Reactor modular para la deposición asistida por plasma de microondas.

Reactor modular de deposición asistida por plasma de microondas (1) para la fabricación de diamante de síntesis,

comprendiendo dicho reactor:

- un generador de microondas (70) configurado para generar microondas cuya frecuencia está comprendida entre 300 MHz y 3000 MHz, - una cavidad resonante (41) determinada, al menos en parte, por las paredes internas cilíndricas (420) de un recinto (400) del reactor,

- un sistema de llegada de los gases (10) apto para aportar gases en el seno de la cavidad resonante (41),

- un módulo de salida de los gases (60) apto para retirar dichos gases de la cavidad resonante (41),

- un módulo de acoplamiento de las ondas (80) apto para transferir las microondas desde el generador de microondas (70) hasta la cavidad resonante (41), al objeto de permitir la formación de un plasma, y

- un soporte de crecimiento (51) presente dentro de la cavidad resonante (41),

comprendiendo dicho reactor modular al menos tres elementos de modulación, estando dichos elementos de modulación seleccionados de entre:

- una corona (450) apta para ser posicionada entre una primera parte de recinto (430) y una segunda parte de recinto (440), al objeto de modificar la forma y/o el volumen de la cavidad resonante (41), y un sistema de juntas (460) que, permitiendo la estanqueidad desde el punto de vista del vacío y la continuidad eléctrica de las paredes del recinto, está dispuesto entre la corona (450) y, respectivamente, la primera parte de recinto (430) y la segunda parte (440) del recinto (400);

- un módulo de portasustrato (500) y un cuarto de onda (501), estando dicho módulo de portasustrato dotado de movimiento de traslación vertical y giratorio, estando en contacto con el cuarto de onda (501) e incluyendo al menos un sistema de refrigeración fluida (520);

- una bandeja (900) que, dotada de movimiento de traslación vertical, al objeto de modificar la forma y el volumen de la cavidad resonante (41), incluye aberturas pasantes (911) que permiten el paso de los gases;

- un módulo de distribución de los gases (100), que incluye:

• una placa de distribución de los gases amovible (110) que comprende una superficie interna (111), una superficie externa (112) y una pluralidad de boquillas de distribución de los gases (113) determinantes de canales entre dichas superficies (111, 112) aptos para conducir una corriente de gases, y

• un dispositivo de soporte (120) unido a un sistema de refrigeración y apto para albergar la placa de distribución de los gases amovible (110); y

- un módulo de control de la refrigeración del sustrato (300), que incluye un dispositivo de inyección de gases de resistencia térmica amovible (330), comprendiendo dicho dispositivo de inyección de gases de resistencia térmica amovible (330) una o varias entradas de gases de resistencia térmica (333) y una o varias salidas de gases de resistencia térmica (331).

Tipo: Patente Internacional (Tratado de Cooperación de Patentes). Resumen de patente/invención. Número de Solicitud: PCT/FR2017/053482.

Solicitante: Diam Concept.

Nacionalidad solicitante: Francia.

Dirección: 55 Avenue Marceau 75016 Paris FRANCIA.

Inventor/es: GICQUEL,ALIX, DES PORTES,FRANÇOIS.

Fecha de Publicación: .

Clasificación Internacional de Patentes:

  • C23C16/27 SECCION C — QUIMICA; METALURGIA.C23 REVESTIMIENTO DE MATERIALES METALICOS; REVESTIMIENTO DE MATERIALES CON MATERIALES METALICOS; TRATAMIENTO QUIMICO DE LA SUPERFICIE; TRATAMIENTO DE DIFUSION DE MATERIALES METALICOS; REVESTIMIENTO POR EVAPORACION EN VACIO, POR PULVERIZACION CATODICA, POR IMPLANTACION DE IONES O POR DEPOSICION QUIMICA EN FASE VAPOR, EN GENERAL; MEDIOS PARA IMPEDIR LA CORROSION DE MATERIALES METALICOS, LAS INCRUSTACIONES, EN GENERAL.C23C REVESTIMIENTO DE MATERIALES METALICOS; REVESTIMIENTO DE MATERIALES CON MATERIALES METALICOS; TRATAMIENTO DE MATERIALES METALICOS POR DIFUSION EN LA SUPERFICIE, POR CONVERSION QUIMICA O SUSTITUCION; REVESTIMIENTO POR EVAPORACION EN VACIO, POR PULVERIZACION CATODICA, POR IMPLANTACION DE IONES O POR DEPOSICION QUIMICA EN FASE VAPOR, EN GENERAL (aplicación de líquidos o de otros materiales fluidos sobre las superficies, en general B05; fabricación de productos revestidos de metal por extrusión B21C 23/22; revestimiento metálico por unión de objetos con capas preexistentes, ver las clases apropiadas, p. ej. B21D 39/00, B23K; mecanizado del metal por acción de una fuerte concentración de corriente eléctrica sobre un objeto por medio de un electrodo B23H; metalización del vidrio C03C; metalización de piedras artificiales, cerámicas o piedras naturales C04B 41/00; pinturas, barnices, lacas C09D; esmaltado o vidriado de metales C23D; medios para impedir la corrosión de materiales metálicos, las incrustaciones, en general C23F; tratamiento de superficies metálicas o revestimiento de metales mediante electrolisis o electroforesis C25D, C25F; crecimiento de monocristales C30B; mediante metalización de textiles D06M 11/83; decoración de textiles por metalización localizada D06Q 1/04; detalles de aparatos de sonda de barrido, en general G01Q; fabricación de dispositivos semiconductores H01L; fabricación de circuitos impresos H05K). › C23C 16/00 Revestimiento químico por descomposición de compuestos gaseosos, no quedando productos de reacción del material de la superficie en el revestimiento, es decir, procesos de deposición química en fase vapor (pulverización catódica reactiva o evaporación reactiva en vacío C23C 14/00). › solamente diamante.
  • C23C16/511 C23C 16/00 […] › utilizando descargas con microondas.
  • H01J37/32 SECCION H — ELECTRICIDAD.H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.H01J TUBOS DE DESCARGA ELECTRICA O LAMPARAS DE DESCARGA ELECTRICA (espinterómetros H01T; lámparas de arco, con electrodos consumibles H05B; aceleradores de partículas H05H). › H01J 37/00 Tubos de descarga provistos de medios o de un material para ser expuestos a la descarga, p. ej. con el propósito de sufrir un examen o tratamiento (H01J 33/00, H01J 40/00, H01J 41/00, H01J 47/00, H01J 49/00 tienen prioridad). › Tubos de descarga en atmósfera gaseosa (calefacción por descarga H05B).

PDF original: ES-2801850_T3.pdf

 

Reactor modular para la deposición asistida por plasma de microondas.

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