Estructura y método de formación de dispositivo de memoria.
Un dispositivo de memoria, que comprende: un primer electrodo (202);
un segundo electrodo (206); y una capa resistiva (204) posicionada entre ambos, donde la capa resistiva (204) tiene una porción cristalina (210), donde la porción cristalina (210) comprende una pluralidad de granos cristalinos (212), y los granos cristalinos (212) están rodeados por una porción amorfa (208) de la capa resistiva (204), y caracterizada en que una proporción de volumen de la porción cristalina (210) respecto de la capa resistiva (204) está en el rango de entre 0,2 y 1.
Tipo: Patente Europea. Resumen de patente/invención. Número de Solicitud: E14182800.
Solicitante: Winbond Electronics Corp.
Nacionalidad solicitante: Taiwan, Provincia de China.
Dirección: No. 8 Keya 1st Rd., Daya District, Central Taiwan Science Park, Taichung City, Taiwan. TAIWAN.
Inventor/es: HSU,PO-YEN, LIAO,HSIU-HAN, CHANG,SHUO-CHE, HO,CHIA HUA.
Fecha de Publicación: .
Clasificación Internacional de Patentes:
- H01L45/00 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › Dispositivos de estado sólido adaptados para la rectificación, amplificación, producción de oscilaciones o la conmutación, sin barrera de potencial ni de superficie, p. ej. triodos dieléctricos; Dispositivos con efecto Ovshinsky; Procesos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o al tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas (dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común H01L 27/00; dispositivos que utilizan la superconductividad o la hiperconductividad H01L 39/00; dispositivos piezoeléctricos H01L 41/00; dispositivos de resistencia negativa con efecto de volumen H01L 47/00).
PDF original: ES-2641475_T3.pdf
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