Aparato de memoria resistiva y procedimiento de lectura asociado.

Un procedimiento de lectura de un aparato (200) de memoria resistiva,

que comprende:

aplicar un impulso de lectura (VR) dos veces a una célula (214) de memoria resistiva para obtener secuencialmente una primera resistencia (R1) de lectura y una segunda resistencia (R2) de lectura de la célula (214) de memoria resistiva a diferentes temperaturas (T1, T2);

determinar un estado (HRS, LRS) resistivo de la segunda resistencia (R2) de lectura de acuerdo con los valores de las resistencias (R1, R2) de lectura y los grados de las temperaturas (T1, T2) correspondientes a las resistencias (R1, R2) de lectura; y

determinar un nivel lógico de datos almacenados de la célula (214) de memoria resistiva de acuerdo con el estado resistivo (HRS, LRS) de la segunda resistencia (R2) de lectura, caracterizado porque:

entre una etapa de obtención de la primera resistencia (R1) de lectura y una etapa de obtención de la segunda resistencia (R2) de lectura, obtener una primera temperatura (T1) correspondiente a la primera resistencia (R1) de lectura y ajustar la temperatura (T1) de la célula (214) de memoria resistiva para obtener una segunda temperatura (T2) correspondiente a la segunda resistencia (R2) de lectura, y

la etapa de ajustar la temperatura (T1) de la célula (214) de memoria resistiva comprende:

determinar si la primera temperatura (T1) es inferior a un umbral de temperatura (Tm);

si la primera temperatura (T1) es inferior al umbral de temperatura (Tm), elevar la temperatura de la célula (214) de memoria resistiva; y

si la primera temperatura (T1) es superior o igual al umbral de temperatura (Tm) bajar la temperatura de la célula (214) de memoria resistiva.

Tipo: Patente Europea. Resumen de patente/invención. Número de Solicitud: E16157438.

Solicitante: Winbond Electronics Corp.

Nacionalidad solicitante: Taiwan, Provincia de China.

Dirección: No. 8 Keya 1st Rd., Daya District, Central Taiwan Science Park, Taichung City, Taiwan. TAIWAN.

Inventor/es: LIN,MENG-HUNG, CHEN,FREDERICK, WANG,PING-KUN.

Fecha de Publicación: .

Clasificación Internacional de Patentes:

  • G11C13/00 SECCION G — FISICA.G11 REGISTRO DE LA INFORMACION.G11C MEMORIAS ESTATICAS (registro de la información basado en un movimiento relativo entre el soporte de registro y el transductor G11B; dispositivos semiconductores para memorias H01L, p. ej. H01L 27/108 - H01L 27/115; técnica del impulso en general H03K, p. ej. conmutadores electrónicos H03K 17/00). › Memorias digitales caracterizadas por la utilización de elementos de almacenamiento no cubiertos por los grupos G11C 11/00, G11C 23/00, ó G11C 25/00.
  • G11C7/04 G11C […] › G11C 7/00 Disposiciones para escribir una información o para leer una información en una memoria digital (G11C 5/00 tiene prioridad; circuitos auxiliares para memorias que utilizan dispositivos semiconductores G11C 11/4063, G11C 11/413, G11C 11/4193). › con medios para evitar perturbaciones debidas a efectos térmicos.

PDF original: ES-2702379_T3.pdf

 

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