Proceso para la solidificación de un material fundido no metálico.
Proceso para la solidificación de un material fundido no metálico (130),
que se encuentra en un crisol (120), en el que, por medio de varios inductores (100), se generan campos magnéticos, para lo cual los inductores (100) son alimentados con un primer conjunto de corrientes alternas ( 11a, 11b, 11c, 11d) desfasadas y con una primera frecuencia (f1), de manera que mediante la superposición de campos magnéticos se genere un campo de ondas progresivas (W1) en el material fundido (130), y éste sea alimentado con al menos un segundo conjunto de corrientes alternas (12a, 12b, 12c, 12d) desfasadas con una segunda frecuencia (f2), caracterizado porque mediante la superposición del campo magnético generado con la segunda frecuencia (f2), se genera un segundo campo de ondas progresivas (W2) en el material fundido (130), que se mueve en dirección contraria al campo de ondas progresivas (W1), por lo que los dos campos de ondas progresivas generados (W1, W2) recorren el material fundido (130) en una dirección (Y) esencialmente vertical.
Tipo: Patente Internacional (Tratado de Cooperación de Patentes). Resumen de patente/invención. Número de Solicitud: PCT/EP2009/065063.
Solicitante: FORSCHUNGSVERBUND BERLIN E.V..
Nacionalidad solicitante: Alemania.
Dirección: RUDOWER CHAUSSEE 17 12489 BERLIN ALEMANIA.
Inventor/es: RUDOLPH, PETER, BÜLLESFELD,FRANK, SAHR,UWE, MILLER,WOLFRAM, REHSE,UWE, DROPKA,NATASCHA.
Fecha de Publicación: .
Clasificación Internacional de Patentes:
- C30B11/00 QUIMICA; METALURGIA. › C30 CRECIMIENTO DE CRISTALES. › C30B CRECIMIENTO DE MONOCRISTALES (por sobrepresión, p. ej. para la formación de diamantes B01J 3/06 ); SOLIDIFICACION UNIDIRECCIONAL DE MATERIALES EUTECTICOS O SEPARACION UNIDIRECCIONAL DE MATERIALES EUTECTOIDES; AFINAMIENTO DE MATERIALES POR FUSION DE ZONA (afinamiento por fusión de zona de metales o aleaciones C22B ); PRODUCCION DE MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA (colada de metales, colada de otras sustancias por los mismos procedimientos o aparatos B22D; trabajo de materias plásticas B29; modificación de la estructura física de metales o aleaciones C21D, C22F ); MONOCRISTALES O MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA; TRATAMIENTO POSTERIOR DE MONOCRISTALES O DE MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA (para la fabricación de dispositivos semiconductores o de sus partes constitutivas H01L ); APARATOS PARA ESTOS EFECTOS. › Crecimiento de monocristales por simple solidificación o en un gradiente de temperatura, p. ej. método de Bridgman-Stockbarger (C30B 13/00, C30B 15/00, C30B 17/00, C30B 19/00 tienen prioridad; bajo un fluido protector C30B 27/00).
- C30B15/30 C30B […] › C30B 15/00 Crecimiento de monocristales por estirado fuera de un baño fundido, p. ej. método de Czochralski (bajo un fluido protector C30B 27/00). › Mecanismos para hacer girar o para desplazar bien el baño fundido, bien el cristal (métodos de flotación C30B 15/28).
PDF original: ES-2402446_T3.pdf
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