REVESTIMIENTO POR EVAPORACION EN VACIO, POR PULVERIZACION CATODICA, POR IMPLANTACION DE IONES O POR DEPOSICION QUIMICA EN FASE VAPOR, EN GENERAL; MEDIOS PARA IMPEDIR LA CORROSION DE MATERIALES METALICOS, LAS INCRUSTACIONES, EN GENERAL.C23C REVESTIMIENTO DE MATERIALES METALICOS; REVESTIMIENTO DE MATERIALES CON MATERIALES METALICOS; TRATAMIENTO DE MATERIALES METALICOS POR DIFUSION EN LA SUPERFICIE, POR CONVERSION QUIMICA O SUSTITUCION; REVESTIMIENTO POR EVAPORACION EN VACIO, POR PULVERIZACION CATODICA, POR IMPLANTACION DE IONES O POR DEPOSICION QUIMICA EN FASE VAPOR, EN GENERAL (aplicación de líquidos o de otros materiales fluidos sobre las superficies, en general B05; fabricación de productos revestidos de metal por extrusión B21C 23/22; revestimiento metálico por unión de objetos con capas preexistentes, ver las clases apropiadas, p. ej. B21D 39/00, B23K; mecanizado del metal por acción de una fuerte concentración de corriente eléctrica sobre un objeto por medio de un electrodo B23H; metalización del vidrio C03C; metalización de piedras artificiales, cerámicas o piedras naturales C04B 41/00; pinturas, barnices, lacas C09D; esmaltado o vidriado de metales C23D; medios para impedir la corrosión de materiales metálicos, las incrustaciones, en general C23F; tratamiento de superficies metálicas o revestimiento de metales mediante electrolisis o electroforesis C25D, C25F; crecimiento de monocristales C30B; mediante metalización de textiles D06M 11/83; decoración de textiles por metalización localizada D06Q 1/04; detalles de aparatos de sonda de barrido, en general G01Q; fabricación de dispositivos semiconductores H01L; fabricación de circuitos impresos H05K). › C23C 16/00 Revestimiento químico por descomposición de compuestos gaseosos, no quedando productos de reacción del material de la superficie en el revestimiento, es decir, procesos de deposición química en fase vapor (pulverización catódica reactiva o evaporación reactiva en vacío C23C 14/00). › Revestimiento de partes determinadas de la superficie, p. ej. por medio de máscaras.
  • H01J37/32 SECCION H — ELECTRICIDAD.H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.H01J TUBOS DE DESCARGA ELECTRICA O LAMPARAS DE DESCARGA ELECTRICA (espinterómetros H01T; lámparas de arco, con electrodos consumibles H05B; aceleradores de partículas H05H). › H01J 37/00 Tubos de descarga provistos de medios o de un material para ser expuestos a la descarga, p. ej. con el propósito de sufrir un examen o tratamiento (H01J 33/00, H01J 40/00, H01J 41/00, H01J 47/00, H01J 49/00 tienen prioridad). › Tubos de descarga en atmósfera gaseosa (calefacción por descarga H05B).

PDF original: ES-2621951_T3.pdf

 

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