Método y aparato para refinar un material fundido.

Un método de refinado y solidificación direccional de silicio para formar un lingote de silicio (29),

que comprende las etapas de: formar una masa fundida del silicio en un recipiente (11) que comprende paredes (13) y un fondo (12); poner en contacto una capa de contacto de una placa de contacto de temperatura controlada con la superficie de la masa fundida (18), comprendiendo dicha placa de contacto de temperatura controlada una capa conductora de calor (64) en contacto operativo con medios de refrigeración (65), una capa calentada (61) localizada entre una primera capa intermedia (62) y una segunda capa intermedia (63) debajo de la capa conductora de calor (64) y estando la capa de contacto adherida a la segunda capa intermedia (63), no teniendo contacto dicha placa de contacto de temperatura controlada con las paredes (13) del recipiente, lo que permite que el material fundido solidifique y se adhiera a la placa de contacto; y el silicio fundido solidifique progresivamente hacia abajo para formar el lingote sólido (29) del silicio que se adhiere a la placa de contacto.

Tipo: Patente Internacional (Tratado de Cooperación de Patentes). Resumen de patente/invención. Número de Solicitud: PCT/NO2006/000174.

Solicitante: REC Solar Norway AS.

Inventor/es: FRIESTAD, KENNETH.

Fecha de Publicación: .

Clasificación Internacional de Patentes:

  • C30B11/00 SECCION C — QUIMICA; METALURGIA.C30 CRECIMIENTO DE CRISTALES.C30B CRECIMIENTO DE MONOCRISTALES (por sobrepresión, p. ej. para la formación de diamantes B01J 3/06 ); SOLIDIFICACION UNIDIRECCIONAL DE MATERIALES EUTECTICOS O SEPARACION UNIDIRECCIONAL DE MATERIALES EUTECTOIDES; AFINAMIENTO DE MATERIALES POR FUSION DE ZONA (afinamiento por fusión de zona de metales o aleaciones C22B ); PRODUCCION DE MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA (colada de metales, colada de otras sustancias por los mismos procedimientos o aparatos B22D; trabajo de materias plásticas B29; modificación de la estructura física de metales o aleaciones C21D, C22F ); MONOCRISTALES O MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA; TRATAMIENTO POSTERIOR DE MONOCRISTALES O DE MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA (para la fabricación de dispositivos semiconductores o de sus partes constitutivas H01L ); APARATOS PARA ESTOS EFECTOS. › Crecimiento de monocristales por simple solidificación o en un gradiente de temperatura, p. ej. método de Bridgman-Stockbarger (C30B 13/00, C30B 15/00, C30B 17/00, C30B 19/00 tienen prioridad; bajo un fluido protector C30B 27/00).
  • C30B29/06 C30B […] › C30B 29/00 Monocristales o materiales policristalinos homogéneos de estructura determinada caracterizados por los materiales o por su forma. › Silicio.

PDF original: ES-2723750_T3.pdf

 

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