Método para formar un dispositivo de memoria.

Un método para formar un dispositivo de memoria, que comprende:



formar una capa de conmutación-resistencia sobre un primer electrodo;

formar un segundo electrodo sobre la capa de conmutación-resistencia;

aplicar una tensión de formación a la capa de conmutación-resistencia de tal manera que disminuya la resistencia de la capa de conmutación-resistencia;

después de aplicarse la tensión de formación, aplicar una tensión de restablecimiento inicial al primer electrodo o al segundo electrodo de tal manera que aumente la resistencia de la capa de conmutación-resistencia;

después de aplicarse la tensión de restablecimiento inicial, aplicar una primera tensión establecida al primer electrodo o al segundo electrodo de tal manera que disminuya la resistencia de la capa de conmutación-resistencia;

después de aplicarse la primera tensión establecida, aplicar una segunda tensión de restablecimiento al primer electrodo o al segundo electrodo, de tal manera que aumente la resistencia de la capa de conmutación-resistencia

caracterizado por

aplicar una segunda tensión establecida al primer electrodo o al segundo electrodo de tal manera que disminuya la resistencia de la capa de conmutación-resistencia, en el que la segunda tensión establecida es menor que la primera tensión establecida después de aplicarse la segunda tensión de restablecimiento, y

hornear la capa de dispositivo de memoria después de aplicarse la segunda tensión establecida al primer electrodo o al segundo electrodo.

Tipo: Patente Europea. Resumen de patente/invención. Número de Solicitud: E14182654.

Solicitante: Winbond Electronics Corp.

Nacionalidad solicitante: Taiwan, Provincia de China.

Dirección: No. 8 Keya 1st Rd., Daya District, Central Taiwan Science Park, Taichung City, Taiwan. TAIWAN.

Inventor/es: LIN,MENG-HENG, WU,BO-LUN.

Fecha de Publicación: .

Clasificación Internacional de Patentes:

  • G11C13/00 SECCION G — FISICA.G11 REGISTRO DE LA INFORMACION.G11C MEMORIAS ESTATICAS (registro de la información basado en un movimiento relativo entre el soporte de registro y el transductor G11B; dispositivos semiconductores para memorias H01L, p. ej. H01L 27/108 - H01L 27/115; técnica del impulso en general H03K, p. ej. conmutadores electrónicos H03K 17/00). › Memorias digitales caracterizadas por la utilización de elementos de almacenamiento no cubiertos por los grupos G11C 11/00, G11C 23/00, ó G11C 25/00.
  • H01L45/00 SECCION H — ELECTRICIDAD.H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctrica en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › Dispositivos de estado sólido adaptados para la rectificación, amplificación, producción de oscilaciones o la conmutación, sin barrera de potencial ni de superficie, p. ej. triodos dieléctricos; Dispositivos con efecto Ovshinsky; Procesos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o al tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas (dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común H01L 27/00; dispositivos que utilizan la superconductividad o la hiperconductividad H01L 39/00; dispositivos piezoeléctricos H01L 41/00; dispositivos de resistencia negativa con efecto de volumen H01L 47/00).

PDF original: ES-2668313_T3.pdf

 

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