CIP-2021 : H01J 37/32 : Tubos de descarga en atmósfera gaseosa (calefacción por descarga H05B).

CIP-2021HH01H01JH01J 37/00H01J 37/32[1] › Tubos de descarga en atmósfera gaseosa (calefacción por descarga H05B).

H ELECTRICIDAD.

H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.

H01J TUBOS DE DESCARGA ELECTRICA O LAMPARAS DE DESCARGA ELECTRICA (espinterómetros H01T; lámparas de arco, con electrodos consumibles H05B; aceleradores de partículas H05H).

H01J 37/00 Tubos de descarga provistos de medios o de un material para ser expuestos a la descarga, p. ej. con el propósito de sufrir un examen o tratamiento (H01J 33/00, H01J 40/00, H01J 41/00, H01J 47/00, H01J 49/00 tienen prioridad).

H01J 37/32 · Tubos de descarga en atmósfera gaseosa (calefacción por descarga H05B).

CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.

Dispositivo de ablación por chispas y procedimiento de generación de nanopartículas.

(17/06/2020) Un dispositivo de ablación por chispas de generación de nanopartículas provisto de una entrada/salida para el gas y que comprende un generador de chispas ; el generador de chispas comprende el primer y segundo electrodos (3a, 3b), en el que el primer y/o el segundo electrodo son huecos y están conectados o son conectables a un suministro de gas, y al menos una fuente de energía que está dispuesta de manera que sea operativa para mantener una descarga entre el primer y el segundo electrodo (3a, 3b), en la que la fuente de energía comprende una fuente de energía continua de corriente continua o alterna, complementada con una fuente de energía pulsada, caracterizado porque el dispositivo está provisto…

Dispositivo de recubrimiento por plasma post-descarga para sustratos con forma de alambre.

(29/04/2020) Dispositivo de recubrimiento de plasma post-descarga para un sustrato con forma de alambre , que comprende: - un electrodo tubular interno sobre una pared tubular interna para recibir el sustrato y un precursor que se mueve axialmente en una dirección de trabajo ; - un electrodo tubular externo coaxial con, y que rodea, el electrodo interno ; donde los electrodos interno y externo están configurados para ser alimentados con una fuente de alimentación eléctrica para producir un plasma cuando se suministra un gas de plasma entre dichos electrodos y es así excitado, donde el gas excitado por plasma fluye axialmente en la dirección de trabajo y reacciona con el precursor…

Sistema de capa de vacío y tratamiento con plasma, y procedimiento para recubrir un sustrato.

(26/02/2020) Un sistema de tratamiento con plasma y recubrimiento de vacío que comprende: un conjunto de plasma dispuesto de modo tal que mira a un sustrato , incluyendo el conjunto de plasma: una diana magnetrónica (Ts) que tiene una superficie diana; un cátodo magnetrónico con un borde largo, un borde corto y un polo magnético, estando dicho polo magnético dispuesto para formar, en el uso, un circuito de pulverización catódica dentro de la diana magnetrónica (Ts) y una barrera electromagnética; un ánodo (As) conectado eléctricamente al cátodo magnetrónico; un suministro de energía de cátodo magnetrónico (Ps) conectado al cátodo magnetrónico y al ánodo; al menos dos electrodos de descarga de arco remoto ; un suministro de energía de descarga de arco remoto conectado entre los al menos dos electrodos de descarga de arco remoto…

Proceso de plasma y reactor para el tratamiento termoquímico de la superficie de piezas metálicas.

(19/02/2020) Proceso para el tratamiento superficial termoquímico de piezas metálicas, en un reactor (R) de plasma que tiene una cámara de reacción (RC) provista de: un soporte (S), que soporta las piezas metálicas ; un sistema de ánodo y cátodo , que tiene uno de sus electrodos (2a) asociado con una fuente de alimentación de CC pulsante de alta tensión; una entrada de carga de gas ionizable; y una salida , para la extracción de la carga de gas, que comprende las etapas de: a) conectar el ánodo a un primer electrodo (2a) y a tierra (2b) y conectar el cátodo al soporte (S), que funciona como el otro electrodo (3a) del sistema de ánodo y cátodo , y a un potencial…

Fuente de plasma para un aparato de CVD de plasma y un procedimiento de fabricación de un artículo por el uso de la fuente de plasma.

(19/02/2020) Una fuente de plasma para un aparato de CVD de plasma, que comprende: un grupo de electrodos que incluye cuatro electrodos, que son un primer electrodo (10A), un segundo electrodo (10B), un tercer electrodo (10C) y un cuarto electrodo (10D) que están dispuestos en una fila en ese orden, en la que dicho grupo de electrodos está conectado a al menos una fuente de alimentación de CA ; configurada para que cuando esté en operación una tensión suministrada a dos de dichos cuatro electrodos sea desplazada de fase de una tensión suministrada a los dos electrodos restantes; espacios (850A, 850B, 850C) a los que es suministrada una fuente de gas son proporcionados entre los electrodos adyacentes, dicho grupo de electrodos está constituido por electrodos huecos…

Dispositivo de revestimiento para el revestimiento de un sustrato, así como un procedimiento para el revestimiento de un sustrato.

(15/01/2020) Dispositivo de evaporación de un material diana que comprende una cámara de proceso para el establecimiento y el mantenimiento de una atmósfera de gas, que presenta una entrada y una salida para un gas de proceso, así como un ánodo y un cátodo de evaporación cilíndrico realizado como diana , comprendiendo dicho cátodo de evaporación cilíndrico el material diana , estando prevista además una fuente de energía eléctrica para generar una tensión eléctrica entre el ánodo y el cátodo , de manera que por medio de la fuente de energía eléctrica el material diana del cátodo cilíndrico se puede convertir a una fase de vapor, y estando prevista una fuente de campo magnético que genera un campo magnético, estando previstos en la cámara de proceso al mismo tiempo un…

Fuente de evaporación por arco.

(18/12/2019) Una fuente de evaporación por arco, incluyendo: un blanco a fundir y evaporar de una superficie de extremo delantero (3a) del blanco por descarga de arco; y al menos un imán dispuesto en una posición separada de una superficie lateral (3b) del blanco radialmente con respecto al blanco , siendo la superficie lateral (3b) continua con una periferia de la superficie de extremo delantero (3a) del blanco , caracterizada porque el imán está dispuesto con el fin de formar un campo magnético que satisfaga las condiciones a) y b) siguientes, en la superficie lateral (3b) del blanco , en una zona…

Método para el revestimiento de un sustrato con una capa de polímero.

(11/12/2019). Solicitante/s: EUROPLASMA NV. Inventor/es: FERDINANDI,FRANK, LEGEIN,Filip.

Un método para revestir un sustrato con una capa de polímero, donde dicho método comprende la localización de un primer juego de electrodos (14, 14', 14") y un segundo juego de electrodos (14, 14', 14") dentro de una cámara de plasma (11, 11', 11"); y además incluye los pasos de colocar un sustrato entre el primer y segundo juego de electrodos, y en el que cada juego de electrodos comprende una capa interna de electrodos (141', 141") y un par de capas de electrodos externas (142', 142") en el que la capa interna de electrodos es una capa de electrodos de radiofrecuencia o una capa de electrodos de tierra y las capas de electrodos externas son capas de electrodos de tierra o de radiofrecuencia respectivamente; introducir un monómero en la cámara de plasma; conmutar la capa o capas de electrodos de radiofrecuencia para activar un plasma; y exponer las superficies de un sustrato al plasma de modo que se deposite una capa de polímero en cada superficie.

PDF original: ES-2776999_T3.pdf

Aparato y método para el procesamiento de texturizado.

(13/11/2019) Aparato para el procesamiento de texturizado que comprende: - una fuente de gas de entrada ; - una fuente de energía adecuada para excitar el gas de entrada y para generar un plasma en una región de plasma; y - un portamuestras configurado para recibir una muestra sólida , y dispuesto de tal modo que, en uso, esté puesto a tierra; en el que el aparato comprende: - una máscara dispuesta entre la región de plasma y el portamuestras , teniendo la máscara una primera cara orientada hacia la región de plasma y una segunda cara orientada hacia una superficie de la muestra sólida que se va a procesar, comprendiendo, en uso, la máscara al menos una abertura de máscara que se extiende a través de la máscara…

Procedimiento de revestimiento de un substrato, instalación de aplicación del procedimiento y dispositivo metálico de alimentación de tal instalación.

(12/11/2019). Solicitante/s: Arcelormittal. Inventor/es: CHALEIX, DANIEL, JACQUES,DANIEL, SPONEM,FLORENT.

Procedimiento de revestimiento de al menos una cara de un substrato en deslizamiento, por evaporación en vacío mediante plasma de una capa metálica o de aleación metálica susceptible de ser sublimada, según el cual dicho metal o aleación metálica se dispone junto a dicha cara del substrato en forma de al menos dos lingotes colocados en contacto uno con otro, siendo la superficie de dichos lingotes, que está girada hacia dicha cara del substrato, paralela al substrato y a una distancia constante de éste, siendo dichos lingotes desplazados simultáneamente durante el revestimiento, de forma continua o secuencial, por traslación, estando la superficie de los lingotes opuesta a la girada hacia el substrato en contacto con un plano inclinado, para mantener sus superficies giradas hacia el substrato paralelas y a distancia constante de éste.

PDF original: ES-2730837_T3.pdf

Instalación y proceso para el tratamiento de piezas de metal mediante un reactor de plasma.

(30/10/2019) Instalación para el tratamiento de piezas de metal mediante un reactor de plasma del tipo que comprende una carcasa de metal que define, internamente, una cámara de reacción provista de un soporte ; un sistema de ánodo-cátodo que puede ser conectado a una fuente de energía eléctrica ; una entrada , que puede ser conectada a una fuente de gases ionizables ; una salida , para la extracción de la carga gaseosa, que puede ser conectada a una fuente de vacío ; y un dispositivo de calentamiento , para calentar la cámara de reacción , siendo sometido dicho reactor a la fase de calentamiento (A), la fase de limpieza (L) y/o la fase de tratamiento superficial (S), la fase de enfriamiento (R),…

Reactor modular para la deposición asistida por plasma de microondas.

(25/09/2019) Reactor modular de deposición asistida por plasma de microondas para la fabricación de diamante de síntesis, comprendiendo dicho reactor: - un generador de microondas configurado para generar microondas cuya frecuencia está comprendida entre 300 MHz y 3000 MHz, - una cavidad resonante determinada, al menos en parte, por las paredes internas cilíndricas de un recinto del reactor, - un sistema de llegada de los gases apto para aportar gases en el seno de la cavidad resonante , - un módulo de salida de los gases apto para retirar dichos gases de la cavidad resonante , - un módulo de acoplamiento…

Máquina de implantación de iones en modo de inmersión en plasma para procedimiento de baja presión.

(28/08/2019) Máquina de implantación de iones que comprende: - un dispositivo de bombeo (VAC), - un recinto (ENV) el cual está empalmado con el dispositivo de bombeo (VAC), - un portasustrato (PPS) dispuesto en dicho recinto - una alimentación eléctrica de alta tensión (HT) configurada para polarizar negativamente el portasustrato (PPS), - un dispositivo de alimentación de plasma (AP) que presenta la forma de un cuerpo de tipo cilíndrico que se extiende entre una sección inicial y una sección terminal, comprendiendo este dispositivo una cámara principal (PR, PR2) provista de una célula de ionización (BC1, ANT1), estando dicha cámara principal (PR, PR2) dotada de un orificio (ING, INL) de aprovisionamiento de gas, estando la sección final (CL) de dicha cámara principal provista de medios de debilitamiento…

Unidad de electrodo con una red eléctrica interna para el suministro de tensión de alta frecuencia y disposición de soporte para una instalación de tratamiento por plasma.

(14/08/2019) Unidad de electrodo , apropiada para el tratamiento por plasma de una pluralidad de sustratos en una cámara de tratamiento de una instalación de tratamiento por plasma, con - varios pares de electrodos de plasma a lo largo de una primera dirección, donde cada par de electrodos de plasma se compone de un primer electrodo de plasma y un segundo electrodo de plasma , que están dispuestos en paralelo entre sí y opuestos entre sí y están aislados eléctricamente uno de otro, y es apropiado para encender un plasma en un espacio de plasma entre el primer y el segundo electrodo de plasma del par de electrodos de plasma en presencia de una tensión definida, - al menos una red de suministro eléctrica interna que es apropiada para suministrar, dentro…

Cámara de evaporación por arco voltaico con una fuente de evaporación por arco voltaico al vacío.

(10/07/2019) Cámara de evaporación por arco voltaico con una unidad de suministro de energía y con una fuente de evaporación por arco voltaico al vacío que comprende un bloque de soporte y una fuente de campo magnético anular dispuesta en el bloque de soporte y un cuerpo de cátodo con un material de evaporación como cátodo para generar una descarga de arco voltaico sobre una superficie de evaporación del cátodo , en la cual el cuerpo de cátodo está delimitado en sentido axial, en un primer sentido axial, por un fondo de cátodo y, en un segundo sentido axial, por la superficie de evaporación , y la fuente de campo magnético anular está polarizada…

Método para filtrar macropartículas en una deposición física de vapor por arco catódico (PVD), en vacío.

(26/06/2019) Un método para filtrar macropartículas en una deposición física de vapor por arco catódico (PVD) en vacío, comprendiendo dicho método la etapa de evaporar un material de una fuente sólida por medio de una aplicación del arco sobre la fuente, formar un plasma que comprende electrones, micropartículas (vapor) e iones de material evaporado, junto con macropartículas de mayor tamaño que las micropartículas y los iones, - la deposición física de vapor por arco catódico (PVD) es pulsada; - siendo dicho material carbono; caracterizado por que el arco se mueve sobre la fuente a una velocidad Vcs (velocidad superficial) a la que los electrones, las micropartículas y los iones del material evaporado en un punto P2 impulsan,…

Dispositivo para generar un plasma que presenta una extensión significativa a lo largo de un eje por resonancia ciclotrónica de electrones (RCE) a partir de un medio gaseoso.

(12/06/2019). Solicitante/s: H.E.F. Inventor/es: SCHMIDT, BEAT, HEAU, CHRISTOPHE, MAURIN-PERRIER, PHILIPPE.

Dispositivo para generar un plasma que presenta una extensión significativa a lo largo de un eje por resonancia ciclotrónica de electrones RCE a partir de un medio gaseoso y que comprende al menos dos guías de onda coaxial constituidas cada una por un conductor central y un conductor externo para llevar microondas a una cámara de tratamiento, caracterizado porque, al menos las dos guías de inyección de ondas electromagnéticas se combinan con un circuito magnético alargado en una dirección, rodeando dicho circuito magnético las guías de onda creando un campo magnético capaz de conseguir una condición de RCE en la proximidad de dichas guías de onda.

PDF original: ES-2742884_T3.pdf

Dispositivo de revestimiento modular.

(08/05/2019). Solicitante/s: AGC GLASS EUROPE. Inventor/es: WIAME,HUGUES, DEBELLE,THOMAS, BELLET,PHILIPPE.

Un dispositivo de revestimiento modular bajo vacío que tiene al menos un módulo que comprende al menos una zona de revestimiento con al menos un compartimento fuente para un material objetivo y al menos una zona de bombeo con medios de bombeo, caracterizado porque la zona de bombeo comprende al menos un compartimento fuente para un material objetivo con el fin de utilizar esta zona de bombeo como una zona de revestimiento adicional, y por cuanto que al menos una bomba turbo-molecular está conectada a la zona de bombeo.

PDF original: ES-2741636_T3.pdf

Procedimiento y dispositivo para ahorrar energía y al mismo tiempo aumentar la velocidad de paso en las instalaciones de recubrimiento al vacío.

(01/05/2019) Dispositivo de recubrimiento mediante pulverización, que se compone de en una serie de segmentos de pulverización y de segmentos de separación de gases con un plano de sustrato continuo , en el que los segmentos de pulverización están formados por una cubeta de caldera con un dispositivo de transporte interno para el transporte de sustratos y por al menos una tapa de la caldera conectada a la cubeta de caldera por medio de una brida de la caldera , disponiéndose la brida de la caldera en la proximidad inmediata por encima del plano de sustrato y encontrándose un bloque de apoyo de cátodos con objetivo y los canales de entrada de gas en las proximidades inmediatas…

Método de formación de películas delgadas de polímero regulares mediante deposición de plasma atmosférico.

(24/04/2019). Solicitante/s: Luxembourg Institute of Science and Technology (LIST). Inventor/es: CHOQUET, PATRICK, BOSCHER,NICOLAS, DUDAY,DAVID, HILT,FLORIAN.

Metodo para formar una pelicula delgada de polimero en un sustrato, que comprende las siguientes etapas sucesivas: - proporcionar una mezcla que comprenda al menos un material de formacion de polimero ; - aplicar una secuencia de impulsos de plasma atmosferico a la mezcla para formar una pelicula delgada de polimero en una porcion de superficie de un sustrato, que entra en contacto con dicha mezcla , donde cada impulso de plasma presenta una duracion tON, comprendida entre un nanosegundo y un microsegundo, durante la cual el plasma es descargado y una duracion tOFF, comprendida entre un microsegundo y un segundo, durante la cual el plasma no es descargado y donde el ciclo de trabajo de un impulso de plasma tON / (tON + tOFF) es inferior a 1 %.

PDF original: ES-2738584_T3.pdf

Herramienta de corte recubierta.

(17/04/2019). Solicitante/s: Lamina Technologies SA. Inventor/es: CURTINS, HERMANN, BÖHLMARK,JOHAN, GENVAD,AXEL.

Una herramienta de corte recubierta que comprende un sustrato y un recubrimiento, donde el recubrimiento comprende al menos una capa de compuesto de Ti1-xAlxN, en la que 0,5<x<0,7 o 0,3<x<0,5, que se deposita por deposición de arco catódico, y que tiene un espesor superior a 15 μm a 30 μm, caracterizada por que el recubrimiento tiene esfuerzos de compresión internos en el intervalo de más de 1,3 GPa a 2 GPa como se ha determinado por análisis de difracción de rayos X usando el método de sen2 Ψ.

PDF original: ES-2739283_T3.pdf

DISPOSITIVO DE DEPOSICIÓN QUÍMICA DE VAPOR REMOTA ASISTIDA POR PLASMA Y MÉTODO PARA PRODUCIRLO.

(21/03/2019). Solicitante/s: CONSORCI PER A LA CONSTRUCCIÓ, EQUIPAMENT I EXPLOTACIÓ DEL LABORATORI DE LLUM DE SINCROTRÓ. Inventor/es: PELLEGRIN,Eric, GONZÁLEZ CUXART,Marc.

Dispositivo de deposición química de vapor remota asistida por plasma y método para producirlo, el cual comprende un tubo rodeado por una bobina de corriente eléctrica de radiofrecuencia para transformar un gas o gases de suministro que pasan a través de dicho tubo en plasma , incluyendo el tubo un extremo de entrada (13a) para la entrada del gas o gases de suministro. El tubo está hecho de Al2O3, un extremo (13b) de salida del tubo tiene el mismo tamaño que ei área de sección transversal del tubo , y un elemento de conexión de acero inoxidable está dispuesto en el extremo (13b) de salida del tubo , conectando dicho elemento de conexión de acero inoxidable el tubo a medios (18a) de unión del dispositivo para unir de forma amovible el extremo (13b) de salida del tubo a una cámara externa (C) en la que tiene lugar la deposición química de vapor remota asistida por plasma.

Método de deposición de vapores químicos activado por plasma y aparato para el mismo.

(20/03/2019) Un método de deposición de vapores químicos activada plasmáticamente que comprende las etapas de: - proporcionar un recipiente de vacío que tiene una presión relativamente baja o vacío, al que se proporciona un gas operativo que comprende una mezcla de un gas de descomposición o precursor, un gas reactivo y/o un gas de sublimación, - proporcionar una unidad de descomposición plasmática dentro del recipiente de vacío para descomponer el gas operativo que tiene moléculas complejas en radicales cargados o neutros, teniendo la unidad de descomposición plasmática un ánodo y un cátodo , rodeando el ánodo al cátodo, y teniendo el cátodo un campo magnético intensificador y estando eléctricamente aislado del ánodo circundante, - proporcionar una unidad de procesamiento que incluye una cámara de procesamiento…

Fuente de plasma.

(19/03/2019) Fuente de plasma en una cámara de vacío para generar un plasma en la cámara de vacío , comprendiendo la fuente de plasma una carcasa de fuente con una abertura que se adentra en la cámara de vacío y estando previsto en la carcasa de fuente un filamento al cual, a través de líneas eléctricas que se han pasado de forma aislada a través de la carcasa de fuente , se puede aplicar una tensión de calentamiento (Vcal.) de tal modo que se puede calentar el filamento mediante un flujo de corriente, estando dispuesta la carcasa de fuente de forma eléctricamente aislada de la cámara de vacío en la misma, caracterizada por que: • están previstos medios que permiten medir la caída de…

Accesorios que comprenden medios magnéticos para sostener piezas de trabajo simétricas rotatorias.

(12/03/2019) Un sistema de accesorio que comprende varias partes, siendo al menos una de las partes una pieza de sujeción para sujetar una pieza de trabajo que comprende sustancias ferromagnéticas, comprendiendo dicha pieza de trabajo un cuerpo con dos extremos y exhibiendo a lo largo de un eje giratorio una forma simétrica con una dimensión radial y con superficies que pueden tratarse por medio de un proceso de tratamiento de vacío asistido por plasma, comprendiendo dicha parte de retención medios magnéticos que generan un campo magnético con una fuerza magnética en la dirección del eje rotatorio que es lo suficientemente alta para sostener la pieza de trabajo si la pieza de trabajo se coloca en una…

Procedimiento para fabricar piezas con superficie grabada por iones.

(08/03/2019) Un procedimiento para fabricar piezas, estando al menos una parte de la superficie de dichas piezas grabada, incluyendo el grabado por impacto de iones, que comprende: • proporcionar una base de carrusel que puede moverse de forma giratoria alrededor de un eje de carrusel (A20); • proporcionar a lo largo de la periferia de y sobre dicha base de carrusel al menos dos soportes (22; 22a) planetarios, cada uno que puede moverse de forma giratoria alrededor de un eje planetario (A22; A22a) paralelo a dicho eje de carrusel; • generar una nube (CL; BI; BPL; PL) que comprenda iones y que tenga, considerado en un plano transversal perpendicular a dicho carrusel y dichos ejes planetarios, un eje…

Perforación de plasma.

(06/02/2019). Solicitante/s: Tannpapier GmbH. Inventor/es: LINDNER, MICHAEL.

Proceso para la perforación de plasma de papel de filtro , en que, en la superficie del papel de filtro , es generado un plasma de baja temperatura , en que una mezcla de gas ionizable es ionizada durante un corto período a través de una fuente de energía lo más puntual posible, caracterizado por un gas inerte o una mezcla de gas que se encuentra bajo presión con una alta concentración de gas inerte ser introducido circularmente en torno a la fuente de energía en dirección del papel de filtro , por el que la mezcla de gas ionizable es restringida localmente a un área superficial muy pequeña del papel de filtro al frente de la fuente de energía, en que esa área es rodeada circularmente por una mezcla de gas con una alta concentración de gas inerte.

PDF original: ES-2723889_T3.pdf

Una cubierta con un sistema de sensor para un sistema de medición configurable para un sistema de pulverización catódica configurable.

(22/10/2018) Una cubierta para un sistema de medición configurable de un sistema de pulverización catódica configurable , estando el sistema de pulverización catódica configurable previsto para la pulverización catódica de revestimientos de múltiples capas sobre un sustrato, y comprendiendo el sistema de pulverización catódica configurable una pluralidad de estaciones y teniendo una pluralidad de aberturas para proporcionar acceso a un espacio dentro de las estaciones ; - la cubierta se puede unir de manera separable a las aberturas de las estaciones; - comprendiendo la cubierta un sistema de sensor (M1) que permite determinar una propiedad de una pila parcial del revestimiento…

Método mejorado para el grabado de microestructuras.

(03/10/2018). Solicitante/s: Memsstar Limited. Inventor/es: O\'HARA,Anthony, LEAVY,MICHAEL, PRINGLE,GRAEME, MCKIE,ANTHONY.

Método para grabar una o más microestructuras ubicadas dentro de una cámara de proceso , comprendiendo el método las etapas siguientes: a) transformar un material de grabado dentro de una cámara sellada desde un primer estado en un vapor de material de grabado; b) emplear un gas portador para la cámara sellada para transportar el vapor de material de grabado desde la cámara sellada y a continuación, suministrar el vapor de material de grabado a la cámara de proceso ; y c) controlar la cantidad de vapor de material de grabado dentro de la cámara de proceso controlando la velocidad de bombeo de vacío desde la cámara de proceso , caracterizado por que se selecciona una velocidad a la cual se suministra el vapor de material de grabado a la cámara de proceso en respuesta a una velocidad de grabado deseada y una velocidad de retirada del vapor de material de grabado desde la cámara de proceso.

PDF original: ES-2684551_T3.pdf

DISPOSITIVO DE DEPOSICIÓN QUÍMICA DE VAPOR REMOTA ASISTIDA POR PLASMA Y MÉTODO PARA PRODUCIRLO.

(10/04/2018). Solicitante/s: CONSORCI PER A LA CONSTRUCCIÓ, EQUIPAMENT I EXPLOTACIÓ DEL LABORATORI DE LLUM DE SINCROTRÓ. Inventor/es: PELLEGRIN,Eric, GONZÁLEZ CUXART,Marc.

Dispositivo de deposición química de vapor remota asistida por plasma y método para producirlo, el cual comprende un tubo rodeado por una bobina de corriente eléctrica de radiofrecuencia para transformar un gas o gases de suministro que pasan a través de dicho tubo en plasma , incluyendo el tubo un extremo de entrada (13a) para la entrada del gas o gases de suministro. El tubo está hecho de Al2O3, un extremo (13b) de salida del tubo tiene el mismo tamaño que el área de sección transversal del tubo , y un elemento de conexión de acero inoxidable está dispuesto en el extremo (13b) de salida del tubo , conectando dicho elemento de conexión de acero inoxidable el tubo a medios (18a) de unión del dispositivo para unir de forma amovible el extremo (13b) de salida del tubo a una cámara externa (C) en la que tiene lugar la deposición química de vapor remota asistida por plasma.

PDF original: ES-2662939_A1.pdf

Configuración magnética modificable para fuentes de evaporación por arco.

(11/10/2017) Fuente de evaporación por arco con una disposición de campo magnético prevista en un blanco a partir de un material de revestimiento para la generación de campos magnéticos en y por encima de la superficie de blanco, comprendiendo la disposición de campo magnético imanes permanentes centrales (5a), imanes permanentes marginales y al menos una bobina anular dispuesta detrás del blanco, cuyo diámetro interior limitado por los devanados es preferentemente menor o igual, en todo caso no considerablemente mayor que el diámetro del blanco, caracterizada por que los imanes permanentes marginales y los imanes permanentes centrales (5a) pueden desplazarse esencialmente en perpendicular a la superficie del blanco de manera que se alejan del blanco y la proyección de los imanes…

Aparato de deposición química de vapor asistida por plasma de microondas.

(27/09/2017). Solicitante/s: IIA Technologies Pte. Ltd. Inventor/es: MISRA,DEVI SHANKER.

Un aparato para cultivar diamantes, comprendiendo el aparato: una o más cámaras , estando cada cámara en conexión fluida con una o más otras cámaras , comprendiendo cada cámara uno o más conjuntos de plataforma de sustrato dentro de la cámara para soportar una plataforma de sustrato , en donde el conjunto de plataforma de sustrato comprende una placa , dicha plataforma de sustrato y un reflector periférico ; estando soportados la plataforma de sustrato y el reflector periférico en la parte superior de la placa , caracterizado por que las cámaras están dispuestas en serie con tubos de flujo de gas entre cada cámara, o las cámaras están dispuestas en una red de manera que cada cámara está conectada a una cámara adyacente, para permitir el flujo de gas entre las cámaras.

PDF original: ES-2652129_T3.pdf

1 · · 3 · 4 · ››
Utilizamos cookies para mejorar nuestros servicios y mostrarle publicidad relevante. Si continua navegando, consideramos que acepta su uso. Puede obtener más información aquí. .