FABRICACION DE UN DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR.
UN METODO PARA FORMAR UN FOSO DOPADO COMO PARTE DE LA FABRICACION DE UN DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR TAL COMO UN DISPOSITIVO DE POTENCIA CON PUERTA DE FOSO,
TRANSISTOR LOGICO O CELDA DE MEMORIA. SE FORMA UN FOSO (3) EN UN SUSTRATO SEMICONDUCTOR (1) USANDO UNA MASCARA (2). EL FOSO ESTA PARCIALMENTE RELLENO CON UN MATERIAL DE ELECTRODO (5) Y SE DOPAN LAS PAREDES DEL FOSO CON LA MASCARA TODAVIA PUESTA.
Tipo: Resumen de patente/invención.
Solicitante: TOTEM SEMICONDUCTOR LTD.
Nacionalidad solicitante: Reino Unido.
Dirección: 9 MERCIA ROAD,BALDOCK, HERTS SG7 6RZ.
Inventor/es: EVANS, JONATHAN LESLIE.
Fecha de Publicación: .
Fecha Solicitud PCT: 14 de Junio de 1996.
Fecha Concesión Europea: 12 de Diciembre de 2001.
Clasificación Internacional de Patentes:
- H01L21/265 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 21/00 Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas. › produciendo una implantación de iones.
- H01L21/331 H01L 21/00 […] › Transistores.
- H01L21/336 H01L 21/00 […] › con puerta aislada.
- H01L29/423 H01L […] › H01L 29/00 Dispositivos semiconductores adaptados a la rectificación, amplificación, generación de oscilaciones o a la conmutación que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie; Condensadores o resistencias, que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie, p. ej. unión PN, región de empobrecimiento, o región de concentración de portadores de carga; Detalles de cuerpos semiconductores o de sus electrodos (H01L 31/00 - H01L 47/00, H01L 51/05 tienen prioridad; otros detalles de los cuerpos semiconductores o de sus electrodos H01L 23/00; consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común H01L 27/00). › que no transportan la corriente a rectificar, amplificar o conmutar.
- H01L29/739 H01L 29/00 […] › controlados por efecto de campo.
- H01L29/78 H01L 29/00 […] › estando producido el efecto de campo por una puerta aislada.
Países PCT: Austria, Alemania, España, Francia, Reino Unido, Italia, Oficina Europea de Patentes, Armenia, Azerbayán, Bielorusia, Kenya, Kirguistán, Kazajstán, Lesotho, República del Moldova, Malawi, Federación de Rusia, Sudán, Tayikistán, Turkmenistán, Uganda, Burkina Faso, Benin, República Centroafricana, Congo, Costa de Marfil, Camerún, Gabón, Guinea, Malí, Mauritania, Niger, Senegal, Chad, Togo, Organización Regional Africana de la Propiedad Industrial, Swazilandia, Organización Africana de la Propiedad Intelectual, Organización Eurasiática de Patentes.
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