DISPOSITIVOS Y CIRCUITOS NANOELECTRICOS.
Componente (130; 160) de circuito electrónico, que comprende un sustrato que soporta portadores de carga móviles,
medios (8; 60; 70; 80; 114) de barrera aislantes alargados de división formados en la superficie del sustrato de manera que se definen zonas de sustrato primera (10; 50; 102; 154; 156) y segunda (12; 52; 54; 100; 104; 158) sobre cualquier lado de dichos medios de barrera, comprendiendo dichos medios de barrera una abertura, incluyendo además los medios de barrera barreras (16; 18; 66; 68; 82; 84; 120; 122; 174; 176) aislantes alargadas primera y segunda que se extienden desde los bordes de la abertura en la segunda zona (12; 52; 54; 100; 104; 158) de sustrato y que están situadas próximas entre sí pero separadas por una cantidad predeterminada para proporcionar un canal (20; 62; 64; 86; 88; 116; 118; 182; 184) alargado que se extiende entre las zonas de sustrato primera y segunda con un ancho predeterminado, que proporciona una trayectoria de flujo de portadores de carga en el sustrato desde la primera zona (10; 50; 102; 154; 156) de sustrato hacia la segunda zona (12; 52; 54; 100; 104; 158) de sustrato, y en el que dicho ancho predeterminado de dicho canal alargado es de tal manera que cuando se aplica una diferencia de voltaje entre dichas zonas de sustrato primera (10; 50; 102; 154; 156) y segunda (12; 52; 54; 100; 104; 158) tal como para provocar el flujo de dichos portadores de carga móviles a través de dicho canal (20; 62; 64; 86; 88; 116; 118; 182; 184) alargado, el voltaje existente en la segunda zona de sustrato influye, a través de dichas barreras (16; 18; 66; 68; 82; 84; 120; 122; 174; 176) aislantes primera y segunda, en el tamaño de las regiones de agotamiento existentes dentro de dicho canal alargado, por los que las características de conductividad del canal dependen de dicha diferencia de voltaje.
Tipo: Resumen de patente/invención.
Solicitante: BTG INTERNATIONAL LIMITED.
Nacionalidad solicitante: Reino Unido.
Dirección: 10 FLEET PLACE, LIMEBURNER LANE,LONDON EC4M 7SB.
Inventor/es: SONG,AIMIN, OMLING,PAR.
Fecha de Publicación: .
Clasificación PCT:
- H01L21/329 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 21/00 Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas. › teniendo los dispositivos uno o dos electrodos, p. ej. diodos.
- H01L21/331 H01L 21/00 […] › Transistores.
- H01L21/334 H01L 21/00 […] › Procedimientos que comportan varias etapas para la fabricación de dispositivos de tipo unipolar.
- H01L21/335 H01L 21/00 […] › Transistores de efecto de campo.
- H01L21/8234 H01L 21/00 […] › Tecnología MIS.
- H01L27/06 H01L […] › H01L 27/00 Dispositivos que consisten en una pluralidad de componentes semiconductores o de otros componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común (detalles H01L 23/00, H01L 29/00 - H01L 51/00; conjuntos que consisten en una pluralidad de dispositivos de estado sólido individuales H01L 25/00). › con una pluralidad de componentes individuales en una configuración no repetitiva.
- H01L27/14 H01L 27/00 […] › con componentes semiconductores sensibles a los rayos infrarrojos, a la luz, a la radiación electromagnética de ondas más cortas o a la radiación corpuscular, y adaptados para convertir la energía de tales radiaciones en energía eléctrica, o bien como dispositivos de control de la energía eléctrica por tales radiaciones (componentes sensibles a las radiaciones asociados estructuralmente a una o varias fuentes de luz eléctrica H01L 31/14; dispositivos de acoplamiento de guías de luz con elementos opto-electrónicos G02B 6/42).
- H01L29/06 H01L […] › H01L 29/00 Dispositivos semiconductores adaptados a la rectificación, amplificación, generación de oscilaciones o a la conmutación que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie; Condensadores o resistencias, que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie, p. ej. unión PN, región de empobrecimiento, o región de concentración de portadores de carga; Detalles de cuerpos semiconductores o de sus electrodos (H01L 31/00 - H01L 47/00, H01L 51/05 tienen prioridad; otros detalles de los cuerpos semiconductores o de sus electrodos H01L 23/00; consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común H01L 27/00). › caracterizados por su forma; caracterizado por las formas, las dimensiones relativas o las disposiciones de las regiones semiconductoras.
- H01L29/739 H01L 29/00 […] › controlados por efecto de campo.
- H01L29/772 H01L 29/00 […] › Transistores de efecto de campo.
- H01L29/775 H01L 29/00 […] › con un canal unidimensional de gas de portadores de carga, p. ej. FET de hilo cuántico.
- H01L29/80 H01L 29/00 […] › estando producido el efecto de campo por una puerta de unión PN u otra unión rectificadora.
- H01L29/861 H01L 29/00 […] › Diodos.
- H01L31/10 H01L […] › H01L 31/00 Dispositivos semiconductores sensibles a la radiación infrarroja, a la luz, a la radiación electromagnética de ondas más cortas, o a la radiación corpuscular, y adaptados bien para la conversión de la energía de tales radiaciones en energía eléctrica, o bien para el control de la energía eléctrica por dicha radiación; Procesos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o el tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas; Sus detalles (H01L 51/42 tiene prioridad; dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común, diferentes a las combinaciones de componentes sensibles a la radiación con una o varias fuentes de luz eléctrica H01L 27/00). › caracterizados por al menos una barrera de potencial o una barrera de superficie, p. ej. fototransistores.
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