Procedimiento para producir una metalización con capas de metalización de Ni y Au de alternancia múltiple sobre al menos una almohadilla de contacto sobre una oblea semiconductora.
Procedimiento para la producción de una metalización (40) para al menos una almohadilla de contacto (20) con las siguientes etapas de procedimiento:
- aplicar al menos una almohadilla de contacto (20) a una oblea semiconductora (10),
- aplicar una capa de barrera (30) al lado superior de la al menos una almohadilla de contacto (20),
- aplicar una metalización (40) al lado superior de la capa de barrera (30), configurándose la metalización (40) como estructura de capas de dos capas de metalización de alternancia múltiple (41, 42), configurándose la primera capa de metalización (41) de níquel con un grosor de capa de menos de 100 nm y la segunda capa de metalización (42) con un espesor de capa de entre 30 nm y 50 nm;
caracterizado porque
la capa de barrera (30) y la metalización (40) se aplican por medio de deposición física en fase de vapor, la segunda capa de metalización (42) se configura de oro y la suma de los grosores de capa de las primeras capas de metalización (41) es de más de 1 μm.
Tipo: Patente Internacional (Tratado de Cooperación de Patentes). Resumen de patente/invención. Número de Solicitud: PCT/EP2010/053553.
Solicitante: FORSCHUNGSVERBUND BERLIN E.V..
Nacionalidad solicitante: Alemania.
Dirección: RUDOWER CHAUSSEE 17 12489 BERLIN ALEMANIA.
Inventor/es: SIDOROV,VICTOR, ZHYTNYTSKA,RIMMA, WUERFL,JOACHIM.
Fecha de Publicación: .
Clasificación Internacional de Patentes:
- H01L21/60 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 21/00 Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas. › Fijación de hilos de conexión o de otras piezas conductoras, para conducir la corriente hacia o desde el dispositivo durante su funcionamiento.
- H01L23/485 H01L […] › H01L 23/00 Detalles de dispositivos semiconductores o de otros dispositivos de estado sólido (H01L 25/00 tiene prioridad). › formadas por estructuras laminares que comprenden capas conductoras y aislantes, p. ej. contactos planares.
PDF original: ES-2818349_T3.pdf
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