Procedimiento de purificación del silicio.
Procedimiento de purificación del silicio que comprende por lo menos las etapas que consisten en:
a) disponer de un recipiente (1) que comprende silicio (10) en estado fundido, presentando el recipiente (1) un eje (X) longitudinal y definiendo el silicio (10) en estado fundido por el lado opuesto al fondo (4) del recipiente (1) una superficie libre (11),
b) imponer al silicio (10) en estado fundido unas condiciones propicias para su solidificación, siendo la velocidad media temporal sobre la duración de la etapa b) de propagación del frente (13) de solidificación del silicio, medida a lo largo del eje (X) longitudinal del recipiente (1), superior o igual a 5 mm/s y preferentemente a 10 mm/s,
estando dicho procedimiento caracterizado por que por lo menos un sistema de agitación (30) impone, durante la totalidad o parte de la etapa b), un flujo de silicio (10) en estado fundido de número de Reynolds comprendido entre 3 104 y 3 106 y preferentemente entre 105 y 106.
Tipo: Patente Internacional (Tratado de Cooperación de Patentes). Resumen de patente/invención. Número de Solicitud: PCT/IB2013/050275.
Solicitante: COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES.
Inventor/es: GARANDET,JEAN-PAUL, PIHAN,ETIENNE, ALBARIC,MICKAËL, CHAVRIER,DENIS, AUDOIN,CLAIRE.
Fecha de Publicación: .
Clasificación Internacional de Patentes:
- C01B33/037 QUIMICA; METALURGIA. › C01 QUIMICA INORGANICA. › C01B ELEMENTOS NO METALICOS; SUS COMPUESTOS (procesos de fermentación o procesos que utilizan enzimas para la preparación de elementos o de compuestos inorgánicos excepto anhídrido carbónico C12P 3/00; producción de elementos no metálicos o de compuestos inorgánicos por electrólisis o electroforesis C25B). › C01B 33/00 Silicio; Sus compuestos (C01B 21/00, C01B 23/00 tienen prioridad; persilicatos C01B 15/14; carburos C01B 32/956). › Purificación (por fusión de zona C30B 13/00).
- C30B11/00 C […] › C30 CRECIMIENTO DE CRISTALES. › C30B CRECIMIENTO DE MONOCRISTALES (por sobrepresión, p. ej. para la formación de diamantes B01J 3/06 ); SOLIDIFICACION UNIDIRECCIONAL DE MATERIALES EUTECTICOS O SEPARACION UNIDIRECCIONAL DE MATERIALES EUTECTOIDES; AFINAMIENTO DE MATERIALES POR FUSION DE ZONA (afinamiento por fusión de zona de metales o aleaciones C22B ); PRODUCCION DE MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA (colada de metales, colada de otras sustancias por los mismos procedimientos o aparatos B22D; trabajo de materias plásticas B29; modificación de la estructura física de metales o aleaciones C21D, C22F ); MONOCRISTALES O MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA; TRATAMIENTO POSTERIOR DE MONOCRISTALES O DE MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA (para la fabricación de dispositivos semiconductores o de sus partes constitutivas H01L ); APARATOS PARA ESTOS EFECTOS. › Crecimiento de monocristales por simple solidificación o en un gradiente de temperatura, p. ej. método de Bridgman-Stockbarger (C30B 13/00, C30B 15/00, C30B 17/00, C30B 19/00 tienen prioridad; bajo un fluido protector C30B 27/00).
- C30B29/06 C30B […] › C30B 29/00 Monocristales o materiales policristalinos homogéneos de estructura determinada caracterizados por los materiales o por su forma. › Silicio.
PDF original: ES-2766831_T3.pdf
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