Crisol para la solidificación direccional de silicio multicristalino o casi-monocristalino por recogida de gérmenes.

Crisol para la solidificación direccional de un lingote de silicio,

comprendiendo dicho crisol un molde (1) destinado a recibir silicio en fusión, y un elemento amovible (5) que forma barrera de difusión con las impurezas metálicas y dispuesto en el fondo (4) de la cara interna de dicho molde, estando formado el elemento amovible en todo o en parte por una capa barrera formada por al menos un material seleccionado del grupo constituido por la sílice SiO2, el nitruro de silicio Si3N4, el carburo de silicio SiC, el carbonitruro de silicio, el oxinitruro de silicio, el grafito y sus mezclas y que presenta una pureza de al menos un 99,95% en masa, presentando la capa barrera un grosor propicio para la retención de las impurezas susceptibles de difundirse fuera del fondo (4) durante la solidificación direccional y el enfriamiento del silicio, estando al cavidad del molde recubierta de un revestimiento anti-adherente (7) ventajosamente de nitruro de silicio de la cual al menos una parte se intercala entre el elemento amovible (5) y el fondo de la cavidad.

Tipo: Patente Internacional (Tratado de Cooperación de Patentes). Resumen de patente/invención. Número de Solicitud: PCT/EP2015/071757.

Solicitante: COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES.

Nacionalidad solicitante: Francia.

Dirección: 25, rue Leblanc, Bâtiment "Le Ponant D" 75015 Paris FRANCIA.

Inventor/es: Ponthenier,Damien, DREVET,BÉATRICE, JOUINI,ANIS, PLASSAT,NELLY, LAURENT,JULIEN.

Fecha de Publicación: .

Clasificación Internacional de Patentes:

  • C30B11/00 SECCION C — QUIMICA; METALURGIA.C30 CRECIMIENTO DE CRISTALES.C30B CRECIMIENTO DE MONOCRISTALES (por sobrepresión, p. ej. para la formación de diamantes B01J 3/06 ); SOLIDIFICACION UNIDIRECCIONAL DE MATERIALES EUTECTICOS O SEPARACION UNIDIRECCIONAL DE MATERIALES EUTECTOIDES; AFINAMIENTO DE MATERIALES POR FUSION DE ZONA (afinamiento por fusión de zona de metales o aleaciones C22B ); PRODUCCION DE MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA (colada de metales, colada de otras sustancias por los mismos procedimientos o aparatos B22D; trabajo de materias plásticas B29; modificación de la estructura física de metales o aleaciones C21D, C22F ); MONOCRISTALES O MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA; TRATAMIENTO POSTERIOR DE MONOCRISTALES O DE MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA (para la fabricación de dispositivos semiconductores o de sus partes constitutivas H01L ); APARATOS PARA ESTOS EFECTOS. › Crecimiento de monocristales por simple solidificación o en un gradiente de temperatura, p. ej. método de Bridgman-Stockbarger (C30B 13/00, C30B 15/00, C30B 17/00, C30B 19/00 tienen prioridad; bajo un fluido protector C30B 27/00).
  • C30B29/06 C30B […] › C30B 29/00 Monocristales o materiales policristalinos homogéneos de estructura determinada caracterizados por los materiales o por su forma. › Silicio.

PDF original: ES-2712407_T3.pdf

 

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