Memoria de acceso aleatorio resistiva y método de fabricación de la misma.
Una unidad de memoria de acceso aleatorio resistiva, que comprende:
una primera capa de electrodo (102);
una segunda capa de electrodo (110); y
una estructura apilada (104) situada entre la primera capa de electrodo (102) y la segunda capa de electrodo (110), la estructura apilada (104) que comprende una capa conductora (106) fabricada de HfOx y una capa de resistencia variable (108) fabricada de HfOy, caracterizado por que x < y, 0,05 < x < 0,5 y 1 < y < 3, y la velocidad de difusión de iones de oxígeno (200) en la capa conductora (106) es menor que la velocidad de 10 difusión de los iones de oxígeno (200) en el metal, en donde el metal es hafnio o titanio.
Tipo: Patente Europea. Resumen de patente/invención. Número de Solicitud: E14186834.
Solicitante: Winbond Electronics Corp.
Nacionalidad solicitante: Taiwan, Provincia de China.
Dirección: No. 8 Keya 1st Rd., Daya District, Central Taiwan Science Park, Taichung City, Taiwan. TAIWAN.
Inventor/es: CHANG,SHUO-CHE, HO,CHIA HUA.
Fecha de Publicación: .
Clasificación Internacional de Patentes:
- H01L45/00 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › Dispositivos de estado sólido adaptados para la rectificación, amplificación, producción de oscilaciones o la conmutación, sin barrera de potencial ni de superficie, p. ej. triodos dieléctricos; Dispositivos con efecto Ovshinsky; Procesos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o al tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas (dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común H01L 27/00; dispositivos que utilizan la superconductividad o la hiperconductividad H01L 39/00; dispositivos piezoeléctricos H01L 41/00; dispositivos de resistencia negativa con efecto de volumen H01L 47/00).
PDF original: ES-2676923_T3.pdf
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