Sistema de memoria de múltiples flujos de instrucciones.

Un dispositivo de memoria (101) que comprende:

un decodificador (202);



una pluralidad de células de memoria (106), en el que cada una de las células de memoria comprende:

un primer elemento de memoria no volátil correspondiente (108) que incluye un primer elemento de memoria resistivo correspondiente (110) y asociado con un primer hilo; y

un segundo elemento de memoria no volátil correspondiente (112) que incluye un segundo elemento de memoria resistivo correspondiente (114) y asociado con un segundo hilo,

en el que cada uno del primer elemento de memoria no volátil (108) y el segundo elemento de memoria no volátil (112) es un elemento de memoria multipuerto, y

en el que el decodificador está configurado para recibir, para cada puerto (P0, P1) de los elementos de memoria multipuerto, una entrada de dirección de puerto (240, 241) respectiva para seleccionar una correspondiente de las células de memoria a las que se accederá con dicho puerto y para recibir una entrada de selección de hilo (250); en el que

si la entrada de selección de hilo (250) está en un nivel bajo, el decodificador (202) está configurado para, para cada puerto de los elementos de memoria multipuerto, seleccionar el primer elemento de memoria no volátil (108) de dicha célula de memoria correspondiente seleccionada a la que se accederá con dicho puerto, y

si la entrada de selección de hilo (250) está en un nivel alto, el decodificador (202) está configurado para, para cada puerto de los elementos de memoria con múltiples puertos, seleccionar el segundo elemento de memoria no volátil (112) de dicha célula de memoria correspondiente seleccionada para acceder con dicho puerto.

Tipo: Patente Internacional (Tratado de Cooperación de Patentes). Resumen de patente/invención. Número de Solicitud: PCT/US2011/029477.

Solicitante: QUALCOMM INCORPORATED.

Nacionalidad solicitante: Estados Unidos de América.

Dirección: Attn: International IP Administration 5775 Morehouse Drive San Diego, CA 92121 ESTADOS UNIDOS DE AMERICA.

Inventor/es: KIM,JUNG PILL, RAO,HARI M, HAGHIGHI,SIAMACK.

Fecha de Publicación: .

Clasificación Internacional de Patentes:

  • G11C11/16 SECCION G — FISICA.G11 REGISTRO DE LA INFORMACION.G11C MEMORIAS ESTATICAS (registro de la información basado en un movimiento relativo entre el soporte de registro y el transductor G11B; dispositivos semiconductores para memorias H01L, p. ej. H01L 27/108 - H01L 27/115; técnica del impulso en general H03K, p. ej. conmutadores electrónicos H03K 17/00). › G11C 11/00 Memorias digitales caracterizadas por la utilización de elementos de almacenamiento eléctricos o magnéticos particulares; Elementos de almacenamiento correspondientes (G11C 14/00 - G11C 21/00 tienen prioridad). › que utilizan elementos en los que el efecto de almacenamiento está basado en el efecto de spin magnético.
  • G11C13/00 G11C […] › Memorias digitales caracterizadas por la utilización de elementos de almacenamiento no cubiertos por los grupos G11C 11/00, G11C 23/00, ó G11C 25/00.
  • G11C8/08 G11C […] › G11C 8/00 Disposiciones para seleccionar una dirección en una memoria digital (circuitos auxiliares para memorias que utilizan dispositivos semiconductores G11C 11/4063, G11C 11/413, G11C 11/4193). › Circuitos de control de líneas de palabras, p.ej. circuitos de excitación, de potencia, de arrastre hacía arriba (pull-up), de empuje hacía abajo (pull-down), circuitos de precarga, circuitos de igualación, para líneas de palabras.
  • G11C8/16 G11C 8/00 […] › Red de memoria de acceso múltiple, p.ej. direccionamiento de un elemento de almacenamiento mediante al menos dos grupos de líneas de direccionamiento independientes.

PDF original: ES-2810100_T3.pdf

 

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