Dispositivo de memoria de semiconductor no volátil.

Un dispositivo de almacenamiento de semiconductor no volátil (100),

que comprende:

una matriz de memoria (110);

una pluralidad de circuitos de retención de datos (120-0∼ 120-7), en el que en los circuitos de retención de datos (120-0∼ 120-7), cada uno de los circuitos de retención de datos (120-0~120-7) comprende un circuito conectado a la matriz de memoria (110) a través de una línea de bits (GBL) y que retiene datos para ser programados en una página seleccionada, y un circuito de salida (170) que emite si una verificación está calificada o no en una verificación de programación; y

un circuito de determinación (200), conectado al circuito de salida (170) de cada uno de los circuitos de retención de datos (120-0∼ 120-7), y que determina si los resultados de verificación de la pluralidad de circuitos de retención de datos (120-0∼ 120-7) coincide con un número permitido de bits no calificados, en el que el circuito de determinación (200) comprende: un primer circuito que genera una tensión de detección que corresponde a si las verificaciones de los circuitos de retención de datos (120-0~120-7) están calificadas o no en base a corrientes de referencia (Iref) correspondientes al número de bits no calificados, un segundo circuito que genera una tensión de referencia (Vref) en base a corrientes de referencia (Iref) correspondientes al número permitido de bits no calificados, y un circuito de comparación (CMP) que compara la tensión de detección con la tensión de referencia (Vref), en el que el circuito de comparación (CMP) emite una señal que indica si los resultados de verificación de los circuitos de retención de datos (120-0∼ 120-7) son el número permitido de bits no calificados, en el que circuito de salida (170) del circuito de retención de datos (120-0∼ 120-7) comprende un transistor a través del cual fluye una corriente equivalente a la corriente de referencia (Iref) del segundo circuito cuando el resultado de la verificación es no calificado,

estando el dispositivo de almacenamiento de semiconductor no volátil (100) caracterizado porque uno del primer circuito y el segundo circuito comprende una pluralidad de transistores a través de los cuales fluye la corriente de referencia (Iref), y porque el número de transistores operables de la pluralidad de transistores se selecciona en correspondencia con el número permitido de bits no calificados.

Tipo: Patente Europea. Resumen de patente/invención. Número de Solicitud: E16192641.

Solicitante: Winbond Electronics Corp.

Nacionalidad solicitante: Taiwan, Provincia de China.

Dirección: No. 8 Keya 1st Rd., Daya District, Central Taiwan Science Park Taichung City, Taiwan. TAIWAN.

Inventor/es: YAMAUCHI,KAZUKI, SUDO,NAOAKI.

Fecha de Publicación: .

Clasificación Internacional de Patentes:

  • G06F11/10 FISICA.G06 CALCULO; CONTEO.G06F PROCESAMIENTO ELECTRICO DE DATOS DIGITALES (sistemas de computadores basados en modelos de cálculo específicos G06N). › G06F 11/00 Detección de errores; Corrección de errores; Monitorización (detección, corrección o monitorización de errores en el almacenamiento de información basado en el movimiento relativo entre el soporte de registro y el transductor G11B 20/18; monitorización, es decir, supervisión del progreso del registro o reproducción G11B 27/36; en memorias estáticas G11C 29/00). › añadiendo cifras binarias o símbolos especiales a los datos expresados según un código, p. ej. control de paridad, exclusión de los 9 o de los 11.
  • G11C16/10 G […] › G11 REGISTRO DE LA INFORMACION.G11C MEMORIAS ESTATICAS (dispositivos semiconductores para memorias H01L, p. ej. H01L 27/108 - H01L 27/11597). › G11C 16/00 Memorias de sólo lectura programables y borrables (G11C 14/00 tiene prioridad). › Circuitos de programación o de entrada de datos.
  • G11C16/30 G11C 16/00 […] › Circuitos de alimentación.
  • G11C16/34 G11C 16/00 […] › Determinación del estado de programación, p. ej. tensión umbral, sobreprogramación o subprogramación, retención.
  • G11C29/52 G11C […] › G11C 29/00 Verificación del funcionamiento correcto de memorias; Ensayo de memorias durante su funcionamiento fuera de línea (offline")o en espera ("standby"). › Protección de los contenidos de la memoria; Detección de errores en los contenidos de la memoria.

PDF original: ES-2754389_T3.pdf

 

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