Memoria de acceso aleatorio resistivo.

Una memoria de acceso aleatorio resistiva, que comprende:

un sustrato (100,

300);

un transistor (102, 302), dispuesto sobre el sustrato (100, 300);

un electrodo (104, 304) inferior, dispuesto sobre el sustrato (100, 300) y conectado eléctricamente a una fuente (121, 321)/drenaje (124, 324) del transistor (102, 302);

una pluralidad de electrodos (107, 307) superiores, dispuestos en el electrodo (104, 304) inferior;

al menos una capa (105, 105a, 305) de conmutación de resistencia, dispuesta entre el electrodo (104, 304) inferior y la pluralidad de electrodos (107, 307) superiores, en la que la al menos una capa (105, 105a, 305) de conmutación de resistencia está directamente en contacto con el electrodo (104, 304) inferior; caracterizada por una pluralidad de capas (106, 306) limitadoras de corriente, respectivamente dispuestas entre la al menos una capa (105, 105a, 305) de conmutación de resistencia y la pluralidad de electrodos (107, 307) superiores, en la que la pluralidad de capas (106, 306) limitadoras de corriente está directamente en contacto con la pluralidad de electrodos (107, 307) superiores y una de las al menos una capa (105, 105a, 305) de conmutación de resistencia,

en la que un valor de resistencia de la pluralidad de capas (106, 306) limitadoras de corriente, es más bajo que un valor de resistencia de al menos una capa (105, 105a, 305) de conmutación de resistencia, que está en un estado de baja resistencia.

Tipo: Patente Europea. Resumen de patente/invención. Número de Solicitud: E16157505.

Solicitante: Winbond Electronics Corp.

Nacionalidad solicitante: Taiwan, Provincia de China.

Dirección: No. 8 Keya 1st Rd., Daya District, Central Taiwan Science Park Taichung City, Taiwan TAIWAN.

Inventor/es: CHEN,FREDERICK, WANG,PING-KUN, LIAO,SHAO-CHING.

Fecha de Publicación: .

Clasificación Internacional de Patentes:

  • H01L27/24 SECCION H — ELECTRICIDAD.H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctrica en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 27/00 Dispositivos que consisten en una pluralidad de componentes semiconductores o de otros componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común (detalles H01L 23/00, H01L 29/00 - H01L 51/00; conjuntos que consisten en una pluralidad de dispositivos de estado sólido individuales H01L 25/00). › con componentes de estado sólido para la rectificación, amplificación o conmutación, sin barrera de potencial ni de superficie.
  • H01L45/00 H01L […] › Dispositivos de estado sólido adaptados para la rectificación, amplificación, producción de oscilaciones o la conmutación, sin barrera de potencial ni de superficie, p. ej. triodos dieléctricos; Dispositivos con efecto Ovshinsky; Procesos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o al tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas (dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común H01L 27/00; dispositivos que utilizan la superconductividad o la hiperconductividad H01L 39/00; dispositivos piezoeléctricos H01L 41/00; dispositivos de resistencia negativa con efecto de volumen H01L 47/00).

PDF original: ES-2734279_T3.pdf

 

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