Memoria resistiva tridimensional y su fabricación.
Una memoria resistiva tridimensional (10, 20, 30, 40, 50), que comprende:
un pilar de canal (114), dispuesto sobre un sustrato (100), en el que el pilar de canal (114) comprende un material semiconductor;
un primer pilar de puerta (120), dispuesto en el sustrato (100) y en el primer lado del pilar de canal (114);
una capa dieléctrica de primera puerta (108), dispuesta entre el pilar de canal (114) y el pilar de primera puerta (120);
una primera estructura apilada (112) y una segunda estructura apilada (104), dispuestas en el sustrato (100) y respectivamente en los segundos y terceros lados opuestos del pilar de canal (114), en el que cada una de la primera estructura apilada (112) y la segunda estructura apilada (104) comprende una pluralidad de capas de material conductor (102a) y una pluralidad de capas de material aislante (102b) apiladas alternativamente;
un pilar de resistencia variable (128), dispuesto en el sustrato (100) y en un lado de la primera estructura apilada (112) opuesto al pilar de canal (114); y
un pilar de electrodos (132), dispuesto sobre el sustrato (100) y situado en el interior del pilar de resistencia variable (128), en el que el pilar de electrodos (132) comprende, de afuera hacia dentro, una capa de intercambio iónico (132a), una capa de barrera (132b) y una capa de electrodos (132c).
Tipo: Patente Europea. Resumen de patente/invención. Número de Solicitud: E16196516.
Solicitante: Winbond Electronics Corp.
Nacionalidad solicitante: Taiwan, Provincia de China.
Dirección: No. 8 Keya 1st Rd., Daya District, Central Taiwan Science Park Taichung City, Taiwan. TAIWAN.
Inventor/es: HO,CHIA HUA, CHEN,FREDERICK.
Fecha de Publicación: .
Clasificación Internacional de Patentes:
- H01L27/24 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 27/00 Dispositivos que consisten en una pluralidad de componentes semiconductores o de otros componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común (detalles H01L 23/00, H01L 29/00 - H01L 51/00; conjuntos que consisten en una pluralidad de dispositivos de estado sólido individuales H01L 25/00). › con componentes de estado sólido para la rectificación, amplificación o conmutación, sin barrera de potencial ni de superficie.
- H01L45/00 H01L […] › Dispositivos de estado sólido adaptados para la rectificación, amplificación, producción de oscilaciones o la conmutación, sin barrera de potencial ni de superficie, p. ej. triodos dieléctricos; Dispositivos con efecto Ovshinsky; Procesos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o al tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas (dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común H01L 27/00; dispositivos que utilizan la superconductividad o la hiperconductividad H01L 39/00; dispositivos piezoeléctricos H01L 41/00; dispositivos de resistencia negativa con efecto de volumen H01L 47/00).
PDF original: ES-2780248_T3.pdf
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