Procedimiento y dispositivo de tratamiento de la superficie libre de un material.

Procedimiento de tratamiento de una superficie libre de un material,

que comprende una etapa (E1) de emisión de al menos un primer flujo gaseoso (QL1pur-QL4pur y QCpur), una etapa (E2) de barrido de la superficie libre del material por el primer flujo (QL1pur-QL4pur y QCpur) seguida por una etapa (E3) de evacuación del primer flujo por al menos una zona de evacuación (103a-103d), caracterizado por que comprende, simultáneamente a la etapa (E1) de emisión del primer flujo (QL1pur-QL4pur y QCpur), una etapa (E4) de emisión de al menos un segundo flujo gaseoso (Qapro-Qdpro) formando una cubierta de protección por encima de la superficie libre del material (15), separada de dicha superficie libre y una etapa (E6) de evacuación del segundo flujo gaseoso (Qapro-Qdpro) por una parte superior de dicha zona de evacuación (103a-103d) de un recipiente (10), siendo evacuado dicho primer flujo (QL1pur-QL4pur y QCpur) a través de una parte inferior de la zona de evacuación (103a-103d), estando contenido el material en un recipiente provisto de al menos una abertura de evacuación, siendo evacuado el segundo flujo a través de una parte superior de dicha abertura de evacuación y siendo evacuado el primer flujo a través de una parte inferior restante de la abertura de evacuación, ocupando dicha parte superior de la abertura de evacuación (103a-103d) entre un 50 % y un 80 % de la altura total de la abertura (103a-103d).

Tipo: Patente Internacional (Tratado de Cooperación de Patentes). Resumen de patente/invención. Número de Solicitud: PCT/EP2014/066173.

Solicitante: COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES.

Inventor/es: ALBARIC,MICKAËL, CHAMPLIAUD,JONATHAN, PATATUT,LOIC.

Fecha de Publicación: .

Clasificación Internacional de Patentes:

  • C30B11/00 SECCION C — QUIMICA; METALURGIA.C30 CRECIMIENTO DE CRISTALES.C30B CRECIMIENTO DE MONOCRISTALES (por sobrepresión, p. ej. para la formación de diamantes B01J 3/06 ); SOLIDIFICACION UNIDIRECCIONAL DE MATERIALES EUTECTICOS O SEPARACION UNIDIRECCIONAL DE MATERIALES EUTECTOIDES; AFINAMIENTO DE MATERIALES POR FUSION DE ZONA (afinamiento por fusión de zona de metales o aleaciones C22B ); PRODUCCION DE MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA (colada de metales, colada de otras sustancias por los mismos procedimientos o aparatos B22D; trabajo de materias plásticas B29; modificación de la estructura física de metales o aleaciones C21D, C22F ); MONOCRISTALES O MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA; TRATAMIENTO POSTERIOR DE MONOCRISTALES O DE MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA (para la fabricación de dispositivos semiconductores o de sus partes constitutivas H01L ); APARATOS PARA ESTOS EFECTOS. › Crecimiento de monocristales por simple solidificación o en un gradiente de temperatura, p. ej. método de Bridgman-Stockbarger (C30B 13/00, C30B 15/00, C30B 17/00, C30B 19/00 tienen prioridad; bajo un fluido protector C30B 27/00).
  • C30B29/06 C30B […] › C30B 29/00 Monocristales o materiales policristalinos homogéneos de estructura determinada caracterizados por los materiales o por su forma. › Silicio.
  • C30B29/16 C30B 29/00 […] › Oxidos.

PDF original: ES-2755899_T3.pdf

 

Patentes similares o relacionadas:

Procedimiento de purificación del silicio, del 6 de Noviembre de 2019, de COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES: Procedimiento de purificación del silicio que comprende por lo menos las etapas que consisten en: a) disponer de un recipiente que comprende […]

Imagen de 'Crisol reutilizable para la fabricación de material cristalino'Crisol reutilizable para la fabricación de material cristalino, del 24 de Julio de 2019, de COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES: Crisol para la fabricación de un lingote de silicio por solidificación que comporta un fondo y paredes laterales formadas al menos […]

Procedimiento para el crecimiento de monocristales de la fase beta de óxido de galio (beta-Ga2O3) a partir de la masa fundida contenida dentro de un crisol metálico controlando la presión parcial de O2, del 26 de Junio de 2019, de FORSCHUNGSVERBUND BERLIN E.V.: Procedimiento para el crecimiento de monocristales de la fase beta de óxido de galio (b-Ga2O3) a partir de la masa fundida contenida en un crisol metálico, que comprende […]

Crisol para la solidificación direccional de silicio multicristalino o casi-monocristalino por recogida de gérmenes, del 13 de Mayo de 2019, de COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES: Crisol para la solidificación direccional de un lingote de silicio, comprendiendo dicho crisol un molde destinado a recibir silicio en fusión, y un elemento […]

Rellenado secuencial de molde, del 5 de Marzo de 2019, de HOWMET CORPORATION: Un método de fundición de aleación o metal líquido, que comprende suministrar una masa fundida de aleación o metal a una pluralidad de moldes que se conectan […]

Imagen de 'Método y aparato para refinar un material fundido'Método y aparato para refinar un material fundido, del 20 de Febrero de 2019, de REC Solar Norway AS: Un método de refinado y solidificación direccional de silicio para formar un lingote de silicio , que comprende las etapas de: formar una masa fundida del […]

Procedimientos de fabricación de cuerpos semiconductores delgados a partir de material fundido, del 10 de Septiembre de 2018, de 1366 Technologies Inc: Procedimiento de fabricación de un cuerpo semiconductor, comprendiendo el procedimiento las etapas de: a. proporcionar un material semiconductor […]

SISTEMA PARA CRECIMIENTO DE MONOCRISTALES SEMICONDUCTORES MEDIANTE VELOCIDAD DE CRECIMIENTO VARIABLE, del 29 de Diciembre de 2011, de UNIVERSIDAD AUTONOMA DE MADRID: Sistema para crecimiento de monocristales semiconductores mediante velocidad de crecimiento variable.La presente invención describe un aparato […]

Utilizamos cookies para mejorar nuestros servicios y mostrarle publicidad relevante. Si continua navegando, consideramos que acepta su uso. Puede obtener más información aquí. .