Memoria de acceso aleatorio resistiva y procedimiento de fabricación de la misma.
Una memoria de acceso aleatorio resistiva, que comprende una primera capa de electrodo (102),
una segunda capa de electrodo (106), y una capa de resistencia variable (104) dispuesta entre la primera capa de electrodo (102) y la segunda capa de electrodo (106), en la que la segunda capa de electrodo (106) comprende
una primera subcapa (108), una segunda subcapa (112), y se caracteriza porque comprende una capa conductora de oxinitruro metálico (110) dispuesta entre la primera subcapa (108) y la segunda subcapa (112), en la que un espesor de la capa de oxinitruro metálico (110) está entre 5 nm y 30 nm.
Tipo: Patente Europea. Resumen de patente/invención. Número de Solicitud: E14186833.
Solicitante: Winbond Electronics Corp.
Nacionalidad solicitante: Taiwan, Provincia de China.
Dirección: No. 8 Keya 1st Rd., Daya District, Central Taiwan Science Park, Taichung City, Taiwan. TAIWAN.
Inventor/es: HSU,PO-YEN, LIAO,HSIU-HAN, CHANG,SHUO-CHE, HO,CHIA HUA, WU,BO-LUN, LIN,MENG-HUNG, SHEN,TING-YING.
Fecha de Publicación: .
Clasificación Internacional de Patentes:
- H01L45/00 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › Dispositivos de estado sólido adaptados para la rectificación, amplificación, producción de oscilaciones o la conmutación, sin barrera de potencial ni de superficie, p. ej. triodos dieléctricos; Dispositivos con efecto Ovshinsky; Procesos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o al tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas (dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común H01L 27/00; dispositivos que utilizan la superconductividad o la hiperconductividad H01L 39/00; dispositivos piezoeléctricos H01L 41/00; dispositivos de resistencia negativa con efecto de volumen H01L 47/00).
PDF original: ES-2677488_T3.pdf
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