Diodo de contacto-P y de emisión de luz para la gama espectral ultravioleta.

Contacto dopado con p (1) para uso en un diodo emisor de luz para la gama espectral ultravioleta,

que comprende una capa de contacto p (2) que contiene o consiste en p-AlGaN que tiene una primera superficie (A) para poner en contacto una zona de radiación y una segunda superficie (B) que comprende, en el lado opuesto a la primera superficie (A):

a) un recubrimiento (8) que contacta directamente entre el 75% y el 96% de la segunda superficie (B) de la capa de contacto p (2) y que contiene o consiste en un material que tiene una reflectividad máxima de al menos el 60% en el intervalo UV con una longitud de onda de 200 nm a 400 nm; y

b) una pluralidad de Inyectores p (5) que están dispuestos directamente sobre la segunda superficie (B) de la capa de contacto p (2),

en el que los Inyectores p (5) comprenden, además de una capa de metal de inyector p (6) que permite una conexión óhmica de la capa de contacto p (2) a una fuente de corriente y contiene o se compone de Au, Ni, Pd, Pt, Rh, Ti, Ni/Au, Pd/Ti/Au, Pd/Pt/Au o Pt/Au, una capa de inyector p adicional (7) que contiene o consiste en p-GaN o p-(In)GaN.

Tipo: Patente Internacional (Tratado de Cooperación de Patentes). Resumen de patente/invención. Número de Solicitud: PCT/EP2010/060333.

Solicitante: FORSCHUNGSVERBUND BERLIN E.V..

Nacionalidad solicitante: Alemania.

Dirección: Rudower Chaussee 17 12489 Berlin, ALEMANIA.

Inventor/es: KNEISSL,MICHAEL, WEYERS,MARKUS, EINFELDT,SVEN, RODRIGUEZ,HERNAN.

Fecha de Publicación: .

Clasificación Internacional de Patentes:

  • H01L33/38 SECCION H — ELECTRICIDAD.H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctrica en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 33/00 Dispositivos semiconductores que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie especialmente adaptados para la emisión de luz; Procesos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas; Detalles (H01L 51/50  tiene prioridad; dispositivos que consisten en una pluralidad de componentes semiconductores formados en o sobre un sustrato común y que incluyen componentes semiconductores con al menos una barrera de potencial o de superficie, especialmente adaptados para la emisión de luz H01L 27/15; láseres de semiconductor H01S 5/00). › con una forma particular.
  • H01L33/46 H01L 33/00 […] › Revestimiento reflectante, p. ej. reflector de Bragg de dieléctricos.

PDF original: ES-2641460_T3.pdf

 

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