CIP-2021 : H01L 31/18 : Procesos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas.

CIP-2021HH01H01LH01L 31/00H01L 31/18[1] › Procesos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas.

H ELECTRICIDAD.

H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.

H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación).

H01L 31/00 Dispositivos semiconductores sensibles a la radiación infrarroja, a la luz, a la radiación electromagnética de ondas más cortas, o a la radiación corpuscular, y adaptados bien para la conversión de la energía de tales radiaciones en energía eléctrica, o bien para el control de la energía eléctrica por dicha radiación; Procesos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o el tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas; Sus detalles (H01L 51/42 tiene prioridad; dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común, diferentes a las combinaciones de componentes sensibles a la radiación con una o varias fuentes de luz eléctrica H01L 27/00).

H01L 31/18 · Procesos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas.

CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.

Procedimiento e instalación de control de la presión interna de un módulo fotovoltaico.

(24/08/2016). Solicitante/s: APOLLON SOLAR. Inventor/es: LEFILLASTRE,PAUL, NICHIPORUK,OLEKSIY, DUPUIS,JULIEN.

Procedimiento de control de la presión interna de un módulo fotovoltaico que comprende una placa delantera , una placa trasera , unas células fotovoltaicas , unos conductores de interconexión eléctrica entre las células y una junta periférica , estando los conectores en contacto por presión con las células , bajo el efecto de un esfuerzo (E1) que resulta de una depresión que impera en el interior del módulo, caracterizado porque este procedimiento comprende unas etapas que consisten en: a) hacer disminuir progresivamente la presión (P2) de una cantidad (Q2) de gas alrededor del módulo, b) detectar, durante la etapa a), un parámetro físico (Z100) representativo del apoyo efectivo de los conductores de interconexión contra las células , c) determinar un valor de la presión interna (P100) del módulo en función de una variación (I6-N%; dI6/dP2) del parámetro físico.

PDF original: ES-2602065_T3.pdf

Materiales luminiscentes de Tm2+ para dispositivos de conversión de radiación solar.

(03/08/2016). Solicitante/s: TECHNISCHE UNIVERSITEIT DELFT. Inventor/es: VAN DER KOLK,ERIK.

Dispositivo de conversión de radiación solar que comprende: un material inorgánico de Tm2+ luminiscente para la conversión de al menos parte de la radiación solar UV y/o visible y/o infrarroja en radiación infrarroja, preferentemente teniendo dicha radiación infrarroja una longitud de onda de aproximadamente 1.138 nm; y, un dispositivo fotovoltaico para la conversión de al menos parte de dicha radiación infrarroja en energía eléctrica.

PDF original: ES-2641665_T3.pdf

Lámina posterior para módulo de células solares y procedimiento de fabricación de la misma.

(27/07/2016). Solicitante/s: KOLON INDUSTRIES, INC.. Inventor/es: CHOI,SUK WON, BAEK,SANG-HYUN.

Lámina posterior para un módulo de células solares, comprendiendo dicha lámina posterior: una capa de película de poliéster que tiene una capa de revestimiento acrílico de fácil adhesión formada en una o ambas caras de la misma; y una capa de revestimiento de flúor preparada aplicando una composición de revestimiento de flúor que contiene dióxido de titanio así como una resina de fluoruro seleccionada de entre fluoruro de polivinilideno o fluoruro de tetrafluoroetileno-hexafluoropropileno-vinilideno, a una cara superior de la capa de revestimiento acrílico, donde la capa de revestimiento acrílico de fácil adhesión se forma aplicando una emulsión acrílica que contiene de 2 a 10 % en peso de una resina aglutinante acrílica, 0,2 a 4 % en peso de un agente de reticulación a base de melamina, 0,02 a 0,5 % en peso de un catalizador de curado y agua como cantidad restante para igualar el 100 % de peso.

PDF original: ES-2665351_T3.pdf

Crisol para la producción de lingotes semiconductores cristalinos y método para la fabricación del mismo.

(13/07/2016). Solicitante/s: VESUVIUS FRANCE S.A.. Inventor/es: DUBOIS, LAURENT, MARTIN, CHRISTIAN, RANCOULE, GILBERT.

Crisol para la producción de lingotes semiconductores cristalinos, comprendiendo dicho crisol un volumen interno definido por una parte inferior (1a) cuya superficie superior comprende una parte plana que define un primer plano horizontal (H) y paredes laterales periféricas (1b) cada una comprendiendo una superficie interna que comprende una parte plana vertical, que define un plano vertical (V), y perpendicular al primer plano horizontal (H), uniéndose dichas paredes laterales (1b) a la parte inferior (1a) en el perímetro del último formando un radio de curvatura, R1, de al menos 1 mm, caracterizado por que, la línea de intersección (hv) que forma la intersección entre el primer plano horizontal (H) y los planos verticales (V) definida por las partes planas verticales de cada pared lateral (1b) se sitúa completamente en las paredes laterales (1b), en la parte inferior (1a), o en el volumen interno del crisol.

PDF original: ES-2596255_T3.pdf

Dispositivo de soldadura.

(29/06/2016) 1. Dispositivo de soldadura para una máquina de fabricación de tiras de células fotoeléctricas, que comprende - una base móvil sobre la que se desplazan células fotoeléctricas conectadas en serie mediante hilos conductores en una dirección longitudinal, - medios de calentamiento para soldar los hilos conductores a las células fotoeléctricas respectivas, y - medios de pisado móviles que comprenden una pluralidad de brazos de pisado adaptados para mantener los hilos conductores en contacto con las células fotoeléctricas , caracterizado porque - los medios de pisado móviles comprenden al menos dos pisadores móviles en los que se disponen los brazos de pisado , - desplazándose…

Dispositivo optoelectrónico y método para producir el mismo.

(22/06/2016). Solicitante/s: Big Solar Limited. Inventor/es: TOPPING,ALEXANDER JOHN.

Un dispositivo 301 optoelectrónico que comprende: Un sustrato que comprende una primera (304a) y segunda (304b) serie de ranuras y un canal entre ellos Cada ranura de la primera (304a) y segunda (304b) serie de ranuras tienen una primera (312a) y segunda (312b) cara y una cavidad entre ellas; La cavidad se llena al menos parcialmente con un primer material semiconductor; La primer cara (312a) recubierta con un materia conductor y la segunda cara (312b) recubierta con un segundo material semiconductor; Caracterizada porque una porción de la primera (304a) y segunda (304b) serie de ranuras y una porción del canal entre ellas son sustancialmente paralelas la una a la otra y en donde el canal también corta transversalmente las ranuras de la primera (304a) y segunda (304b) serie de ranuras.

PDF original: ES-2583412_T3.pdf

Célula fotovoltaica con banda prohibida variable.

(08/06/2016) Célula fotovoltaica monolítica que comprende por lo menos una unión (105a, 105b, 105c), en la que cada una de dicha por lo menos una unión comprende una base formada por un material semiconductor dopado de un primer tipo de conductividad y un emisor formado por un material semiconductor dopado de un segundo tipo de conductividad opuesto al primero, estando dicho emisor apilado sobre la base según una primera dirección, siendo el material semiconductor de la base y/o del emisor de por lo menos una de dicha por lo menos una unión un material semiconductor formado por un compuesto de por lo menos un primer elemento y un segundo elemento, en la que la banda prohibida y el parámetro de red de dicho material semiconductor de la base y/o del emisor dependen de la concentración…

Aditivo para preparar ante sobre chip de silicio monocristalino y método de uso del mismo.

(01/06/2016). Solicitante/s: Changzhou Shichuang Energy Technology Co., Ltd. Inventor/es: FU,LIMING, CHEN,PEILIANG.

Un aditivo de preparación de ante sobre un chip de sílice monocristalino, que comprende: polietilenglicol, benzoato de sodio, ácido cítrico, anhídrido polimaleico hidrolítico, acetato sódico y agua, en el que el porcentaje en masa de cada componente es del siguiente modo: polietilenglicol: 1-20 %, benzoato de sodio: 1,0-2,0 %, ácido cítrico: 1,0-5,0 %, anhídrido polimaleico hidrolítico: 1,0-5,0 %, acetato sódico: 0,1-1,0 %, y agua: el porcentaje restante.

PDF original: ES-2584983_T3.pdf

Estructura de capa de pasivación de dispositivo semiconductor y método de formación de la misma.

(11/05/2016). Solicitante/s: INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE. Inventor/es: SUN,WEN-CHING, LIN,TZER-SHEN, YU,SHENG-MIN.

Una estructura de capa de pasivación de un dispositivo semiconductor que se dispone sobre un sustrato semiconductor, que comprende: una estructura de capa de pasivación dispuesta sobre el sustrato semiconductor, caracterizada porque la estructura de la capa de pasivación comprende una capa de óxido de aluminio dopado con halógeno y el sustrato semiconductor es una capa semiconductora de tipo p.

PDF original: ES-2577611_T3.pdf

Composición de tinta para la fabricación de una capa de absorción de luz de célula solar y método para la fabricación de una película fina que usa la misma.

(27/04/2016). Solicitante/s: LG CHEM LTD.. Inventor/es: PARK,EUN-JU, LEE,HOSUB, YOON,SEOKHYUN, YOON,SEOKHEE.

Composición de tinta para la fabricación de una capa de absorción de luz de células solares que comprende nanopartículas de estructura de núcleo-corteza que comprenden un núcleo que comprende un calcogenuro que contiene cobre (Cu) y una corteza que comprende un calcogenuro que contiene cinc (Zn); y nanopartículas de metal bimetálicas o intermetálicas que contienen estaño (Sn), o nanopartículas de calcogenuro que contiene estaño (Sn), dispersas en un disolvente.

PDF original: ES-2656299_T3.pdf

Método de metalización de sustratos de célula solar.

(30/03/2016) Un método de metalización de un sustrato de célula solar que comprende, en este orden, las etapas de (i) proporcionar un sustrato de célula solar que tiene una base de chapado sobre al menos una parte de una superficie de dicho sustrato , (ii) depositar una primera capa resistente sobre todo el sustrato , incluyendo los bordes y las paredes laterales de dicho sustrato , y dar textura a dicha primera capa resistente y formar así primeras aberturas que exponen al menos una parte de la base de chapado , (iii) formar una capa de siembra conductora encima de la primera capa resistente con textura y sobre aquellas partes de la base de chapado que están expuestas por las primeras aberturas , (iv) electrochapar una primera capa de metal o de aleación metálica sobre la…

Dispositivo de soldadura para unir células solares.

(16/03/2016). Ver ilustración. Solicitante/s: KOMAX HOLDING AG. Inventor/es: KAUFMANN,STEFAN, MORF,PETER, HOFER,ADOLF.

Dispositivo de soldadura para unir células solares , que incluye: - una fuente de calor cuyo funcionamiento se basa en el principio de inducción, gracias a la cual pistas conductoras de las células solares, provistas de un agente de soldadura, se puede conectar con conductores eléctricos , presentando la fuente de calor un bucle de inducción para generar un campo magnético de alta frecuencia con el fin de soldar los conductores a las células solares, y - al menos un pisador para apretar el conductor sobre la pista conductora de la célula solar , caracterizado porque el o los pisadores están realizados como concentradores de campo de forma que se puede intensificar y concentrar localmente el campo magnético.

PDF original: ES-2576486_T3.pdf

Procedimiento de fabricación de una célula fotovoltaica con contactos interdigitados en la cara trasera.

(17/02/2016) Procedimiento de fabricación de una célula fotovoltaica con contactos interdigitados en la cara trasera, caracterizado por que comprende: - el suministro de un sustrato de silicio dopado, - la formación, en la cara trasera (B) de dicho sustrato , de una capa semiconductora dopada con una primera especie de dopantes, - la formación, en dicha capa semiconductora dopada , de una capa denominada dopante que comprende una segunda especie de dopantes, de tipo eléctrico opuesto al de la primera especie , - la formación, en la capa semiconductora dopada , de por lo menos una región (10a) dopada de…

Carro con carrusel para instalaciones de tratamiento al vacío.

(22/12/2015). Ver ilustración. Solicitante/s: Oerlikon Surface Solutions AG, Trübbach. Inventor/es: GWEHENBERGER,JUERGEN.

Instalación de tratamiento al vacío con una cámara de vacío y un carro de carrusel con un carrusel , donde la cámara de vacío presenta una compuerta y un propulsor del carrusel, caracterizada por que el propulsor del carrusel es un propulsor periférico, que se ha previsto en la cámara de vacío en la pared de la cámara de vacío y/o en la proximidad de la pared opuesta a la compuerta de la cámara de vacío.

PDF original: ES-2554683_T3.pdf

Módulo de célula solar y procedimiento de fabricación del mismo.

(21/12/2015) Un procedimiento de fabricación de módulos de batería solar que comprende las etapas de producir por división dos tipos de segmentos que difieren en la forma de uno con respecto al otro de cada uno de los sustratos de batería solar en forma de disco, recoger respectivamente los mismos tipos de seg- mentos, y disponer los segmentos en dos dimensiones, por tipos, para obtener de esta manera módulos de batería solar respectivos, en el que los segmentos son producidos sometiendo las obleas de monocristal semiconductor, como sustratos de la batería solar, en el estado en forma de disco de los mismos, al proceso de formación de células para formar células de batería solar, respectivamente, en las áreas planificadas para ser incluidas posteriormente en los segmentos, y dividiendo las obleas después de la finalización del proceso…

Procedimiento y dispositivo para el revestimiento en continuo de sustratos.

(09/12/2015) Procedimiento para el revestimiento en continuo de sustratos, en el que en un dispositivo de revestimiento los sustratos son transportados a través de un espacio de deposición que está limitado por dos soportes de sustrato (1, 1') así como por un suelo y una tapa , en donde el suelo presenta un dispositivo para guiar los soportes de sustrato (1, 1'), y los sustratos son transportados sobre los soportes de sustrato (1, 1') a través del dispositivo de revestimiento, durante el transporte se realiza el revestimiento en continuo de los sustratos, y en donde la tapa está fijada a los soportes de sustrato (1, 1') y de esta manera se transporta junto con los soportes (1, 1') de sustrato mediante el dispositivo de revestimiento.

Dispositivo semiconductor y procedimiento para su fabricación.

(15/07/2015) Procedimiento para fabricar un dispositivo semiconductor que absorbe luz, que contiene las siguientes etapas: proporcionar un sustrato con una primera cara y una segunda cara que contiene o está compuesto por silicio dopado de tipo p, Introducir un agente de dopaje en al menos un volumen parcial del sustrato semiconductor adyacente a la primera cara , de modo que entre el volumen parcial y el sustrato semiconductor se forma una primera transición pn con una primera energía de banda prohibida, Irradiar al menos una superficie parcial de la segunda cara del sustrato semiconductor en presencia de un compuesto que contiene nitrógeno, fósforo, azufre o arsénico con una pluralidad…

Procedimiento de preparación de una película fina absorbente para células fotovoltaicas.

(22/04/2015) Procedimiento de preparación de una película fina absorbente para células fotovoltaicas de tipo A-B-C2 o A2- (Dx,E1-x)-C4 con 0≤x≤1, A es un elemento o una mezcla de elementos seleccionados del grupo 11, B es un elemento o una mezcla de elementos seleccionados del grupo 13, C es un elemento o una mezcla de elementos seleccionados del grupo 16, D es un elemento o una mezcla de elementos seleccionados del grupo 12 y E es un elemento o una mezcla de elementos seleccionados del grupo 14, procedimiento que comprende: • una primera etapa de deposición electroquímica de una película fina de una mezcla de óxidos y/o de hidróxidos que comprende, para una película de…

Procedimiento para la pasivación con hidrógeno de unas capas de semiconductores.

(01/04/2015) Procedimiento para la pasivación con hidrógeno de capas de semiconductores, caracterizado por que la pasivación se efectúa mediante el empleo de una fuente de plasma con un arco eléctrico.

Composiciones alcalinas acuosas y procedimiento de tratamiento de la superficie de sustratos de silicio.

(01/04/2015) Una composición alcalina acuosa que comprende: (A) al menos un hidróxido amónico cuaternario; (B) al menos un componente seleccionado del grupo que consiste en: (b1) ácidos sulfónicos hidrosolubles y sus sales hidrosolubles de la fórmula general I: (R1-SO3 -)nXn+ (I), (b2) ácidos fosfónicos hidrosolubles y sus sales hidrosolubles de la fórmula general II: R-PO3 2- (Xn+)3-n (II); (b3) ésteres de ácido sulfúrico hidrosolubles y sus sales hidrosolubles de la fórmula general III: (RO-SO3 -)n(n+ (III), (b4) ésteres de ácido fosfórico hidrosolubles y sus sales hidrosolubles de la fórmula general (IV): RO-PO3…

PROCEDIMIENTO PARA LA PREPARACIÓN DE UNA CAPA BARRERA DIELECTRICA DE ÓXIDO DE SILICIO (SiOx) Y CAPA ASÍ PREPARADA.

(26/03/2015). Ver ilustración. Solicitante/s: ABENGOA SOLAR NEW TECHNOLOGIES, S.A. Inventor/es: GOMEZ PLAZA,DAVID, DELGADO SÁNCHEZ,José María, SÁNCHEZ-CORTEZÓN,Emilio, ANDRÉS MENÉNDEZ,Luis José, SÁNCHEZ MARTÍNEZ,Diego, MENÉNDEZ ESTRADA,Armando, FERNÁNDEZ SUÁREZ,María Fe, SÁNCHEZ,Pascal.

Procedimiento para la preparación de una capa barrera dieléctrica de óxido de silicio (SiOx) sobre un sustrato, para lo cual se realiza, una vez limpiado el sustrato, una deposición de una capa de SiOx por la técnica de PECVD y otra deposición de SiOx por el método sol-gel. La composición de recubrimiento (sol) utilizada en la etapa sol- gel es preparada a partir de los siguientes componentes: MTES, entre 30 y 50% en peso; TEOS, entre 7% y 12% en peso; N, N' -DMS, entre 1 1 y 19 % en peso; PEG, entre 19 y 31 % en peso; agua destilada, entre 7 y 12% en peso y acido ortofosfórico, entre 0,6% y 0,9 % en peso. Una vez preparada la composición de recubrimiento, se deposita y se densifica para formar la capa de óxido correspondiente.

Procedimiento y dispositivo para el tratamiento de una superficie del substrato de un substrato.

(25/03/2015) Método para el tratamiento de una superficie de substrato de un substrato plano con un medio de proceso en la cara inferior del substrato, donde el medio de proceso presenta un efecto cáustico o corrosivo sobre la superficie del substrato, y donde los substratos se humedecen encontrándose horizontalmente con el medio de proceso desde abajo, caracterizado por el hecho de que la cara superior del substrato orientada hacia arriba se humedece o cubre en gran parte o completamente con agua o un líquido de protección correspondiente como protección frente a la influencia o el alcance del medio de proceso o sus emisiones de gas sobre la cara superior del substrato.

Procedimiento para la preparación de capas conductoras y transparentes de óxido de zinc dopado con aluminio.

(23/02/2015) Procedimiento para la preparación de capas conductoras y transparentes de óxido de zinc dopado con aluminio (AZO) mediante electrodeposición donde el electrolito comprende al menos un líquido iónico, una fuente de oxígeno, una fuente de aluminio y una fuente de zinc, manteniéndose durante el proceso la concentración de zinc en el electrolito entre 5x10-5M y 0,5 M, y la concentración de aluminio en el electrolito está entre el 1x10-3% y 10% en proporción atómica con respecto a la concentración de zinc. El proceso se lleva a cabo a una temperatura entre 0º y 250°C. Las capas obtenidas pueden utilizarse en tecnología fotovoltaica como capas de óxido transparentes y conductoras que forman el contacto frontal de una celda…

SISTEMA PARA LA FABRICACIÓN DE MULTICAPAS PARA CÉLULAS SOLARES Y PROCEDIMIENTO PARA LA FABRICACIÓN DE ÉSTAS.

(02/02/2015) Sistema para la fabricación de multicapas para células solares y procedimiento para la fabricación de éstas. Sistema para la fabricación de multicapas para células solares destinado a la fabricación de células solares de CdTe mediante un procedimiento de sublimación en espacio reducido. Comprende una cámara central en el interior de la que se desplazan un dispositivo de calentamiento superior en el que se dispone el material destinado a sustrato de la célula solar, unos dispositivos de calentamiento inferiores en los que se disponen los materiales destinados a fuente de las capas de la célula solar y unos obturadores sobre los dispositivos de calentamiento inferiores para controlar la deposición del material de la fuente en el sustrato.…

Método para la texturización de obleas de silicio, líquido de tratamiento para ello y su uso.

(03/12/2014) Método para el tratamiento de obleas de silicio para la fabricación de células solares, donde sobre la superficie de la oblea de silicio se aplica un líquido de tratamiento para la texturización, donde el líquido de tratamiento presenta un aditivo, caracterizado por el hecho de que el líquido de tratamiento presenta como aditivo etilhexanol o ciclohexanol.

Pastas de grabado que contienen partículas para superficies y capas de silicio.

(26/11/2014) Procedimiento para el grabado de superficies y capas de silicio, o de superficies vítreas que consisten en un derivado de silicio, caracterizado por que una pasta alcalina que puede imprimirse y dispensarse que contiene a) al menos un componente de grabado básico, b) al menos un disolvente c) partículas orgánicas muy finas con un punto de fusión bajo y dado el caso, partículas inorgánicas, d) dado el caso, agentes espesantes, y e) dado el caso, aditivos como antiespumantes, agentes tixotrópicos, agentes de control del flujo, desaireadores, promotores de adhesión, se aplica selectivamente sobre la superficie, caracterizado por que durante el tiempo de aplicación la pasta de grabado se calienta a una temperatura superior…

Aditivos para silano para dispositivos fotovoltaicos de película delgada de silicio.

(15/10/2014) Un método de depósito de una película de silicio amorfo (-Si:H) o de una película de silicio microcristalino (-CSi:H) como película fotoconductora sobre un sustrato, que utiliza silano; hidrógeno; al menos un aditivo escogido entre: (a) silanos de cadena recta de orden superior, escogidos entre: disilano Si2H6, trisilano Si3H8, tetrasilano Si4H10, pentasilano Si5H12, hexasilano Si6H14, heptasilano Si7H16, octasilano Si8H18, nonasilano Si9H20, decasilano Si10H22, otros silanos de cadena recta de fórmula general SixH2x+2 donde x es de 2 a 20 y mezclas de ellos; (b) silanos ramificados de orden superior, escogidos entre: 2-silil-trisilano SiH3-Si(H)(SiH3)-SiH3, 2,2-disilil15 trisilano SiH3-Si(SiH3)2-SiH3, 2-silil-tetrasilano…

Procedimiento de fabricación de semiconductores en películas delgadas a base de compuestos I-III-VI(2) para aplicaciones fotovoltaicas.

(01/10/2014) Procedimiento de fabricación de capas delgadas de aleaciones semiconductoras I-III-VI2 para aplicaciones fotovoltaicas, en el que: a) sobre un sustrato se deposita electroquímicamente en exceso una capa delgada de una composición precursora de un elemento VI con respecto a la suma de la composición del elemento I y del elemento III, del 10 % aproximadamente con respecto a la composición de aleación final I-III-VI2, mientras se mezclan los elementos constitutivos del precursor, siendo el elemento I cobre, el elemento III indio y el elemento VI selenio, encontrándose el indio en exceso, con respecto al cobre, en un 7 % aproximadamente, siendo el exceso de selenio del…

PROCEDIMIENTO PARA EL AISLAMIENTO DE BORDE EN CÉLULAS SOLARES Y PARA LA TERCERA ETAPA DE UN PROCESO DE INTEGRACIÓN MONOLÍTICA.

(25/09/2014). Ver ilustración. Solicitante/s: ABENGOA SOLAR NEW TECHNOLOGIES, S.A. Inventor/es: MORALES FURIO,MIGUEL, MOLPECERES ALVAREZ,CARLOS, DELGADO SÁNCHEZ,José María, SÁNCHEZ-CORTEZÓN,Emilio, SANCHO MARTÍNEZ,Diego, GARCÍA-BALLESTEROS RAMÍREZ,JUAN JOSÉ, LAUZURICA SANTIAGO,Sara.

Procedimiento para el aislamiento de borde en células solares y para la tercera etapa de un proceso de integración monolítica (P3) de una célula solar de lámina delgada mediante la aplicación de un láser infrarrojo pulsado en picosegundos por la cara activa de la célula, consiguiendo así la eliminación de las capas de material semiconductor tipo p y del tipo n y de la capa del óxido transparente conductor (TCO) que forman parte de la célula solar, dejando al aire el contacto trasero de la misma, sin dañar capa barrera y/o sustrato.

Procedimiento para la fabricación de una célula solar de heterounión basada en obleas, con contactos en la cara trasera y célula solar de heterounión fabricada con el procedimiento.

(10/09/2014) Procedimiento para la fabricación de una célula solar de heterounión basada en obleas, con contactos en la cara trasera, con al menos una oblea de absorbedor y una capa de emisor dispuesta en la cara trasera y realizada como superficie con escotaduras con forma puntual o de banda de materiales semiconductores con dopado opuesto, en el que el contacto de la capa de emisor es establecido mediante un sistema de contacto de 5 emisor por la cara trasera, que presenta una capa de contacto de emisor con escotaduras con forma puntual o de banda congruentes con las escotaduras en la capa de emisor , y el contacto de la oblea de absorbedor es establecido mediante un sistema de contacto de absorbedor en la cara trasera que presenta una capa de contacto de absorbedor o rejilla con contactos puntuales o contactos de banda que atraviesan…

Sistemas de interconexión de células solares flexibles y métodos.

(03/09/2014) Un método para preparar láminas de célúlas solares interconectadas, que comprende: a) proporcionar una pluralidad de tiras continuas de material de célula solar que comprenden cada una un sustrato flexible, una región de contacto negra conductora, una región foto-activa y una región conductora transparente; b) adherir las tiras continuas de material de célula solar a una lámina de refuerzo continua de manera que el sustrato flexible entre en contacto con la lámina de refuerzo y se forme un hueco entre las tiras adyacentes; c) aplicar un material aislante sobre una región predeterminada del borde de cada una de las tiras sobre cada lado del hueco , entrando en contacto dicho material aislante con…

Sustrato metálico texturizado cristalográficamente, dispositivo texturizado cristalográficamente, célula y módulo fotovoltaico que comprenden un dispositivo de este tipo, y procedimiento de depósito de capas finas.

(03/09/2014) Sustrato metálico texturizado cristalográficamente que comprende una superficie de conexión y una superficie destinada a recibir un depósito de capa fina, estando dicho sustrato metálico texturizado cristalográficamente constituido por una aleación que presenta un sistema cristalino cúbico de caras centradas y una textura cristalográfica en cubo {100} mayoritaria, comprendiendo la superficie destinada a recibir el depósito de capa fina unos granos que presentan mayoritariamente unos planos cristalográficos {100} paralelos a la superficie destinada a recibir un depósito de capa fina, caracterizado por…

‹‹ · · 3 · · 5 · 6 · 7 · ››
Utilizamos cookies para mejorar nuestros servicios y mostrarle publicidad relevante. Si continua navegando, consideramos que acepta su uso. Puede obtener más información aquí. .