Aparato y método de producción de diamantes.

Un aparato para producir diamantes y realizar un análisis in situ y en tiempo real,

que comprende:

un alojamiento (102),

una cámara de reacción (112), estando la cámara de reacción (112) conectada estructuralmente al alojamiento (102), comprendiendo la cámara de reacción (112) un área cerrada adaptada para alojar el crecimiento de diamantes,

un medio de radiación (106), estando el medio de radiación (106) montado por encima de la cámara de reacción (112) dentro del alojamiento (102), el medio de radiación (106) adaptado para emitir microondas en la cámara de reacción (112) para efectuar el crecimiento de los diamantes dentro de la cámara de reacción (112),

un medio de grabación (116) montado por encima de la cámara de reacción (112),

una cubierta dieléctrica (118) proporcionada en la parte superior de la cámara de reacción (112) y dispuesta entre el área cerrada y el medio de radiación (106) y el medio de grabación (116) y que está adaptada para permitir que la onda de radiación del medio de radiación (106) entre en la cámara de reacción (112) y también para permitir que el medio de grabación (116) grabe el crecimiento de los diamantes dentro de la cámara de reacción (112),

caracterizado por que:

el medio de grabación (116) está montado dentro del alojamiento (102).

Tipo: Patente Internacional (Tratado de Cooperación de Patentes). Resumen de patente/invención. Número de Solicitud: PCT/SG2013/000377.

Solicitante: IIA Technologies Pte. Ltd.

Nacionalidad solicitante: Singapur.

Dirección: 65 Chulia Street N° 38-02/03 OCBC Centre Singapore 049513 SINGAPUR.

Inventor/es: MISRA,DEVI SHANKER.

Fecha de Publicación: 14 de Junio de 2017.

Clasificación Internacional de Patentes:

C23C16/27 QUIMICA; METALURGIA. › C23 REVESTIMIENTO DE MATERIALES METALICOS; REVESTIMIENTO DE MATERIALES CON MATERIALES METALICOS; TRATAMIENTO QUIMICO DE LA SUPERFICIE; TRATAMIENTO DE DIFUSION DE MATERIALES METALICOS; REVESTIMIENTO POR EVAPORACION EN VACIO, POR PULVERIZACION CATODICA, POR IMPLANTACION DE IONES O POR DEPOSICION QUIMICA EN FASE VAPOR, EN GENERAL; MEDIOS PARA IMPEDIR LA CORROSION DE MATERIALES METALICOS, LAS INCRUSTACIONES, EN GENERAL. › C23C REVESTIMIENTO DE MATERIALES METALICOS; REVESTIMIENTO DE MATERIALES CON MATERIALES METALICOS; TRATAMIENTO DE MATERIALES METALICOS POR DIFUSION EN LA SUPERFICIE, POR CONVERSION QUIMICA O SUSTITUCION; REVESTIMIENTO POR EVAPORACION EN VACIO, POR PULVERIZACION CATODICA, POR IMPLANTACION DE IONES O POR DEPOSICION QUIMICA EN FASE VAPOR, EN GENERAL (fabricación de productos revestidos de metal por extrusión B21C 23/22; revestimiento metálico por unión de objetos con capas preexistentes, ver las clases apropiadas, p. ej. B21D 39/00, B23K; metalización del vidrio C03C; metalización de piedras artificiales, cerámicas o piedras naturales C04B 41/00; esmaltado o vidriado de metales C23D; tratamiento de superficies metálicas o revestimiento de metales mediante electrolisis o electroforesis C25D; crecimiento de monocristales C30B; mediante metalización de textiles D06M 11/83; decoración de textiles por metalización localizada D06Q 1/04). › C23C 16/00 Revestimiento químico por descomposición de compuestos gaseosos, no quedando productos de reacción del material de la superficie en el revestimiento, es decir, procesos de deposición química en fase vapor (pulverización catódica reactiva o evaporación reactiva en vacío C23C 14/00). › solamente diamante.
C23C16/511 C23C 16/00 […] › utilizando descargas con microondas.
C23C16/52 C23C 16/00 […] › Control o regulación de los procesos de revestimiento.
C30B25/10 C […] › C30 CRECIMIENTO DE CRISTALES. › C30B CRECIMIENTO DE MONOCRISTALES (por sobrepresión, p. ej. para la formación de diamantes B01J 3/06 ); SOLIDIFICACION UNIDIRECCIONAL DE MATERIALES EUTECTICOS O SEPARACION UNIDIRECCIONAL DE MATERIALES EUTECTOIDES; AFINAMIENTO DE MATERIALES POR FUSION DE ZONA (afinamiento por fusión de zona de metales o aleaciones C22B ); PRODUCCION DE MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA (colada de metales, colada de otras sustancias por los mismos procedimientos o aparatos B22D; trabajo de materias plásticas B29; modificación de la estructura física de metales o aleaciones C21D, C22F ); MONOCRISTALES O MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA; TRATAMIENTO POSTERIOR DE MONOCRISTALES O DE MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA (para la fabricación de dispositivos semiconductores o de sus partes constitutivas H01L ); APARATOS PARA ESTOS EFECTOS. › C30B 25/00 Crecimiento de monocristales por reacción química de gases reactivos, p. ej. crecimiento por depósito químico en fase vapor. › Calentamiento del recinto de reacción o del sustrato.
C30B25/16 C30B 25/00 […] › Control o regulación (control o regulación en general G05).
C30B29/04 C30B […] › C30B 29/00 Monocristales o materiales policristalinos homogéneos de estructura determinada caracterizados por los materiales o por su forma. › Diamante.
H01J37/32 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01J TUBOS DE DESCARGA ELECTRICA O LAMPARAS DE DESCARGA ELECTRICA (espinterómetros H01T; lámparas de arco, con electrodos consumibles H05B; aceleradores de partículas H05H). › H01J 37/00 Tubos de descarga provistos de medios o de un material para ser expuestos a la descarga, p. ej. con el propósito de sufrir un examen o tratamiento (H01J 33/00, H01J 40/00, H01J 41/00, H01J 47/00, H01J 49/00 tienen prioridad). › Tubos de descarga en atmósfera gaseosa (calefacción por descarga H05B).

PDF original: ES-2638166_T3.pdf

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