Dispositivo semiconductor con estructura de terminación mejorada para aplicaciones de alto voltaje y su procedimiento de fabricación.

Un dispositivo semiconductor que comprende una estructura de terminación,

con dicho dispositivo semiconductor que comprende:

- un sustrato semiconductor (100) que tiene una región activa y una región de terminación;

- un canal de terminación (120) ubicado en la región de terminación y que se extiende desde un límite (112) de la región activa hacia un borde del sustrato semiconductor (100);

- una puerta MOS (122) formada en una pared lateral del canal de terminación (120) adyacente a dicho límite (112);

- una capa de óxido de estructura de terminación (150) formada en el canal de terminación (120) y que cubre parcialmente la puerta MOS (122);

- una primera capa conductora (170) formada en una superficie trasera del sustrato semiconductor (100); y

- una segunda capa conductora (165) formada sobre la región activa y la región de terminación, con dicha segunda capa conductora (165) que se extiende hacia el canal de terminación para cubrir la puerta MOS (122) y hacer contacto con las superficies expuestas del material conductor (123) de la puerta MOS (122);

caracterizado por que

- se forma al menos un canal de anillo de protección (111) en la región de terminación en un lado del canal de terminación (120) remoto de la región activa, estando separado el canal de terminación (120) del más cercano de al menos un canal de anillo de protección (111) solo por una mesa de material semiconductor;

- dicha capa de óxido de estructura de terminación (150) está formada en al menos un canal de anillo de protección (111);

- el al menos un canal de anillo de protección (111) está recubierto con una capa aislante (126), estando un material conductor (141) dispuesto sobre dicha capa aislante (126) y llenando dicho al menos un canal de anillo de protección (111); y

- la segunda capa conductora (165) se extiende para cubrir el canal de terminación (120) y el al menos un canal de anillo de protección (111).

Tipo: Patente Internacional (Tratado de Cooperación de Patentes). Resumen de patente/invención. Número de Solicitud: PCT/US2012/069440.

Solicitante: Vishay General Semiconductor LLC.

Inventor/es: HSU,CHIH-WEI, LIN,YIH-YIN, LIN,PAI-LI.

Fecha de Publicación: .

Clasificación Internacional de Patentes:

  • H01L21/329 SECCION H — ELECTRICIDAD.H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctrica en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 21/00 Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas. › teniendo los dispositivos uno o dos electrodos, p. ej. diodos.
  • H01L21/336 H01L 21/00 […] › con puerta aislada.
  • H01L29/06 H01L […] › H01L 29/00 Dispositivos semiconductores adaptados a la rectificación, amplificación, generación de oscilaciones o a la conmutación que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie; Condensadores o resistencias, que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie, p. ej. unión PN, región de empobrecimiento, o región de concentración de portadores de carga; Detalles de cuerpos semiconductores o de sus electrodos (H01L 31/00 - H01L 47/00, H01L 51/05 tienen prioridad; otros detalles de los cuerpos semiconductores o de sus electrodos H01L 23/00; consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común H01L 27/00). › caracterizados por su forma; caracterizado por las formas, las dimensiones relativas o las disposiciones de las regiones semiconductoras.
  • H01L29/40 H01L 29/00 […] › Electrodos.
  • H01L29/739 H01L 29/00 […] › controlados por efecto de campo.
  • H01L29/78 H01L 29/00 […] › estando producido el efecto de campo por una puerta aislada.
  • H01L29/872 H01L 29/00 […] › Diodos Schottky.

PDF original: ES-2812544_T3.pdf

 

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