Aparato y método para el procesamiento de texturizado.

Aparato para el procesamiento de texturizado que comprende:

- una fuente de gas de entrada (2);



- una fuente de energía adecuada para excitar el gas de entrada (2) y para generar un plasma (20) en una región de plasma; y

- un portamuestras (12) configurado para recibir una muestra sólida (5), y dispuesto de tal modo que, en uso, esté puesto a tierra;

en el que el aparato comprende:

- una máscara (4) dispuesta entre la región de plasma y el portamuestras (12), teniendo la máscara (4) una primera cara (45) orientada hacia la región de plasma y una segunda cara (46) orientada hacia una superficie (51) de la muestra sólida (5) que se va a procesar, comprendiendo, en uso, la máscara (4) al menos una abertura de máscara (40, 43, 44) que se extiende a través de la máscara desde la primera cara hasta la segunda cara, en el que la máscara (4) comprende una parte eléctricamente conductora en la primera cara (45), una parte eléctricamente conductora que cubre parcial o totalmente las paredes laterales de la abertura de máscara (40, 43, 44) y en el que la segunda cara (46) de la máscara comprende una parte eléctricamente aislante, estando adaptada la parte eléctricamente aislante de la segunda cara (46) de la máscara (4) para estar en contacto con la superficie (51) de la muestra sólida (5) que se va a procesar, en uso, y

- una fuente de alimentación eléctrica (16) adaptada para aplicar una tensión de polarización no nula de corriente continua a la máscara, estando colocada la máscara (4) a una distancia (D2) menor que una distancia umbral desde la superficie (51) de la muestra sólida (5) para prevenir, en uso, la generación de plasma entre la máscara (4) y la muestra sólida (5), y estando dimensionada y conformada dicha abertura de máscara (40, 43, 44) para generar, en uso, un procesamiento de texturizado espacialmente selectivo al seleccionar y enfocar los iones del plasma (20) en la superficie (51) de la muestra sólida (5).

Tipo: Patente Europea. Resumen de patente/invención. Número de Solicitud: E17305586.

Solicitante: Total SA.

Nacionalidad solicitante: Francia.

Dirección: 2 place Jean Millier, La Défense 6 92400 Courbevoie FRANCIA.

Inventor/es: JOHNSON,ERIK, BRUNEAU,BASTIEN, BULKIN,PAVEL, HABKA,NADA, POULAIN,GILLES, BENMAMMAR,NACIB.

Fecha de Publicación: .

Clasificación Internacional de Patentes:

  • C23C14/04 SECCION C — QUIMICA; METALURGIA.C23 REVESTIMIENTO DE MATERIALES METALICOS; REVESTIMIENTO DE MATERIALES CON MATERIALES METALICOS; TRATAMIENTO QUIMICO DE LA SUPERFICIE; TRATAMIENTO DE DIFUSION DE MATERIALES METALICOS; REVESTIMIENTO POR EVAPORACION EN VACIO, POR PULVERIZACION CATODICA, POR IMPLANTACION DE IONES O POR DEPOSICION QUIMICA EN FASE VAPOR, EN GENERAL; MEDIOS PARA IMPEDIR LA CORROSION DE MATERIALES METALICOS, LAS INCRUSTACIONES, EN GENERAL.C23C REVESTIMIENTO DE MATERIALES METALICOS; REVESTIMIENTO DE MATERIALES CON MATERIALES METALICOS; TRATAMIENTO DE MATERIALES METALICOS POR DIFUSION EN LA SUPERFICIE, POR CONVERSION QUIMICA O SUSTITUCION; REVESTIMIENTO POR EVAPORACION EN VACIO, POR PULVERIZACION CATODICA, POR IMPLANTACION DE IONES O POR DEPOSICION QUIMICA EN FASE VAPOR, EN GENERAL (aplicación de líquidos o de otros materiales fluidos sobre las superficies, en general B05; fabricación de productos revestidos de metal por extrusión B21C 23/22; revestimiento metálico por unión de objetos con capas preexistentes, ver las clases apropiadas, p. ej. B21D 39/00, B23K; mecanizado del metal por acción de una fuerte concentración de corriente eléctrica sobre un objeto por medio de un electrodo B23H; metalización del vidrio C03C; metalización de piedras artificiales, cerámicas o piedras naturales C04B 41/00; pinturas, barnices, lacas C09D; esmaltado o vidriado de metales C23D; medios para impedir la corrosión de materiales metálicos, las incrustaciones, en general C23F; tratamiento de superficies metálicas o revestimiento de metales mediante electrolisis o electroforesis C25D, C25F; crecimiento de monocristales C30B; mediante metalización de textiles D06M 11/83; decoración de textiles por metalización localizada D06Q 1/04; detalles de aparatos de sonda de barrido, en general G01Q; fabricación de dispositivos semiconductores H01L; fabricación de circuitos impresos H05K). › C23C 14/00 Revestimiento por evaporación en vacío, pulverización catódica o implantación de iones del material que constituye el revestimiento (tubos de descarga provistos de medios que permiten la introducción de objetos o de un material para ser expuestos a la descarga H01J 37/00). › Revestimiento de partes determinadas de la superficie, p. ej. por medio de máscaras.
  • C23C16/04 C23C […] › C23C 16/00 Revestimiento químico por descomposición de compuestos gaseosos, no quedando productos de reacción del material de la superficie en el revestimiento, es decir, procesos de deposición química en fase vapor (pulverización catódica reactiva o evaporación reactiva en vacío C23C 14/00). › Revestimiento de partes determinadas de la superficie, p. ej. por medio de máscaras.
  • H01J37/32 SECCION H — ELECTRICIDAD.H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.H01J TUBOS DE DESCARGA ELECTRICA O LAMPARAS DE DESCARGA ELECTRICA (espinterómetros H01T; lámparas de arco, con electrodos consumibles H05B; aceleradores de partículas H05H). › H01J 37/00 Tubos de descarga provistos de medios o de un material para ser expuestos a la descarga, p. ej. con el propósito de sufrir un examen o tratamiento (H01J 33/00, H01J 40/00, H01J 41/00, H01J 47/00, H01J 49/00 tienen prioridad). › Tubos de descarga en atmósfera gaseosa (calefacción por descarga H05B).
  • H01L21/266 H01 […] › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctrica en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 21/00 Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas. › utilizando máscaras.
  • H01L21/311 H01L 21/00 […] › Grabado de las capas aislantes.
  • H01L21/3213 H01L 21/00 […] › Grabado físico o químico de las capas, p. ej. para producir una capa con una configuración determinada a partir de una capa extendida predepositada.

PDF original: ES-2773989_T3.pdf

 

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