CIP-2021 : H01L 29/861 : Diodos.
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H ELECTRICIDAD.
H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.
H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación).
H01L 29/00 Dispositivos semiconductores adaptados a la rectificación, amplificación, generación de oscilaciones o a la conmutación que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie; Condensadores o resistencias, que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie, p. ej. unión PN, región de empobrecimiento, o región de concentración de portadores de carga; Detalles de cuerpos semiconductores o de sus electrodos (H01L 31/00 - H01L 47/00, H01L 51/05 tienen prioridad; otros detalles de los cuerpos semiconductores o de sus electrodos H01L 23/00; consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común H01L 27/00).
H01L 29/861 · · · Diodos.
CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.
Dispositivo fotovoltaico.
(03/06/2020) Un material semiconductor que comprende:
una capa de material semiconductor del Grupo IV , no siendo el material silicio,
una capa de material semiconductor del Grupo III-V formado por al menos un tipo de átomos del Grupo III y al menos un tipo de átomos del Grupo V, y que tiene una interfaz con la capa semiconductora del Grupo IV, estando la capa de material semiconductor del grupo IV con coincidencia reticular con la capa de material semiconductor del Grupo III-V;
una capa de silicio en la interfaz entre la capa semiconductora III-V y la capa semiconductora del Grupo IV, o bien en la capa semiconductora del Grupo IV o en la capa semiconductora III-V, espaciada de la interfaz para controlar la difusión de los átomos del Grupo V en la capa semiconductora del Grupo IV,
una…
Un diodo de heterounión de metal-semiconductor-metal (MSM).
(27/05/2020). Solicitante/s: CARNEGIE MELLON UNIVERSITY. Inventor/es: LUO,YI, HUSSIN,ROZANA, CHEN,YIXUAN.
Un diodo de heterounión metal-semiconductor-metal que incluye:
dos electrodos metálicos ; y
una fina capa de semiconductor posicionada entre los dos electrodos metálicos,
en donde el grosor de la capa de semiconductor es menor o comparable a los trayectos medios libres de portadoras de carga en la capa de semiconductor, dando como resultado un transporte de portadores casi balístico a través de la capa de semiconductor,
en donde las heterouniones entre los electrodos metálicos y la capa de semiconductor del diodo de heterounión metal-semiconductor-metal incluyen las respectivas interfaces de contacto y barreras de energía en lados opuestos de la capa de semiconductor;
en donde el diodo está caracterizado por que
un lado de la capa de semiconductor en el que se forma una de las heterouniones se dopa selectivamente para hacer asimétrica la estructura de bandas del diodo de heterounión metal-semiconductor-metal.
PDF original: ES-2812524_T3.pdf
Dispositivo de transistor bipolar de compuerta aislada que comprende un transistor de efecto de campo de compuerta aislado conectado en serie con un transistor de efecto de campo de ensamblaje que tiene un contacto de drenaje modificado.
(13/12/2017) Un dispositivo transistor bipolar de puerta aislada en el que se conecta un primer transistor de efecto de campo de puerta aislada en serie con un segundo transistor de efecto de campo, FET, ,
en el que el segundo transistor de efecto de campo es un transistor de efecto de campo de unión JFET, y tiene una región de contacto de drenaje modificado que está comprendido puramente de una primera área de contacto de tipo conductividad, el primer tipo de conductividad es opuesto a un segundo tipo de conductividad de una bolsa que rodea la región de contacto de drenaje modificada,
en el que el transistor de efecto de campo de unión tiene una región (16A) de contacto de fuente…
Componente de semiconductor de potencia con capa amortiguadora.
(02/05/2012) Un componente de semiconductor con por lo menos una transición desde un primer dopado hasta un segundo dopado, una transición PN, con una secuencia de capas de una primera zona , encarada hacia una primera superficie principal (H1), con un primer dopado, una segunda zona subsiguiente con una concentración homogénea baja de un segundo dopado, una capa amortiguadora subsiguiente, la cual es la tercera zona , con un segundo dopado y una cuarta zona subsiguiente, encarada hacia la segunda superficie principal (H2) con una alta concentración del segundo dopado, en el que la concentración del segundo dopado de la capa amortiguadora en…
SEÑALIZADOR LUMINOSO EN CORRIENTE ALTERNA, PARA DISPOSITIVOS ELECTRICOS.
(01/09/2000). Ver ilustración. Solicitante/s: SIMON S.A.. Inventor/es: AUBERT CAPELLA,JOAQUIN.
1. Señalizador luminoso en corriente alterna, para dispositivos eléctricos, caracterizado esencialmente por estar constituido por dos diodos electroluminiscentes , instalados en antiparalelo, y una resistencia que provoca la caída de tensión de la red de alimentación de corriente alterna, a la tensión de uso de los diodos (del orden de 5 voltios para una intensidad de un miliamperio), de modo que se produce el encendido y apagado alternativo de ambos diodos de acuerdo con los períodos de la corriente de alimentación, los cuales, al ser en un número tan elevado por segundo, produce la impresión visual de un encendido continuo del punto lumínico de señalización, y además con una elevada luminosidad.
