CIP-2021 : H01J 37/32 : Tubos de descarga en atmósfera gaseosa (calefacción por descarga H05B).

CIP-2021HH01H01JH01J 37/00H01J 37/32[1] › Tubos de descarga en atmósfera gaseosa (calefacción por descarga H05B).

H ELECTRICIDAD.

H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.

H01J TUBOS DE DESCARGA ELECTRICA O LAMPARAS DE DESCARGA ELECTRICA (espinterómetros H01T; lámparas de arco, con electrodos consumibles H05B; aceleradores de partículas H05H).

H01J 37/00 Tubos de descarga provistos de medios o de un material para ser expuestos a la descarga, p. ej. con el propósito de sufrir un examen o tratamiento (H01J 33/00, H01J 40/00, H01J 41/00, H01J 47/00, H01J 49/00 tienen prioridad).

H01J 37/32 · Tubos de descarga en atmósfera gaseosa (calefacción por descarga H05B).

CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.

DISPOSICION BASADA EN LEVAS PARA SITUAR ANILLOS DE CONFINAMIENTO EN UNA CAMARA DE PROCESO POR PLASMA.

(01/03/2003) Una disposición basada en levas configurada para mover un anillo de confinamiento a lo largo de un primer eje de una cámara de proceso por plasma, estando dispuesto dicho anillo de confinamiento en un plano que es ortogonal a dicho primer eje, que comprende: un anillo de levas que tiene una pluralidad de regiones de levas formadas sobre una primera superficie de dicho anillo de levas; una pluralidad de palpadores de levas en contacto rodante con dicha primera superficie de dicho anillo de levas; una pluralidad de émbolos orientados paralelos a dicho primer eje, estando acoplada dicha pluralidad de émbolos a uno de entre dicha pluralidad de palpadores de leva y a dicho anillo de confinamiento, en la que dicha pluralidad…

APARATO PARA LA IMPRESION DE PLASMA MEDIANTE EL USO DE PLASMA CONFINADO.

(16/01/2003). Solicitante/s: LAM RESEARCH CORPORATION. Inventor/es: LENZ, ERIC HOWARD, DIBLE, ROBERT DUANE.

UN APARATO DE ATAQUE QUIMICO POR PLASMA INCLUYE UN PILA DE ANILLOS DE CUARZO QUE ESTAN SEPARADOS ESPACIOSAMENTE PARA FORMAR RANURAS ENTRE ELLOS Y QUE ESTAN POSICIONADOS PARA RODEAR UN ESPACIO DE INTERACCION ENTRE DOS ELECTRODOS DEL APARATO EN DONDE SE FORMA EL PLASMA DURANTE EL FUNCIONAMIENTO DEL APARATO. LAS DIMENSIONES DE LAS RANURAS ESTAN ESCOGIDAS PARA ASEGURAR QUE LAS PARTICULAS CARGADAS DE LOS GASES GASTADOS EN EL PLASMA QUE ABANDONA EL ESPACIO DE INTERACCION, SON NEUTRALIZADAS POR COLISIONES CON LA PARED CUANDO SALEN DE LAS RANURAS. DOS FUENTES DE TENSION DE DIFERENTES FRECUENCIAS SON UTILIZADAS PARA APLICAR VOLTAJES A LOS ELECTRODOS DE MANERA QUE AISLAN LAS FUENTES ENTRE SI.

PROCEDIMIENTO E INSTALACION PARA EL RECUBRIMIENTO DE PIEZAS.

(16/10/2002). Ver ilustración. Solicitante/s: BALZERS AKTIENGESELLSCHAFT. Inventor/es: BRAENDLE, HANS, KIND, BRUNO.

PARA DEPOSITAR CAPAS DE MATERIAL ENDURECIDO ESPECIALMENTE SOBRE PIEZAS DE TRABAJO SOMETIDAS A FUERTES SOLICITACIONES, QUE TIENEN QUE SER ATACADAS AL ACIDO MEDIANTE PULVERIZACION, SE PROPONE QUE JUNTAMENTE CON LA DESCARGA DE ARCO DE BAJO VOLTAJE SE SOMETAN A ATAQUE ACIDO MEDIANTE PULVERIZACION Y, A CONTINUACION, SE RECUBRAN LAS PIEZAS DE TRABAJO ACTUANDO EN LA MISMA DIRECCION.

PROCESADOR DE PLASMA PARA GRANDES PIEZAS.

(01/02/2002). Solicitante/s: LAM RESEARCH CORPORATION. Inventor/es: BEER, RICHARD, BARNES, MICHAEL, BENJAMIN, NEIL, HOLLAND, JOHN, VELTROP, ROBERT.

UN PROCESADOR DE PLASMA PARA PIEZAS A MAQUINA GRANDES INCLUYE UNA CAMARA DE VACIO QUE TIENE VENTANAS DIELECTRICAS INDIVIDUALMENTE SOPORTADAS PLURALES PARA ACOPLAR UN CAMPO R.F. QUE SE ORIGINA FUERA DE LA CAMARA DENTRO DE LA CAMARA PARA EXCITAR EL PLASMA. UNA BOBINA PLANAR PARA DERIVAR INDUCTIVAMENTE EL CAMPO TIENE SEGMENTOS PLURALES CON LA MISMA LONGITUD ELECTRICA, CADA UNO INCLUYENDO UN ELEMENTO CONECTADO EN PARALELO CON UN ELEMENTO DE OTRO SEGMENTO.

PROCEDIMIENTO ACTIVADO POR ENERGIA DE MICROONDAS PARA LA PREPARACION DE MATERIAL SEMICONDUCTOR DE ALTA CALIDAD.

(16/01/2002). Solicitante/s: UNITED SOLAR SYSTEMS CORPORATION. Inventor/es: GUHA, SUBHENDU, YANG, CHI, C., XU, XIXIANG.

MATERIAL SEMICONDUCTOR DE ALTA CALIDAD SE DEPOSITA EN UN PROCESO DE ELECTRODEPOSICION DE DESCARGA LUMINESCENTE ENERGIZADO POR MICRONDAS, ENERGIZANDO UN GAS EN PROCESO CON ENERGIA POR MICRONDAS MEDIANTE UN GENERADOR DE MICRONDAS A UN NIVEL DE POTENCIA SUFICIENTE PARA GENERAR UN PLASMA A UN GRADO DE SATURACION DE APROXIMADAMENTE EL 100, E IMPIDIENDO EL ACCESO DE LAS ESPECIES DE ELECTRODEPOSICION A UN SUSTRATO PARA REBAJAR EL INDICE DE ELECTRODEPOSICION A UN VALOR MENOR QUE EL QUE SE CONSEGUIRIA, DE OTRA FORMA, OPERANDO A UN GRADO DE SATURACION DEL 100.

PROCEDIMIENTO PARA LA OBTENCION DE CAPAS FUNCIONALES DE METAL, CERAMICA O CERAMICA/METAL EN LA PARED INTERNA DE CUERPOS HUECOS.

(01/11/2001). Ver ilustración. Solicitante/s: DAIMLERCHRYSLER AG. Inventor/es: POMPE, WOLFGANG, BEYER, STEFFEN, DIETSCH, REINER, MAI, HERMANN.

SE DESCRIBE UN PROCEDIMIENTO PARA CONSEGUIR CAPAS FUNCIONALES DE METAL, CERAMICA O CERAMICA/METAL SOBRE LA PARED INTERNA DE CUERPOS HUECOS UTILIZANDO EL PROCEDIMIENTO DE LA DEPOSICION POR LASER PULSADO (PLD), UTILIZANDOSE EN COMBINACION CON UN TRATAMIENTO DE CAPA FINA POR LASER DENSIDADES DE CORRIENTE DE ENERGIA Y DE MATERIA COMO FUNCION DE LA SEPARACION DE LAS ZONAS DE CONDENSACION DE LA SUPERFICIE DEL SUSTRATO, UTILIZANDOSE IMPULSOS DE LASER CON ENERGIAS DE 1 - 2 JULIOS EN TASAS DE IMPULSOS DE REPETICION DE 10 HZ HASTA 50 HZ, Y FORMANDOSE UN REVESTIMIENTO DIRECTO INTERNO SEGUN LA LONGITUD DEL IMPULSO ELEGIDO Y LA ATMOSFERA DE GAS RESIDUAL EN LA CAMARA DE SEDIMENTACION EN VACIO MEDIANTE CORRIENTE DE PLASMA UNA ESTRUCTURA TIPICA EN CAPAS, VIDRIOSA - AMORFA, COLUMNAR O POLICRISTALINA, Y ESTANDO FORMADO EL MATERIAL DE LA CAPA O EL MATERIAL DIANA TANTO POR SUSTANCIAS CONDUCTORAS COMO TAMBIEN POR SUSTANCIAS AISLANTES.

PROCEDIMIENTO Y DISPOSITIVO PARA EL CONTROL DE LA DENSIDAD DE LA CORRIENTE ELECTRICA EN UNA PIEZA DE TRABAJO DURANTE EL TRATAMIENTO TERMICO DE LA MISMA.

(16/09/2001) LA INVENCION SE REFIERE A UN PROCEDIMIENTO Y UN DISPOSITIVO PARA CONTROL DE LA DENSIDAD DE CORRIENTE ELECTRICA A TRAVES DE UNA PIEZA DE TRABAJO EN TRATAMIENTO TERMICO BAJO UTILIZACION DE UN ELECTRODO AUXILIAR. CON ELLO PUEDE SER CONSEGUIDO UN CALCULO PRECEDENTE DE LOS VALORES REPRODUCIDOS DE LA SUPERFICIE DE CARGAS F{CH} PARA LA DENSIDAD DE CORRIENTE, PROPONIENDOSE QUE EN UN PRIMER PASO DEL PROCEDIMIENTO SE MIDAN EN UN PLASMA NEUTRO BAJO TOMA AUXILIAR DEL ELECTRODO 9 AUXILIAR LA CORRIENTE Y SE COMPLETE EN EL HORNO 1 ASI COMO LA CORRIENTE I{HE} A TRAVES DEL ELECTRO 9 AUXILIAR Y A PARTIR DE ESTOS VALORES ASI COMO DE LA SUPERFICIE F{HE} CONOCIDA DEL ELECTRODO 9 AUXILIAR SE CALCULE LA SUPERFICIE F{CH} DE CARGAS DESCONOCIDAS.…

CIRCUITO DE CONTROL DE UN TRAMO DE DESCARGA LUMINISCENTE.

(16/11/2000) LA DISPOSICION DE CIRCUITO PARA OPERACION DE UN TRAMO (GES) DE DESCARGA DE DESTELLOS MUESTRA UN CIRCUITO (BC) PUENTE, QUE CONTIENE EN UNA PRIMERA DERIVACION (B1) DE PUENTE UN INTERRUPTOR (S1) DE POLARIDAD Y UN CIRCUITO (ZIS1) DE IMPULSO DE ENCENDIDO Y EN UNA SEGUNDA DERIVACION (B2) DE PUENTE CONTIENE UN INTERRUPTOR (S2) DE POLARIDAD Y UN CIRCUITO (ZIS2) DE IMPULSO DE ENCENDIDO. EN DERIVACION TRANSVERSAL DEL CIRCUITO (BC) DE PUENTE SE DISPONE EL TRAMO (GES) DE DESCARGA DE DESTELLOS, QUE ESTA CONFIGURADO ENTRE DOS ELECTRODOS (E1, E2). PARA MODIFICACION DE LA POLARIDAD DEL TRAMO (GES) DE DESCARGA DE DESTELLOS PUEDE SER OPERADO EL INTERRUPTOR (S1) DE POLARIDAD DE UNA DE LAS DERIVACIONES (B1) DE PUENTE CONJUNTAMENTE CON EL CIRCUITO (ZIS2) DE IMPULSOS DE ENCENDIDO DE LA OTRA DERIVACION (B2) DE PUENTE. DE ESTA FORMA CADA UNO DE AMBOS ELECTRODOS (E1,…

INCREMENTO DEL PLASMA INDUCIDO POR LA TOPOLOGIA PARA MEJORAR LA UNIFORMIDAD DEL GRABADO.

(16/10/2000). Solicitante/s: LAM RESEARCH CORPORATION. Inventor/es: MUNDT, RANDALL, S., LENZ, ERIC HOWARD, KERR, DAVID, R.

UN ELECTRODO DE DESCARGA DE PLASMA QUE TIENE UNA SUPERFICIE FRONTAL CON UNA PORCION CENTRAL DE LA MISMA QUE INCLUYE SALIDAS PARA DESCARGAR GAS REACTIVO QUE FORMA UN PLASMA Y UNA PORCION PERIFERICA QUE RODEA SUSTANCIALMENTE LAS SALIDAS. LA PORCION PERIFERICA TIENE AL MENOS UN HUECO PARA AUMENTAR LOCALMENTE UNA DENSIDAD DEL PLASMA FORMADO POR EL ELECTRODO . EL HUECO PUEDE ESTAR FORMADO EN UN INSERTO REEMPLAZABLE Y EL ELECTRODO PUEDE ESTAR HECHO DE UN CRISTAL UNICO DE SILICIO.

DISPOSITIVO PARA PRODUCIR PLASMA MEDIANTE MICROONDAS.

(01/04/2000). Ver ilustración. Solicitante/s: SPITZL, RALF. Inventor/es: ASCHERMANN, BENEDIKT.

LA INVENCION SE REFIERE A UN DISPOSITIVO PARA GENERAR PLASMAS DE MICROONDAS CON UN GENERADOR DE MICROONDAS Y SU ACOPLAMIENTO A UN RESONADOR DE GUIA DE ONDAS , QUE COMPRENDE UNA CAMARA DE PLASMA . EL LADO CORTO DE LA SECCION DEL RESONADOR SE SITUA PARALELO AL EJE Z EN LA PARED COMUN CON LA CAMARA Y LA POTENCIA DE LAS MICROONDAS DEL RESONADOR SE MODULA MEDIANTE PUNTOS DE ACOPLAMIENTO EN ESTE LADO CORTO DE LA SECCION EN LA CAMARA . LOS PUNTOS DE ACOPLAMIENTO SE EJECUTAN CON PREFERENCIA COMO ACOPLADORES DE VENTANA AZIMUTAL EN LA PARED COMUN DE 5 Y 7.

METODO Y SISTEMA DE ELECTRODOS PARA EXCITACION DE UN PLASMA.

(01/03/2000). Solicitante/s: NKT RESEARCH CENTER A/S. Inventor/es: GLEJBOL, KRISTIAN.

UN METODO PARA LA EXCITACION DE UN PLASMA, CARACTERIZADO POR QUE COMPRENDE DE LOS PASOS DE SOMETER UN GAS A UNA CAMPO ELECTRICO GENERADO POR UN SISTEMA DE ELECTRODOS QUE COMPRENDE N ELECTRODOS, SIENDO N UN NUMERO ENTERO SUPERIOR O IGUAL A 3, PREFERENTEMENTE ENTRE 3 Y 30, ESTANDO CADA UNO DE N ELECTRODOS CONECTADOS A UNO DE LAS SIGUIENTES TENSIONES CA. DONDE F ES UNA FRECUENCIA QUE VA DE 10 A 10000 HZ, PREFERENTEMENTE 30 A 200 HZ MAS, PREFERENTEMENTE 50 A 60 HZ, U{SUB,0} ES UNA TENSION QUE VA DE 50 A 10000 V, ESTANDO AL MENOS UN ELECTRODO CONECTADO A U{SUB,R}, ESTANDO AL MENOS UN ELECTRODO CONECTADO A U{SUB,S}, Y ESTANDO AL MENOS UN ELECTRODO CONECTADO A U{SUB,T}. LA INVENCION TAMBIEN SE REFIERE A UN SISTEMA DE ELECTRODOS PARA LLEVAR A CABO EL METODO Y EL USO DEL SISTEMA DE ELECTRODOS.

FUENTE DE IONES CON ENERGIA DE MICROONDAS PARA IMPLANTACION DE IONES.

(01/05/1999) UN APARATO DE FUENTE DE IONES CON ENERGIA DE MICROONDAS ESTA SOPORTADO POR UN TUBO DE SOPORTE QUE SE EXTIENDE EN UNA CAVIDAD DEFINIDA POR UN CONJUNTO DE ALOJAMIENTO E INCLUYE UNA CAMARA DE PLASMA DIELECTRICA , UN PAR DE VAPORIZADORES , UN ENSAMBLAJE DE SINTONIZACION Y TRANSMISION DE MICROONDAS Y UN ENSAMBLAJE DE GENERACION DE CAMPO MAGNETICO . LA CAMARA DEFINE UNA REGION INTERIOR EN LA QUE SE DIRIGEN EL MATERIAL DE ORIGEN Y GAS IONIZABLE. LA CAMARA ESTA APOYADA POR UNA TAPA QUE TIENE UNA RANURA EN ARCO A TRAVES DE LA CUAL LOS IONES GENERADOS SALEN DE LA CAMARA . EL ENSAMBLAJE DE SINTONIZACION Y TRANSMISION DE MICROONDAS , QUE ALIMENTA ENERGIA DE MICROONDA A LA CAMARA EN EL MODO TEM, INCLUYE UN CONDUCTOR CENTRAL DE LINEA DE TRANSMISION DE ENERGIA DE MICROONDA COAXIAL . UN EXTREMO DEL CONDUCTOR AJUSTA EN UNA PARTE AHUECADA…

REACTOR PARA EL PROCESAMIENTO DE PLASMA.

(01/03/1999). Solicitante/s: APPLIED MATERIALS, INC.. Inventor/es: COLLINS, KENNETH S., RODERICK, CRAIG A., YANG, CHAN-LON, WANG, DAVID N.K., MAYDAN, DAN.

SE DESCRIBE UN REACTOR PARA EL PROCESAMIENTO DE PLASMA QUE INCORPORA UNA ESTRUCTURA INTEGRADA DE LINEA DE TRANSMISION COAXIAL QUE EFECTUA UN ACOPLAMIENTO DE LINEA DE TRANSMISION MUY CORTO Y CON POCA PERDIDA DE UNA ENERGIA ELECTRICA DE CA A LA CAMARA DE PLASMA Y ASI PERMITE EL USO EFECTIVO DE FRECUENCIAS VHF/UHF PARA GENERAR UN PLASMA. EL USO DE FRECUENCIAS DE VHF/UHF DENTRO DEL MARGEN DE 50 Y 800 MEGAHERZIOS PROPORCIONA INDICES DE PROCESAMIENTO COMERCIALMENTE VIABLES (CORROSION Y DEPOSICION SEPARADA O SIMULTANEA) Y UNA REDUCCION SUSTANCIAL EN VOLTAJES DE VAINA COMPARADO CON LAS FRECUENCIAS CONVENCIONALES COMO 13.56 MHZ. COMO RESULTADO, LA PROBABILIDAD DE DAÑAR LOS DISPOSITIVOS DE TAMAÑO PEQUEÑO SENSIBLES A LA ELECTRICIDAD QUEDA REDUCIDA.

PROCESO Y APARATO DE PLASMA PLANO ACOPLADO ELECTROMAGNETICAMENTE PARA EL ATAQUE QUIMICO DE OXIDOS.

(01/05/1998). Solicitante/s: APPLIED MATERIALS, INC.. Inventor/es: COLLINS, KENNETH S., MARKS, JEFFREY.

SE DESCRIBE UN APARATO PARA LA PRODUCCION DE UN PLASMA PLANO ACOPLADO ELECTROMAGNETICAMENTE QUE CONSTA DE UNA CAMARA QUE TIENE UN BLINDAJE DIELECTRICO EN UNA PARED DE LA MISMA Y UNA BOBINA PLANA COLOCADA FUERA DE DICHA CAMARA ACOPLADA A UNA FUENTE DE RADIOFRECUENCIA , CON LO QUE UN DEPURADOR DE FLUOR SE MONTA O AÑADE A DICHA CAMARA . CUANDO SE ATACA CON UN PLASMA DE UN GAS DE FLUOHIDROCARBURO UN OXIDO DE SILICIO, EL DEPURADOR DE FLUOR REDUCE LOS RADICALES LIBRES DE FLUOR, LO QUE MEJORA LA SELECTIVIDAD Y ANISOTROPIA DEL ATAQUE Y MEJORA LA VELOCIDAD DEL ATAQUE AL TIEMPO QUE REDUCE LA FORMACION DE PARTICULAS.

METODO Y APARATO PARA PRODUCIR PLASMA PLANAR ACOPLADO MAGNETICAMENTE.

(01/03/1998). Solicitante/s: LAM RESEARCH CORPORATION. Inventor/es: OGLE, JOHN SELDON.

UN APARATO PARA PRODUCIR UN PLASMA PLANAR EN UN GAS DE PROCESO A BAJA PRESION INCLUYE UNA CAMARA Y UNA BOBINA PLANAR EXTERIOR. SE INDUCE CORRIENTE RESONANTE DE RADIOFRECUENCIA EN LA BOBINA PLANAR QUE A SU VEZ PRODUCE UN CAMPO MAGNETICO PLANAR DENTRO DE LA CAJA. EL CAMPO MAGNETICO PRODUCE LA CIRCULACION DEL FLUJO DE ELECTRONES QUE A SU VEZ PRODUCE UNA REGION PLANAR DE ESPECIES IONICAS Y RADICALES. EL SISTEMA PUEDE USARSE PARA TRATAMIENTO DE PLASMA DE UNA VARIEDAD DE ARTICULOS PLANARES, TIPICAMENTE DISCOS SEMICONDUCTORES QUE SE ORIENTAN DE FORMA PARALELA AL PLASMA DENTRO DE LA CAJA.

APARATO Y PROCEDIMIENTO PARA EL TRATAMIENTO CON PLASMA EN EL CUAL SE INDUCE UN CAMPO ELECTRICO UNIFORME A TRAVES DE UNA VENTANA DIELECTRICA.

(16/10/1997) UN APARATO PARA GRABAR CON PLASMA O PARA UNA DEPOSICION DE PLASMA QUE INCLUYE UN RECEPTACULO QUE TIENE UNA CAMARA EN LA QUE SE PUEDE TRATAR UNA PLAQUITA (W) CON PLASMA. EL RECEPTACULO INCLUYE AL MENOS UN ORIFICIO DE ENTRADA CONECTADO AL INTERIOR DE LA CAMARA A TRAVES DEL CUAL SE PUEDE SUMINISTRAR EL GAS DE PROCESO A LA CAMARA. HAY UNA FUENTE DE ENERGIA RADIOELECTRICA DISPUESTA PARA HACER PASAR UNA ENERGIA RADIOELECTRICA A LA CAMARA Y PARA INDUCIR EL PLASMA QUE SE ENCUENTRA EN EL INTERIOR DE LA CAMARA A BASE DE ACTIVAR, CON UN CAMPO ELECTRICO INDUCIDO POR LA FUENTE DE ENERGIA RADIOELECTRICA, EL GAS DE PROCESO SUMINISTRADO A LA CAMARA A TRAVES DEL ORIFICIO DE ENTRADA. HAY UNA VENTANA DIELECTRICA EN DONDE UNA SUPERFICIE INTERIOR DE LA…

FUENTE DE PLASMA DE RADIOFRECUENCIA ACOPLADA CAPACITATIVAMENTE.

(01/07/1997). Solicitante/s: KAUFMAN & ROBINSON, INC. Inventor/es: KAUFMAN, HAROLD R., ROBINSON, RAYMOND S.

UN PAR DE ELECTRODOS DE TAMAÑO NO SIMILAR SON GUIADOS POR UNA FUENTE DE RADIOFRECUENCIA PARA CREAR UN PLASMA. UN CAMPO MAGNETICO ESTA ORIENTADO DE FORMA QUE SEA PARALELO A UNA SUPERFICIE DEL ELECTRODO PEQUEÑO . LA RESISTENCIA DEL CAMPO AUMENTA EN CUALQUIER LADO DEL ELECTRODO PEQUEÑO . SEGUN SE MUESTRA, LOS IONES SE ACELERAN ELECTROSTATICAMENTE FUERA DEL PLASMA, PERO PODRAN ACELERARSE TAMBIEN MAGNETICAMENTE, LOS ELECTRONES PUEDEN EXTRAERSE, ALTERNATIVAMENTE, O NO PODRAN SER UN MECANISMO ACELERADO.

PROCESO QUE UTILIZA UN PLASMA, METODO Y APARATO.

(01/07/1997). Solicitante/s: APPLIED MATERIALS, INC.. Inventor/es: MAYDAN, DAN, MINTZ, DONALD M., HANAWA, HIROJI, SOMEKH, SASSON.

UN PROCESO DE PLASMA, METODO Y APARATO CAPACES DE OPERACION SIGNIFICATIVAMENTE POR ENCIMA DE 13'56 MHZ PUEDE PRODUCIR VOLTAJE DE POLARIZACION AUTOMATICA DE REJILLA REDUCIDO DEL ELECTRODO ACTIVADO, PARA HABILITAR PROCESOS MAS SUAVES QUE NO DAÑEN CAPAS FINAS QUE ESTAN CONSTANTEMENTE SIENDO COMUNES EN CIRCUITOS INTEGRADOS DE GRAN VELOCIDAD Y DE GRAN DENSIDAD. SE UTILIZA UNA RED NO CONVENCIONAL SEMEJANTE PARA HABILITAR LA ELIMINACION DE REFLEXIONES A ESTAS FRECUENCIAS SUPERIORES. EL CONTROL AUTOMATICO DE LOS COMPONENTES DE LA RED SEMEJANTE HABILITA EL AJUSTE DE LA FRECUENIA DE RF PARA INFLAMAR EL PLASMA, Y DESPUES ACTUAR A UNA FRECUENXIA VARIABLE SELECCIONADA PARA REDUCIR AL MINIMO EL TIEMPO DEL PROCESO SIN DAÑO SIGNIFIVATIVO AL CIRCUITO INTEGRADO.

DISPOSITIVO PARA EL DEPOSITO DE POLIMERO POR INTERMEDIO DE UN PLASMA EXCITADO POR MICROONDAS.

(16/06/1997) LA INVENCION SE REFIERE A UN DISPOSITIVO PARA EL DEPOSITO DE POLIMERO EN VACIO, EN FASE VAPOR, POR INTERMEDIO DE UN PLASMA EXCITADO POR MICROONDAS SOBRE SUPERFICIES DE UNA PLURALIDAD DE ELEMENTOS , EN ESPECIAL SUPERFICIES INTERIORES ALUMINIZADAS DE REFLECTORES DE FAROS DE VEHICULOS, COMPRENDIENDO UN RECINTO DE DEPOSITO , MEDIOS PARA ESTABLECER UN VACIO DE EMPUJE EN EL CITADO RECINTO, MEDIOS DE EXCITACION DE MICROONDAS COMPRENDIENDO UN GENERADOR DE MICROONDAS Y MEDIOS DE APLICACION DE MICROONDAS EN EL RECINTO POR INTERMEDIO DE, AL MENOS, UNA VENTANA ESTANCO AL GAS Y TRANSPARENTE FRENTE A LAS MICROONDAS, Y AL MENOS UN DIFUSOR DE GAS MONOMERO COLOCADO EN EL RECINTO DE DEPOSITO, CERCA DE CADA VENTANA. CONFORME A LA INVENCION, LOS CITADOS MEDIOS DE APLICACION DE LAS MICROONDAS LLEVAN AL MENOS…

MECANISMO Y METODO DE REACTOR DE PLASMA MEJORADO PARA TRATAMIENTO DE UN SUBSTRATO.

(01/05/1997). Solicitante/s: THE BOARD OF TRUSTEES OF THE MICHIGAN STATE UNIVERSITY. Inventor/es: ASMUSSEN, JES, REINHARD, DONNIE K.

SE DESCRIBE UN MECANISMO Y METODO PARA TRATAR UN SUBSTRATO CON UNA ESPECIE EXCITADA SEPARADA DE UN PLASMA (15, 15A, 31, 52, 53). EL MECANISMO INCLUYE TUBOS EN LOS EXTREMOS CERRADOS O ABIERTOS (13, 22, 30, 54 Y 55) CON APARATOS U ORIFICIOS (16, 32, 56 Y 57) PARA DIRIGIR LA ESPECIE EXCITADA A UN SUBSTRATO Y UNA PLACA GRADUABLE O CORTACIRCUITO DESLIZANTE EN LA PARTE INTERIOR O EXTERIOR DE LOS TUBOS PARA SITUAR EL PLASMA EN EL TUBO DURANTE EL MANEJO DEL MECANISMO. SE UTILIZA LA POSICION DE REGULACION O BOQUILLAS O LAS VARIACIONES DE POTENCIA. EL METODO Y MECANISMO SON UTILES PARA DEPOSITAR PELICULAS, GRABADOS Y SIMILARES.

DISPOSITIVO Y PROCESO PARA LA EVAPORACION DE MATERIAL EN VACIO, DISPOSICION DE ARCO DE PLASMA ASI COMO UTILIZACION DEL PROCESO.

(01/03/1997). Solicitante/s: BALZERS AKTIENGESELLSCHAFT. Inventor/es: BERGMANN, ERICH, DR., RUDIGIER, HELMUT, DR.

EL OBJETIVO DE ESTA INVENCION ES LLEGAR A PRODUCIR LA INFLAMACION EN UN ARCO DE EVAPORACION, DE AL MENOS MATERIAL FUNDIDO EN SU SUPERFICIE COMO CONSECUENCIA DE LA EVAPORACION, ASI COMO SU ESTABILIZACION Y SU CONTROL. PARA ELLO SE PREVEE DE UN CAÑON DE RADIACION ELECTRONICA O DE UN LASER, PARA LA GENERACION DE UNA NUBE DE VAPOR LOCAL O UNAS MANCHAS DE MATERIAL PREFUNDIDO SOBRE LA SUPERFICIE OBJETO, Y CON ELLO PRODUCIR LA INFLAMACION DE MANCHA DE ARCO O RESPECTIVAMENTE SU CONTROL.

METODO Y APARATO PARA EL TRATAMIENTO DE SUPERFICIES.

(01/04/1996). Solicitante/s: EL-PLASMA LTD. Inventor/es: ESTERLIS, MOISEI.

UN METODO Y UN APARATO PARA EL TRATAMIENTO DE LA SUPERFICIE DE UNA PIEZA DE TRABAJO QUE CONSISTE EN GENERAR ENTRE UNA PORCION PRINCIPAL EXPUESTA DE UN ANODO Y LAS AREAS LIMITADAS SUCESIVAS DE UNA PRIMERA SUPERFICIE DE LA PIEZA DE TRABAJO QUE ACTUA COMO CATODO, UNA DESCARGA EN ARCO EN EL VACIO QUE TENGA UNA CORRIENTE DE ARCO QUE NO SEA SUSTANCIALMENTE MENOR DE 50 AMP Y QUE TENGA UN GRADIENTE DE CORRIENTE EN FUNCION DE LA TENSION POSITIVO.

UN DESVIADOR DE ARCO.

(01/02/1996). Solicitante/s: HALMAR/ROBICON GROUP, INC. Inventor/es: ANDERSON, GLEN, L., HAMMOND, PETER, W., YOTIVE, DAVID, S.

UN DERIVADOR DE ARCO DETECTA UN ARCO ENTRE EL CATODO Y EL ANODO DE UN APARATO DE DESCARGA LUMINISCENTE Y COMO RESPUESTA, ACTIVA UN PAR DE CONMUTADORES PARA PERMITIR QUE UN CAPACITOR SE DESCARGUE HACIA EL CATODO A LO LARGO DE UN TRAYECTO DE DERIVACION RESONANTE Y RECARGUE EL CAPACITOR PARA LA DESCARGA POSTERIOR EN UNA DIRECCION OPUESTA. ESTA CORRIENTE DE DESCARGA CORTOCIRCUITA EFICAZMENTE EL SUMINISTRO DE ENERGIA Y EXTINGUE EL ARCO. EL DERIVADOR INCLUYE DOS TRAYECTOS DE DERIVACION RESONANTE Y CUATRO CONMUTADORES CONFIGURADOS EN "H" PARA MANTENER EL CAPACITOR EN UN ESTADO CARGADO. EL ALTERNAR LA ACTIVACION DE PARES DE CONMUTADORES SITUADOS DIAGONALMENTE Y PERMITE QUE EL CAPACITOR CARGADO SE DESCARGUE EN UNA DIRECCION A LO LARGO DE UNO DE LOS TRAYECTOS DE DERIVACION RESONANTE (26 O 27) Y SE RECARGUE PARA UNA DESCARGA POSTERIOR EN LA DIRECCION OPUESTA, A LO LARGO DEL OTRO DE LOS TRAYECTOS RESONANTES (26 O 27).

APARATO OBTURADOR SEPARABLE PARA UNA CAMARA DE PROCESAMIENTO DE SEMICONDUCTORES.

(01/02/1996) LA INVENCION SE REFIERE A UN APARATO OBTURADOR SEPARABLE PARA UN APARATO DE DEPOSITACION O GRABACION QUIMICA QUE INCLUYE UN MECANISMO OBTURADOR DISPUESTO EN EL INTERIOR DE UNA CAMARA DE PROCESAMIENTO Y ADAPTADO PARA SOPORTAR UNA PLACA OBTURADORA ENTRE UNA POSICION RETRAIDA Y UNA POSICION EXTENDIDA EN LA QUE ES ENGANCHADA POR UN DISPOSITIVO ELEVADOR Y MOVIDA A SU SITIO CERRANDO LA ABERTURA DE METALIZACION NORMAL COMO SI FUERA UN SUBSTRATO A SER PROCESADO. CUANDO UN NUEVO SUBSTRATO ESTA PRESENTE PARA SU PROCESAMIENTO, EL MECANISMO ELEVADOR HARA DESCENDER LA PLACA DEL OBTURADOR DE NUEVO SOBRE EL MECANISMO DE OBTURACION Y SERA LLEVADA HASTA SU POSICION RETRAIDA FUERA DEL CAMINO DE LA OPERACION DE PROCESAMIENTO Y MANEJO NORMAL. A CAUSA DE QUE LA PLACA DEL OBTURADOR ES GEOMETRICAMENTE SIMILAR AL SUBSTRATO…

DISPOSITIVO PARA LA SUPRESION DE SALTOS DE CHISPAS.

(16/01/1996). Solicitante/s: LEYBOLD AKTIENGESELLSCHAFT. Inventor/es: TESCHNER, GOTZ, DIPL.-ING.

LA INVENCION SE REFIERE A UNA DISPOSICION DEL CIRCUITO PARA LA SUPRESION DE SALTOS DE CHISPAS EN UN PLASMA, PARA LO CUAL EXISTE UNA TENSION EN LA RUTA DEL PLASMA . EL VALOR INSTANTANEO DE LA TENSION DE LA RUTA DEL PLASMA SE COMPARA CON UN VALOR MEDIO DE LA TENSION, EL CUAL FUE HALLADO DENTRO DE UN TIEMPO PREFIJADO. SI LA DIFERENCIA ENTRE EL VALOR INSTANTANTEO Y EL VALOR MEDIO SUPERA UNA CANTIDAD PREFIJADA, SE SEPARA LA RUTA DEL PLASMA DE LA TENSION.

MODULO DE GRABADO SUAVE MEDIANTE UTIL DE AGRUPACION Y GENERADOR DE PLASMA ECR PARA EL MISMO.

(16/12/1995). Solicitante/s: MATERIALS RESEARCH CORPORATION. Inventor/es: GHANBARI, EBRAHIM.

SE PREVE UN GENERADOR DE PLASMA DE RESONANCIA DE CICLOTRON DE ELECTRON EN UN APARATO DE PROCESAMIENTO DE PLASMA EN PASTILLA SEMICONDUCTORA Y MODULO DE HERRAMIENTA DE GRUPO , PARTICULARMENTE PARA SU USO EN GRABACION AL AGUAFUERTE BLANDA. EL GENERADOR GENERA UN PLASMA UNIFORME GIRANDO UNA CAMPO MAGNETICO QUE SOPORTA UNA RESONANCIA QUE PRODUCE PLASMA ALREDEDOR DEL EJE DE UNA CAVIDAD DE RESONANCIA DENTRO DE LA CAMARA DE VACIO DE UN PROCESADOR DE PLASMA. EL CAMPO GIRADO ES PREFERENTEMENTE UN CAMPO DE PUNTO ESTACIONARIO UNICO O MULTIPUNTO ESTACIONARIO PRODUCIDO POR UN CONJUNTO MAGNETICO , PREFERENTEMENTE FORMADO DE UNA RED CILINDRICA DE IMANES EN BARRA /0), MONTADOS PARA GIRAR ALREDEDOR DE LA PARTE EXTERIOR DE LA PARED DE LA CAVIDAD . EL GAS FLUYE UNIFORMEMENTE DENTRO Y A TRAVES DE LA CAVIDAD A PARTIR DE UNA DUCHA DE DISTRIBUCION DE GAS . LA ENERGIA DE MICROONDAS SE DIVIDE EN PARTES IGUALES Y SE ACOPLA DENTRO DE LA CAVIDAD EN MODO TM01 POR UNA PLURALIDAD DE BUCLES AXIAL Y RADIALMENTE ALINEADOS.

EQUIPO DE REVESTIMIENTO POR ARCO VOLTAICO CON ANODO DE IONIZACION ADICIONAL.

(01/12/1995). Solicitante/s: METAPLAS OBERFLACHENVEREDELUNGSTECHNIK GMBH. Inventor/es: VETTER, JORG, DR., SCHMIDT-MAUER, MANFRED, MATENTZOGLU NIKOLAUS.

LOS EQUIPOS DE REVESTIMIENTO DE PVD CONOCIDOS, QUE TRABAJAN CON UNO O VARIOS ARCOS VOLTAICOS, SE HAN MODIFICADO EN EL SENTIDO DE QUE SE DISPONE EN LA CAMARA DE REVESTIMIENTO UN ANODO ADICIONAL, QUE ES MANTENIDO A UNA TENSION DE UNA FUENTE DE ALIMENTACION ESPECIAL, SIENDO MAS ALTA QUE CON LA QUE TRABAJAN LOS EVAPORADORES . DURANTE LA FASE DEL PROCESO QUE SIRVE PARA EL CALENTAMIENTO Y LIMPIEZA DE LAS PARTES A REVESTIR , ANTERIOR AL PROPIO REVESTIMIENTO, SE APANTALLAN ADEMAS LOS EVAPORADORES MEDIANTE PANTALLAS MOVILES DE TAL MODO, QUE SE IMPIDE EL CRECIMIENTO DE CAPAS PARASITARIAS DE UNA COMPOSICION CONOCIDA INEXACTA SOBRE LAS PARTES Y EL PERJUICIO DE LA CALIDAD DEL REVESTIMIENTO, ES EVITADO POR MEDIO DE LAS GOTITAS PRECIPITADAS POR LOS CATODOS . LA LIMPIEZA Y CALENTAMIENTO DE LAS PARTES SE REALIZA POR BOMBARDEO DE IONES DE GAS, LOS CUALES SON GENERADOS MEDIANTE EL SEGUNDO ANODO POR LA SUCCION DE ELECTRODOS DEL PLASMA DE LA DESCARGA DEL ARCO VOLTAICO.

DISPOSITIVO PARA LA GENERACION DE UN CAMPO DEL MICROONDAS REGULABLE.

(01/06/1995). Solicitante/s: LEYBOLD AKTIENGESELLSCHAFT. Inventor/es: GEISLER, MICHAEL, JUNG, MICHAEL, DIPL.-ING., KESSLER, BERNHARD, DIPL.-ING., LEUTERER, FRITZ, DIPL.-ING., MUNICH, MAX, DIPL.-ING., WILHELM, ROLF, DIPL.-PHYS.

LA INVENCION TRATA DE UN DISPOSITIVO PARA LA GENERACION DE UN CAMPO DEL MICROONDAS HOMOGENEO SOBRE UN RECORRIDO EXTENSO. ESTE DISPOSITIVO TIENE UN RESONADOR DE CAMARA HUECA , QUE SE PUEDE COLOCAR EN EL MICROONDAS. DE LAS ONDAS QUE SE FORMAN EN EL RESONADOR DE LA CAMARA DE VACIO SE ACOPLA DE FORMA INDUCTIVA O CAPACITIVA ENERGIA ELECTROMAGNETICA MEDIANTE UN ACOPLADOR ESPECIAL EN LA CAMARA , DONDE SE ENCUENTRA EL PLASMA.

PROCEDIMIENTO PARA EL RECUBRIMIENTO DE SUBSTRATOS.

(01/02/1995) DISPOSITIVO (FIGURA 2) PARA EL RECUBRIMIENTO DE SUBSTRATOS (31, 31', ...) EN UNA CAMARA DE VACIO CON UN PORTASUBSTRATOS ALOJADO EN ELLA, CON UN DISPOSITIVO PARA GENERAR UNA NUBE DE PLASMA Y CON IMANES , QUE DESVIAN LA NUBE DE PLASMA HACIA LA SUPERFICIE DE LOS SUBSTRATOS (31, 31', ...). EL DISPOSITIVO PARA GENERAR LA NUBE DE PLASMA POSEE UN EMISOR DE ELECTRONES CON UN ANODO TUBULAR SITUADO DETRAS PROVISTO DE UNA ENTRADA PARA EL GAS DE PROCESO PARA LA IGNICION DEL PLASMA. PARA LA ORIENTACION Y LA CONDUCCION DEL PLASMA A TRAVES DEL ANODO TUBULAR HACIA LA CAMARA DE PROCESO SE PREVEN IMANES . EN LA…

CAMPO MAGNETICO MEJORADO CON UN REACTOR DE PLASMA.

(01/11/1994) SE DESCRIBE UN REACTOR DE GRABACION POR PLASMA DE UNA SOLA OBLEA CON CAMPO MAGNETICO AUMENTADO. LAS PRESTACIONES DEL REACTOR INCLUYEN UN CAMPO MAGNETICO CONTROLADO ELECTRICAMENTE DEL TIPO PASO A PASO PARA PROPORCIONAR UNA VELOCIDAD UNIFORME DE GRABACION EN ALTAS PRESIONES. LAS SUPERFICIES CUYA TEMPERATURA ESTA CONTROLADA INCLUYE SUPERFICIES DE ANODO CALENTADAS (PAREDES Y GASES) Y UNA OBLEA ENFRIADA QUE SOPORTA EL CATODO/PEDESTAL ; Y UNA MECANISMO DE INTERCAMBIO DE OBLEAS UNICO QUE CONSTA DE PASADORES PARA SUSTENTACION DE LA MISMAS QUE ATRAVIESAS EL PEDESTAL Y UN ANILLO DE APRIETE DE LA OBLEAS . LOS PASADORES DE SUSTENTACION Y EL ANILLO DE APRIETE SE MUEVEN VERTICALMENTE POR UN MECANISMO DE UN EJE PARA ACEPTAR LA OBLEA A PARTIR DE UNA LAMINA EXTERNA COOPERANTE , UNA FIJACION AL PEDESTAL Y…

METODO PARA LA REALIZACION DE PROCESOS DE COMBUSTION LENTA.

(16/08/1994). Solicitante/s: NUKEM GMBH. Inventor/es: SCHUM, BERTHOLD, HEWIG, GERT, WORNER, JORG, DR.

AL EXAMINAR PARA CONOCER COMO ES DEBIDO UN PROCESO DE COMBUSTION LENTA, DEBE REPRODUCIRSE SU REALIZACION, MEDIANTE UNA REPRESENTACION EN PERSEGUIDOS MEDIANTE ESPECTROMETRIA DE MASAS.

PROCEDIMIENTO PARA LA GENERACION DE CAPAS DE MODIFICACIONES DE CARBONO DURO Y DISPOSITIVO PARA LA REALIZACION DEL PROCEDIMIENTO.

(16/05/1994). Solicitante/s: FRIED. KRUPP AG HOESCH-KRUPP. Inventor/es: SCHLUMP, WOLFGANG, DR.RER.NAT., BUCK, VOLKER, PROF. DR., WILLBRAND, JURGEN, DIPL.-CHEM.

PROCEDIMIENTO PARA LA GENERACION DE CAPAS DE MODIFICACIONES DE CARBONO DURO Y DISPOSITIVO PARA LA REALIZACION DEL PROCEDIMIENTO. LA INVENCION SE REFIERE A UN PROCEDIMIENTO Y A UN DISPOSITIVO PARA LA GENERACION ESPECIALMENTE TAMBIEN DE CAPAS DE DIAMANTE EMPLEANDO UN MEDIO QUE CONTIENE CARBONO POR MEDIO DE UN ARCO DE LUZ DE CORRIENTE CONTINUA, ENCENDIDO BAJO VACIO ENTRE DOS ELECTRODOS, AL QUE SE CONDUCE HIDROGENO. PARA LA MEJORA DE LA RENTABILIDAD DE UN PROCEDIMIENTO DE ESTE TIPO O BIEN DE UN DISPOSITIVO DE ESTE TIPO SE PRESENTA LA PROPUESTA DE INTRODUCIR EL HIDROGENO DIRECTAMENTE A TRAVES DE AL MENOS UNO DE LOS DOS ELECTRODOS (7 U 8) Y HACER ALIMENTAR EL ARCO DE LUZ, A DISTANCIA ENTRE ELECTRODOS REGULABLE POSTERIORMENTE, POR EL ANODO QUE ACTUA COMO FUENTE DE CARBONO.

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