PROCEDIMIENTO PARA LA FABRICACION DE COMPONENTES SEMICONDUCTORES DE POTENCIA.
Fabricación de componentes semiconductores de potencia por ejemplo,
transistor bipolar de puerta aislada de alta tensión (IGBT). La barrera o capa intermedia con una primera conductividad (15) tiene un grosor superior que es esencial desde el punto de vista eléctrico. Se introduce en esta forma, mediante la difusión dentro de la oblea homogénea monocristalina en la zona de base (13), antes de introducir otras estructuras en la parte superior de la oblea. Una vez que se han formado, el exceso es puesto a tierra o se elimina.
Tipo: Resumen de patente/invención.
Solicitante: SEMIKRON ELEKTRONIK GMBH.
Nacionalidad solicitante: Alemania.
Dirección: POSTFACH 82 02 51,D-90253 NURNBERG.
Inventor/es: HERZER, REINHARD, DR. HABIL., NETZEL, MARIO, DR.
Fecha de Publicación: .
Fecha Concesión Europea: 19 de Octubre de 2005.
Clasificación Internacional de Patentes:
- H01L21/329 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 21/00 Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas. › teniendo los dispositivos uno o dos electrodos, p. ej. diodos.
- H01L21/331 H01L 21/00 […] › Transistores.
- H01L21/332 H01L 21/00 […] › Tiristores.
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