INSTALACION DE CRECIMIENTO DE CRISTALES.
Instalación de crecimiento de cristales, en particular instalación de crecimiento de cristales semiconductores,
con un crisol (11, 21) que puede ser calentado para una masa fundida (13, 23) y una disposición de bobinas colocada coaxial con el crisol para generar un campo magnético en la masa fundida (13, 23), comprendiendo la disposición de bobinas tres o más bobinas, que están colocadas unas sobre otras en dirección axial y que en cada caso están atacadas con una tensión alterna, estando la tensión alterna aplicada a una bobina desplazada en fase con respecto a la tensión alterna aplicada a la bobina adyacente, caracterizada porque las bobinas están formadas por un cuerpo cilíndrico hueco (1) de un material eléctricamente conductor, formando éste mediante una ranura múltiples veces circular (2) un camino de corriente circular de una sola capa en forma de espiral, el cual mediante puntos de contacto (3, 4, 5, 6) que pueden conectarse al suministro de tensión está subdividido en secciones, que en cada caso forman una bobina
Tipo: Resumen de patente/invención. Número de Solicitud: W04002373DE.
Solicitante: CRYSTAL GROWING SYSTEMS GMBH.
Nacionalidad solicitante: Alemania.
Dirección: EMMELIUSSTRASSE 33,35614 ASSLAR.
Inventor/es: MUHE,ANDREAS, ALTEKRUGER,BURKHARD, VONHOFF,AXEL.
Fecha de Publicación: .
Fecha Concesión Europea: 1 de Julio de 2009.
Clasificación Internacional de Patentes:
- C30B11/00 QUIMICA; METALURGIA. › C30 CRECIMIENTO DE CRISTALES. › C30B CRECIMIENTO DE MONOCRISTALES (por sobrepresión, p. ej. para la formación de diamantes B01J 3/06 ); SOLIDIFICACION UNIDIRECCIONAL DE MATERIALES EUTECTICOS O SEPARACION UNIDIRECCIONAL DE MATERIALES EUTECTOIDES; AFINAMIENTO DE MATERIALES POR FUSION DE ZONA (afinamiento por fusión de zona de metales o aleaciones C22B ); PRODUCCION DE MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA (colada de metales, colada de otras sustancias por los mismos procedimientos o aparatos B22D; trabajo de materias plásticas B29; modificación de la estructura física de metales o aleaciones C21D, C22F ); MONOCRISTALES O MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA; TRATAMIENTO POSTERIOR DE MONOCRISTALES O DE MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA (para la fabricación de dispositivos semiconductores o de sus partes constitutivas H01L ); APARATOS PARA ESTOS EFECTOS. › Crecimiento de monocristales por simple solidificación o en un gradiente de temperatura, p. ej. método de Bridgman-Stockbarger (C30B 13/00, C30B 15/00, C30B 17/00, C30B 19/00 tienen prioridad; bajo un fluido protector C30B 27/00).
- C30B15/14 C30B […] › C30B 15/00 Crecimiento de monocristales por estirado fuera de un baño fundido, p. ej. método de Czochralski (bajo un fluido protector C30B 27/00). › Calentamiento del baño fundido o del material cristalizado.
- C30B15/30 C30B 15/00 […] › Mecanismos para hacer girar o para desplazar bien el baño fundido, bien el cristal (métodos de flotación C30B 15/28).
Clasificación PCT:
- H01L21/20 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 21/00 Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas. › Depósito de materiales semiconductores sobre un sustrato, p. ej. crecimiento epitaxial.
Clasificación antigua:
- H01L21/20 H01L 21/00 […] › Depósito de materiales semiconductores sobre un sustrato, p. ej. crecimiento epitaxial.
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