Memoria resistiva y procedimiento de fabricación de la misma.
Una memoria resistiva (100) que comprende:
un primer electrodo (106a) y un segundo electrodo (118a) dispuestos en forma opuesta entre sí;
una capa de resistencia variable (108a) dispuesta entre el primer electrodo (106a) y el segundo electrodo (118a); una capa de intercambio de oxígeno (114a) dispuesto entre la capa de resistencia variable (108a) y el segundo electrodo (118a);
una capa de protección (112a) dispuesta al menos en las paredes laterales de la capa de intercambio de oxígeno (114a); y
una primera capa dieléctrica (110b) dispuesta en las paredes laterales de la capa de protección (112a), caracterizada porque, la capa de protección (112a) se extiende a un espacio entre la capa de intercambio de oxígeno (114a) y la capa de resistencia variable (108a) y se extiende a una superficie superior de la primera capa dieléctrica (110b).
Tipo: Patente Europea. Resumen de patente/invención. Número de Solicitud: E16162207.
Solicitante: Winbond Electronics Corp.
Nacionalidad solicitante: Taiwan, Provincia de China.
Dirección: No. 8 Keya 1st Rd., Daya District, Central Taiwan Science Park, Taichung City, Taiwan. TAIWAN.
Inventor/es: HSU,PO-YEN, HO,CHIA HUA, SHEN,TING-YING, FU,CHIH-CHENG, CHEN,FREDERICK.
Fecha de Publicación: .
Clasificación Internacional de Patentes:
- H01L45/00 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › Dispositivos de estado sólido adaptados para la rectificación, amplificación, producción de oscilaciones o la conmutación, sin barrera de potencial ni de superficie, p. ej. triodos dieléctricos; Dispositivos con efecto Ovshinsky; Procesos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o al tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas (dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común H01L 27/00; dispositivos que utilizan la superconductividad o la hiperconductividad H01L 39/00; dispositivos piezoeléctricos H01L 41/00; dispositivos de resistencia negativa con efecto de volumen H01L 47/00).
PDF original: ES-2698349_T3.pdf
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