Procedimiento y dispositivo de tratamiento de la superficie libre de un material.
Procedimiento de tratamiento de una superficie libre de un material,
que comprende una etapa (E1) de emisión de al menos un primer flujo gaseoso (QL1pur-QL4pur y QCpur), una etapa (E2) de barrido de la superficie libre del material por el primer flujo (QL1pur-QL4pur y QCpur) seguida por una etapa (E3) de evacuación del primer flujo por al menos una zona de evacuación (103a-103d), caracterizado por que comprende, simultáneamente a la etapa (E1) de emisión del primer flujo (QL1pur-QL4pur y QCpur), una etapa (E4) de emisión de al menos un segundo flujo gaseoso (Qapro-Qdpro) formando una cubierta de protección por encima de la superficie libre del material (15), separada de dicha superficie libre y una etapa (E6) de evacuación del segundo flujo gaseoso (Qapro-Qdpro) por una parte superior de dicha zona de evacuación (103a-103d) de un recipiente (10), siendo evacuado dicho primer flujo (QL1pur-QL4pur y QCpur) a través de una parte inferior de la zona de evacuación (103a-103d), estando contenido el material en un recipiente provisto de al menos una abertura de evacuación, siendo evacuado el segundo flujo a través de una parte superior de dicha abertura de evacuación y siendo evacuado el primer flujo a través de una parte inferior restante de la abertura de evacuación, ocupando dicha parte superior de la abertura de evacuación (103a-103d) entre un 50 % y un 80 % de la altura total de la abertura (103a-103d).
Tipo: Patente Internacional (Tratado de Cooperación de Patentes). Resumen de patente/invención. Número de Solicitud: PCT/EP2014/066173.
Solicitante: COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES.
Inventor/es: ALBARIC,MICKAËL, CHAMPLIAUD,JONATHAN, PATATUT,LOIC.
Fecha de Publicación: .
Clasificación Internacional de Patentes:
- C30B11/00 QUIMICA; METALURGIA. › C30 CRECIMIENTO DE CRISTALES. › C30B CRECIMIENTO DE MONOCRISTALES (por sobrepresión, p. ej. para la formación de diamantes B01J 3/06 ); SOLIDIFICACION UNIDIRECCIONAL DE MATERIALES EUTECTICOS O SEPARACION UNIDIRECCIONAL DE MATERIALES EUTECTOIDES; AFINAMIENTO DE MATERIALES POR FUSION DE ZONA (afinamiento por fusión de zona de metales o aleaciones C22B ); PRODUCCION DE MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA (colada de metales, colada de otras sustancias por los mismos procedimientos o aparatos B22D; trabajo de materias plásticas B29; modificación de la estructura física de metales o aleaciones C21D, C22F ); MONOCRISTALES O MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA; TRATAMIENTO POSTERIOR DE MONOCRISTALES O DE MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA (para la fabricación de dispositivos semiconductores o de sus partes constitutivas H01L ); APARATOS PARA ESTOS EFECTOS. › Crecimiento de monocristales por simple solidificación o en un gradiente de temperatura, p. ej. método de Bridgman-Stockbarger (C30B 13/00, C30B 15/00, C30B 17/00, C30B 19/00 tienen prioridad; bajo un fluido protector C30B 27/00).
- C30B29/06 C30B […] › C30B 29/00 Monocristales o materiales policristalinos homogéneos de estructura determinada caracterizados por los materiales o por su forma. › Silicio.
- C30B29/16 C30B 29/00 […] › Oxidos.
PDF original: ES-2755899_T3.pdf
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