Procedimiento para fabricar piezas con superficie grabada por iones.

Un procedimiento para fabricar piezas, estando al menos una parte de la superficie de dichas piezas grabada,

incluyendo el grabado por impacto de iones, que comprende:

• proporcionar una base (20) de carrusel que puede moverse de forma giratoria alrededor de un eje de carrusel (A20);

• proporcionar a lo largo de la periferia de y sobre dicha base (20) de carrusel al menos dos soportes (22; 22a) planetarios, cada uno que puede moverse de forma giratoria alrededor de un eje planetario (A22; A22a) paralelo a dicho eje de carrusel;

• generar una nube (CL; BI; BPL; PL) que comprenda iones y que tenga, considerado en un plano transversal perpendicular a dicho carrusel y dichos ejes planetarios, un eje central (ACL) en el centro de un área de densidad iónica máxima (ρmáx);

• dirigir dicho eje central de manera que se intersecte con dicho eje de carrusel, considerado en dicho plano de sección transversal;

• aplicar al menos una pieza a grabar en cada uno de dichos soportes planetarios, definido cada uno de dichos soportes planetarios por rotación alrededor de su eje planetario para un diámetro (Φ) con respecto a dicho eje planetario;

• establecer dicha nube que comprende iones que tiene una densidad iónica (ρ) que cae al 50% de la densidad iónica máxima de dicha nube a una distancia de dicho eje central que es como máximo igual al 50% de dicho diámetro, considerado en dicho plano de sección transversal, y en el lugar de la trayectoria del movimiento (T) de dichos ejes planetarios, para evitar que el material, que se grabe momentáneamente de las piezas en uno de dichos soportes planetarios, se vuelva a depositar en las piezas de otro de dichos soportes planetarios;

• rotar dicha base de carrusel en dichos soportes planetarios alrededor de dichos ejes respectivos;

• grabar las piezas a medida que se mueven dentro y a través de dicha nube.

Tipo: Patente Internacional (Tratado de Cooperación de Patentes). Resumen de patente/invención. Número de Solicitud: PCT/EP2009/054463.

Solicitante: Oerlikon Surface Solutions AG, Pfäffikon.

Nacionalidad solicitante: Suiza.

Dirección: Churerstrasse 120 8808 Pfäffikon SZ SUIZA.

Inventor/es: KRASSNITZER,SIEGFRIED, GSTOEHL,OLIVER, ESSELBACH,MARKUS.

Fecha de Publicación: .

Clasificación Internacional de Patentes:

  • H01J37/32 ELECTRICIDAD.H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.H01J TUBOS DE DESCARGA ELECTRICA O LAMPARAS DE DESCARGA ELECTRICA (espinterómetros H01T; lámparas de arco, con electrodos consumibles H05B; aceleradores de partículas H05H). › H01J 37/00 Tubos de descarga provistos de medios o de un material para ser expuestos a la descarga, p. ej. con el propósito de sufrir un examen o tratamiento (H01J 33/00, H01J 40/00, H01J 41/00, H01J 47/00, H01J 49/00 tienen prioridad). › Tubos de descarga en atmósfera gaseosa (calefacción por descarga H05B).
  • H01L21/00 H01 […] › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas.

PDF original: ES-2703385_T3.pdf

 

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