UN HORNO DE CAMPO MAGNETICO Y SU METODO DE UTILIZACION PARA FABRICAR CRISTALES DE ESTRUCTURA DENDRITICA.
Un aparato para fabricar un cristal de estructura dendrítica, incluyendo:
a) una cámara (100); b) un conjunto de equipo de crecimiento (142) situado en dicha cámara (100), utilizándose dicho conjunto de equipo de crecimiento (142) para cultivar un cristal de estructura dendrítica; y c) un generador de campo magnético rodeando el perímetro de dicha cámara (100), utilizándose dicho generador de campo magnético para obtener un campo magnético en una dirección vertical durante el crecimiento, donde dicho generador de campo magnético incluye un conjunto en espiral (112) rodeando dicho perímetro de dicha cámara (100); caracterizado por: d) una chapa de enfriamiento (116A) en comunicación térmica con dicho conjunto en espiral (112), y por e) una envuelta (120) para contener esencialmente dicho campo magnético dentro de dicha cámara (100) donde dicha envuelta (120) incluye un cuerpo de vaina (122) que tiene una pestaña superior (124) que se extiende desde un extremo del cuerpo de vaina (122) y una pestaña base (126) enfrente de dicha pestaña superior (124) y encerrando el otro extremo de dicho cuerpo de vaina (122) y donde dicha envuelta (120) incluye además un elemento de fijación de campo (130) dispuesto dentro de dicha cámara (100)
Tipo: Resumen de patente/invención.
Solicitante: EBARA SOLAR, INC.
Nacionalidad solicitante: Estados Unidos de América.
Dirección: 13 AIRPORT ROAD,BELLE VERNON, PA 15012.
Inventor/es: GLAVISH, HILTON, F., ISOZAKI, HIDEYUKI, MAISHIGI, KEIJI, FUJITA, KENTARO.
Fecha de Publicación: .
Fecha Solicitud PCT: 28 de Diciembre de 2001.
Fecha Concesión Europea: 22 de Marzo de 2006.
Clasificación Internacional de Patentes:
- C30B15/00 QUIMICA; METALURGIA. › C30 CRECIMIENTO DE CRISTALES. › C30B CRECIMIENTO DE MONOCRISTALES (por sobrepresión, p. ej. para la formación de diamantes B01J 3/06 ); SOLIDIFICACION UNIDIRECCIONAL DE MATERIALES EUTECTICOS O SEPARACION UNIDIRECCIONAL DE MATERIALES EUTECTOIDES; AFINAMIENTO DE MATERIALES POR FUSION DE ZONA (afinamiento por fusión de zona de metales o aleaciones C22B ); PRODUCCION DE MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA (colada de metales, colada de otras sustancias por los mismos procedimientos o aparatos B22D; trabajo de materias plásticas B29; modificación de la estructura física de metales o aleaciones C21D, C22F ); MONOCRISTALES O MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA; TRATAMIENTO POSTERIOR DE MONOCRISTALES O DE MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA (para la fabricación de dispositivos semiconductores o de sus partes constitutivas H01L ); APARATOS PARA ESTOS EFECTOS. › Crecimiento de monocristales por estirado fuera de un baño fundido, p. ej. método de Czochralski (bajo un fluido protector C30B 27/00).
- C30B15/30 C30B […] › C30B 15/00 Crecimiento de monocristales por estirado fuera de un baño fundido, p. ej. método de Czochralski (bajo un fluido protector C30B 27/00). › Mecanismos para hacer girar o para desplazar bien el baño fundido, bien el cristal (métodos de flotación C30B 15/28).
Países PCT: Austria, Bélgica, Suiza, Alemania, Dinamarca, España, Francia, Reino Unido, Grecia, Italia, Liechtensein, Luxemburgo, Países Bajos, Suecia, Mónaco, Portugal, Irlanda, Eslovenia, Finlandia, Rumania, Chipre, Oficina Europea de Patentes, Lituania, Letonia, Ex República Yugoslava de Macedonia, Albania, Armenia, Azerbayán, Bielorusia, Ghana, Gambia, Kenya, Kirguistán, Kazajstán, Lesotho, República del Moldova, Malawi, Mozambique, Federación de Rusia, Sudán, Sierra Leona, Tayikistán, Turkmenistán, República Unida de Tanzania, Uganda, Zimbabwe, Burkina Faso, Benin, República Centroafricana, Congo, Costa de Marfil, Camerún, Gabón, Guinea, Malí, Mauritania, Niger, Senegal, Chad, Togo, Zambia, Organización Regional Africana de la Propiedad Industrial, Swazilandia, Guinea-Bissau, Guinea Ecuatorial, Organización Africana de la Propiedad Intelectual, Organización Eurasiática de Patentes.
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