Dispositivo semiconductor con estructura de terminación mejorada para aplicaciones de alto voltaje y su procedimiento de fabricación.

Un dispositivo semiconductor que comprende una estructura de terminación,

con dicho dispositivo semiconductor que comprende:

- un sustrato semiconductor (100) que tiene una región activa y una región de terminación;

- un canal de terminación (120) ubicado en la región de terminación y que se extiende desde un límite (112) de la región activa hacia un borde del sustrato semiconductor (100);

- una puerta MOS (122) formada en una pared lateral del canal de terminación (120) adyacente a dicho límite (112);

- una capa de óxido de estructura de terminación (150) formada en el canal de terminación (120) y que cubre parcialmente la puerta MOS (122);

- una primera capa conductora (170) formada en una superficie trasera del sustrato semiconductor (100); y

- una segunda capa conductora (165) formada sobre la región activa y la región de terminación, con dicha segunda capa conductora (165) que se extiende hacia el canal de terminación para cubrir la puerta MOS (122) y hacer contacto con las superficies expuestas del material conductor (123) de la puerta MOS (122);

caracterizado por que

- se forma al menos un canal de anillo de protección (111) en la región de terminación en un lado del canal de terminación (120) remoto de la región activa, estando separado el canal de terminación (120) del más cercano de al menos un canal de anillo de protección (111) solo por una mesa de material semiconductor;

- dicha capa de óxido de estructura de terminación (150) está formada en al menos un canal de anillo de protección (111);

- el al menos un canal de anillo de protección (111) está recubierto con una capa aislante (126), estando un material conductor (141) dispuesto sobre dicha capa aislante (126) y llenando dicho al menos un canal de anillo de protección (111); y

- la segunda capa conductora (165) se extiende para cubrir el canal de terminación (120) y el al menos un canal de anillo de protección (111).

Tipo: Patente Internacional (Tratado de Cooperación de Patentes). Resumen de patente/invención. Número de Solicitud: PCT/US2012/069440.

Solicitante: Vishay General Semiconductor LLC.

Inventor/es: HSU,CHIH-WEI, LIN,YIH-YIN, LIN,PAI-LI.

Fecha de Publicación: 3 de Junio de 2020.

Clasificación Internacional de Patentes:

H01L21/329 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 21/00 Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas. › teniendo los dispositivos uno o dos electrodos, p. ej. diodos.
H01L21/336 H01L 21/00 […] › con puerta aislada.
H01L29/06 H01L […] › H01L 29/00 Dispositivos semiconductores adaptados a la rectificación, amplificación, generación de oscilaciones o a la conmutación que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie; Condensadores o resistencias, que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie, p. ej. unión PN, región de empobrecimiento, o región de concentración de portadores de carga; Detalles de cuerpos semiconductores o de sus electrodos (H01L 31/00 - H01L 47/00, H01L 51/05 tienen prioridad; otros detalles de los cuerpos semiconductores o de sus electrodos H01L 23/00; consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común H01L 27/00). › caracterizados por su forma; caracterizado por las formas, las dimensiones relativas o las disposiciones de las regiones semiconductoras.
H01L29/40 H01L 29/00 […] › Electrodos.
H01L29/739 H01L 29/00 […] › controlados por efecto de campo.
H01L29/78 H01L 29/00 […] › estando producido el efecto de campo por una puerta aislada.
H01L29/872 H01L 29/00 […] › Diodos Schottky.

PDF original: ES-2812544_T3.pdf

Patentes similares o relacionadas:

Un diodo de heterounión de metal-semiconductor-metal (MSM), del 27 de Mayo de 2020, de CARNEGIE MELLON UNIVERSITY: Un diodo de heterounión metal-semiconductor-metal que incluye: dos electrodos metálicos ; y una fina capa de semiconductor posicionada entre los […]

Diodos PIN vertical y método para fabricarlos, del 6 de Abril de 2016, de FINMECCANICA - SOCIETA PER AZIONI: Método para fabricar un diodo Positivo Intrínseco Negativo (PIN) vertical, que comprende: · proporcionar una oblea epitaxial comprendiendo una capa […]

Componente de semiconductor de potencia con capa amortiguadora, del 2 de Mayo de 2012, de SEMIKRON ELEKTRONIK GMBH & CO. KG: Un componente de semiconductor con por lo menos una transición desde un primer dopado hasta un segundo dopado, una transición PN, con una secuencia de capas de una primera zona […]

PROCEDIMIENTO PARA LA FABRICACION DE COMPONENTES SEMICONDUCTORES DE POTENCIA., del 16 de Abril de 2006, de SEMIKRON ELEKTRONIK GMBH: Fabricación de componentes semiconductores de potencia por ejemplo, transistor bipolar de puerta aislada de alta tensión (IGBT). La barrera o capa intermedia con una primera […]

UNION P-N NEUTRALIZADA EN SEMICONDUCTOR DE MESETA., del 16 de Septiembre de 1998, de GENERAL INSTRUMENT CORPORATION OF DELAWARE: PROCESO PARA FORMAR UN DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR QUE COMIENZA DIFUNDIENDO UNA CAPA N, CON UNA CONCENTRACION RELATIVAMENTE ALTA, EN UNA PLAQUITA P, CON […]

DIODO DE RECUPERACIÓN RÁPIDA Y MÉTODO DE FABRICARLO, del 23 de Febrero de 2012, de ABB TECHNOLOGY AG: Diodo de recuperación rápida incluyendo una capa base dopada n con un lado de cátodo y un lado de ánodo opuesto al lado de cátodo , una capa de ánodo dopada […]

DISPOSITIVOS Y CIRCUITOS NANOELECTRICOS, del 16 de Diciembre de 2007, de BTG INTERNATIONAL LIMITED: Componente de circuito electrónico, que comprende un sustrato que soporta portadores de carga móviles, medios […]

Semiconductor de potencia no uniforme y método de fabricación, del 7 de Mayo de 2019, de IXYS CORPORATION: Un dispositivo semiconductor transistor bipolar de puerta aislada comprendiendo: una pastilla semiconductora con un área activa comprendiendo un conjunto de celdas […]