Aditivos para silano para dispositivos fotovoltaicos de película delgada de silicio.

Un método de depósito de una película de silicio amorfo (-Si:H) o de una película de silicio microcristalino (-CSi:H) como película fotoconductora sobre un sustrato,

que utiliza

silano;

hidrógeno;

al menos un aditivo escogido entre:

(a) silanos de cadena recta de orden superior, escogidos entre: disilano Si2H6, trisilano Si3H8, tetrasilano Si4H10, pentasilano Si5H12, hexasilano Si6H14, heptasilano Si7H16, octasilano Si8H18, nonasilano Si9H20, decasilano Si10H22, otros silanos de cadena recta de fórmula general SixH2x+2 donde x es de 2 a 20 y mezclas de ellos;

(b) silanos ramificados de orden superior, escogidos entre: 2-silil-trisilano SiH3-Si(H)(SiH3)-SiH3, 2,2-disilil15 trisilano SiH3-Si(SiH3)2-SiH3, 2-silil-tetrasilano SiH3-Si(H)(SiH3)-SiH2-SiH3, 2,3-disililtetrasilano SiH3- SiH(SiH3)-SiH(SiH3)-SiH3, 2,2-disililtetrasilano SiH3-Si(SiH3)2-SiH2-SiH3, 3-sililpentasilano SiH3-SiH2- SiH(SiH3)-SiH2-SiH3, 2-sililpentasilano SiH3-SiH(SiH3)-SiH2-SiH2-SiH3, 2,3-disililpentasilano SiH3- SiH(SiH3)-SiH(SiH3)-SiH2-SiH3, 2,4-disililpentasilano SiH3-SiH(SiH3)-SiH2-SiH(SiH3)-SiH3, 2-sililhexasilano SiH3-SiH(SiH3)-(SiH2)3SiH3, 3-sililhexasilano

SiH3-SiH2-SiH(SiH3)-(SiH2)2SiH3, 2,2-disililpentasilano SiH3-Si(SiH3)2-(SiH2)2-SiH3, 3,3-disililpentasilano SiH3-SiH2-Si (SiH3)2-SiH2 -SiH3, 2,2,3-trisililtetrasilano SiH3-Si(SiH3)2-SiH(SiH3)-SiH3, 2-sililheptasilano SiH3-SiH(SiH3)-(SiH2)4-SiH3, 3-sililheptasilano SiH3-SiH2-SiH(SiH3)-(SiH2)3-SiH3, 4-sililheptasilano SiH3- (SiH2)2-SiH(SiH3)-(SiH2)2-SiH3, 2,2-disililhexasilano SiH3-Si(SiH3)2-(SiH2)3-SiH3, 2,3-disililhexasilano SiH3- SiH(SiH3)-SiH(SiH3)-(SiH2)2-SiH3, 2,4-disililhexasilano SiH3-SiH(SiH3)-SiH2-SiH(SiH3)-SiH2-SiH3, 2,5- disililhexasilano SiH3-SiH(SiH3)-(SiH2)2-SiH(SiH3)-SiH3, 3,3-disililhexasilano SiH3-SiH2-Si(SiH3)2-(SiH2)2- SiH3, 3,4-disililhexasilano SiH3-SiH2-SiH(SiH3)-SiH(SiH3)-SiH2-SiH3, 2,2,3-trisililpentasilano SiH3-Si(SiH3)2- SiH(SiH3)-SiH2-SiH3, 2,2,4-trisililpentasilano SiH3-Si(SiH3)2-SiH2-SiH(SiH3)-SiH3,2,3,3-trisililpentasilano SiH3-SiH(SiH3)-Si(SiH3)2-SiH2-SiH3, 2,3,4-trisililpentasilano SiH3-SiH(SiH3)-SiH(SiH3)-SiH(SiH3)-SiH3, 2,2,3,3-tetrasililtetrasilano SiH3-Si(SiH3)2-Si(SiH3)2-SiH3, otros silanos ramificados de fórmula general SixH2x+2, donde x es un entero de 4 a 20 y mezclas de ellos;

(c) silanos cíclicos, escogidos entre: ciclotrisilano Si3H6, ciclotetrasilano Si4H8, ciclopentasilano Si5H10, ciclohexasilano Si6H12, otros silanos cíclicos de fórmula general SixH2x, donde x es un entero de 3 a 20 y mezclas de ellos;

(d) silanos cíclicos sustituidos con grupos sililo, escogidos entre: silil ciclotetrasilano SiH3-Si4H7, 1,2-disilil 35 ciclopentasilano (SiH3)2-Si5H8, silil ciclohexasilano SiH3-Si6H11, 1,3-disilil ciclohexasilano (SiH3)2-Si6H10, otros ciclosilanos sustituidos con grupos sililo de fórmula general SiyH3y-SixH2x-y donde x es un entero de 3 a 20 e y es un entero de 1 a 2x y mezclas de ellos;

(e) silenos sustituidos con grupos sililo, escogidos entre: 2-tetrasileno SiH3-SiH≥SiH-SiH3, 2,3-disililtetrasil-2- eno SiH3-Si(SiH3)≥Si(SiH3)-SiH3, 2,3-disililpentasil-2-eno SiH3-Si(SiH3)≥Si(SiH3)-SiH2-SiH3, 2,5- disililhexasil-2-eno SiH3-Si(SiH3)≥SiH-SiH2-SiH(SiH3)-SiH3, 2,3,4-trisililhexasil-2-eno SiH3- Si(SiH3)≥Si(SiH3)-SiH(SiH3)-SiH2-SiH3, otros silenos sustituidos con grupos sililo de fórmula general SiyH3y- SixH2x-y donde x es un entero de 2 a 20 e y es un entero de 1 a 2x y mezclas de ellos; y

opcionalmente al menos un aditivo adicional escogido entre:

(h) silanos sustituidos con halógenos, escogidos entre: monoclorosilano SiH3Cl, diclorosilano SiH2Cl2, triclorosilano SiHCl3, tetraclorosilano (SiCl4) y clorodisilano SiH3-SiH2Cl y sus mezclas;

(i) gases que contienen halógenos, escogidos entre: cloro Cl2, cloruro de hidrógeno HCl, trifluoruro de cloro ClF3, trifluoruro de nitrógeno NF3, flúor F2, fluoruro de hidrógeno HF, bromo Br2, bromuro de hidrógeno HBr, ioduro de hidrógeno HI y sus mezclas;

en el que el silano utilizado lo es en una cantidad de 5 a 10 % (volumen / volumen), el aditivo (al menos uno) usado lo es en una cantidad de 0,01 a 5 % (v/v), el aditivo adicional (al menos uno), cuando se usa, se hace en una cantidad de 0,01 a 5 % (v/v)y el resto es hidrógeno.

Tipo: Patente Europea. Resumen de patente/invención. Número de Solicitud: E10176489.

Solicitante: AIR PRODUCTS AND CHEMICALS, INC..

Nacionalidad solicitante: Estados Unidos de América.

Dirección: 7201 HAMILTON BOULEVARD ALLENTOWN, PA 18195-1501 ESTADOS UNIDOS DE AMERICA.

Inventor/es: LANGAN, JOHN GILES, HURLEY,PATRICK TIMOTHY, RIDGEWAY,ROBERT GORDON, HUTCHISON,KATHERINE ANNE.

Fecha de Publicación: 15 de Octubre de 2014.

Clasificación Internacional de Patentes:

C23C16/24 QUIMICA; METALURGIA. › C23 REVESTIMIENTO DE MATERIALES METALICOS; REVESTIMIENTO DE MATERIALES CON MATERIALES METALICOS; TRATAMIENTO QUIMICO DE LA SUPERFICIE; TRATAMIENTO DE DIFUSION DE MATERIALES METALICOS; REVESTIMIENTO POR EVAPORACION EN VACIO, POR PULVERIZACION CATODICA, POR IMPLANTACION DE IONES O POR DEPOSICION QUIMICA EN FASE VAPOR, EN GENERAL; MEDIOS PARA IMPEDIR LA CORROSION DE MATERIALES METALICOS, LAS INCRUSTACIONES, EN GENERAL. › C23C REVESTIMIENTO DE MATERIALES METALICOS; REVESTIMIENTO DE MATERIALES CON MATERIALES METALICOS; TRATAMIENTO DE MATERIALES METALICOS POR DIFUSION EN LA SUPERFICIE, POR CONVERSION QUIMICA O SUSTITUCION; REVESTIMIENTO POR EVAPORACION EN VACIO, POR PULVERIZACION CATODICA, POR IMPLANTACION DE IONES O POR DEPOSICION QUIMICA EN FASE VAPOR, EN GENERAL (fabricación de productos revestidos de metal por extrusión B21C 23/22; revestimiento metálico por unión de objetos con capas preexistentes, ver las clases apropiadas, p. ej. B21D 39/00, B23K; metalización del vidrio C03C; metalización de piedras artificiales, cerámicas o piedras naturales C04B 41/00; esmaltado o vidriado de metales C23D; tratamiento de superficies metálicas o revestimiento de metales mediante electrolisis o electroforesis C25D; crecimiento de monocristales C30B; mediante metalización de textiles D06M 11/83; decoración de textiles por metalización localizada D06Q 1/04). › C23C 16/00 Revestimiento químico por descomposición de compuestos gaseosos, no quedando productos de reacción del material de la superficie en el revestimiento, es decir, procesos de deposición química en fase vapor (pulverización catódica reactiva o evaporación reactiva en vacío C23C 14/00). › Deposición solamente de silicio.
H01L31/18 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 31/00 Dispositivos semiconductores sensibles a la radiación infrarroja, a la luz, a la radiación electromagnética de ondas más cortas, o a la radiación corpuscular, y adaptados bien para la conversión de la energía de tales radiaciones en energía eléctrica, o bien para el control de la energía eléctrica por dicha radiación; Procesos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o el tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas; Sus detalles (H01L 51/42 tiene prioridad; dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común, diferentes a las combinaciones de componentes sensibles a la radiación con una o varias fuentes de luz eléctrica H01L 27/00). › Procesos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas.
H01L31/20 H01L 31/00 […] › comprendiendo los dispositivos o sus partes constitutivas un material semiconductor amorfo.

PDF original: ES-2527795_T3.pdf

Fragmento de la descripción:

Aditivos para silano para dispositivos fotovoltaicos de película delgada de silicio ANTECEDENTES DE LA INVENCIÓN

Los dispositivos fotovoltaicos (PV, por sus siglas en inglés) o células solares son dispositivos que convierten la luz del sol en energía eléctrica de corriente continua (CC).

Los dispositivos fotovoltaicos a base de películas delgadas (TFPV por sus siglas en inglés) han estado usando tanto película de silicio amorfo (aSi:H) como película de silicio microcristalino (pCSi:H) para los dispositivos fotovoltaicos de película delgada de bajo coste. Durante varias décadas se han estudiado las aplicaciones en células solares del silicio amorfo hidrogenado (aSi:H). Más recientemente, se ha estudiado el silicio microcristalino (pCSi:H) debido a que es un material adecuado para la capa intrínseca de la célula del fondo de las células solares en tándem de película delgada.

El depósito de aSi:H y de pCSi:H en paneles fotovoltaicos (PV) que tienen como base sustratos grandes se ha llevado a cabo principalmente utilizando mezclas gaseosas de silano (SihU) e hidrógeno (H2). El trabajo realizado en este campo incluye el descrito en los documentos de las patentes US2009/0077805 A1, US2007/0298590 A1), US6855621 B2 and JP2005244037. A. Hammad et al. (Thin Solid Films 451-452 (2004) 255-258) estudiaron películas delgadas de silicio microcristalino hidrogenado utilizando silano (SiH4), gases de hidrógeno (H2) y disilano (SÍ2H6).

Sin embargo, los procesos de depósito son relativamente lentos (5 - 10 Á/s para aSi:H y 1 - 7 Á/s for pCSi:H), creando un cuello de botella en la fabricación de paneles TFPV. Ello conduce a un rendimiento de proceso más bajo, lo que a su vez supone un mayor coste por vatio en los paneles fabricados.

El documento de la patente GB2319662A describe un método de depósito de una película de silicio que usa una mezcla de silano (S¡H4) y H2. También enseña que, en vez de la adición de silano, se pueden usar otros gases como SÍ2H6, Si(CH3)4, S¡F4, SÍHF3, SÍ2H2CI4 y gases que tienen la fórmula general SÍNH2N+2MYM.

Adicionalmente, el depósito de aSi:H y de pCSi:H en paneles fotovoltaicos (PV) que tienen como base sustratos grandes con la química existente de SiH4 y H2 proporciona células solares con rendimientos que varían de 6 % a 10 %, dependiendo del diseño de la célula. El rendimiento de la célula depende de la calidad de aSi:H y de pCSi:H depositados y, más específicamente, está relacionado con el tamaño de grano de los microcristales en el pCSi:H, y con el número de defectos y de impurezas de donante presentes en la película.

Por lo tanto, hay necesidad de un método para depositar una película de silicio amorfo (aSi:H) y una película de silicio microcristalino (pCSi:H) con una velocidad de depósito y con un rendimiento de célula aumentados.

BREVE COMPENDIO DE LA INVENCIÓN

De acuerdo con ello, la presente invención proporciona un método de depósito según la reivindicación 1 para una película de silicio amorfo o una película de silicio microcristalino como película fotoconductora sobre un sustrato y por lo tanto se refiere al uso de aditivos químicos para aumentar la velocidad de los procesos de depósito y mejorar la capacidad de generar corriente eléctrica de las películas depositadas para películas fotoconductoras en la fabricación de dispositivos fotovoltaicos a base de películas delgadas (TFPV).

En una realización, la invención proporciona un método de depósito de una película de silicio amorfo (aSi:H) o de una película de silicio microcristalino (pCSi:H): preferentemente, el método es un método de depósito de una película de silicio amorfo (aSi:H) de calidad solar como película fotoconductora sobre un sustrato. El método de esta realización emplea silano, hidrógeno y al menos un aditivo escogido entre:

(a) silanos de cadena recta de orden superior, escogidos entre: disilano SÍ2H6, trisilano SÍ3H8, tetrasilano SÍ4H10, pentasilano SÍ5H12, hexasilano SÍ6H14, heptasilano SÍ7H16, octasilano SÍ8H18, nonasilano SÍ9H20, decasilano SÍ10H22, otros silanos de cadena recta de fórmula general SixH2x+2 donde x es un entero de 2 a

y mezclas de ellos;

(b) silanos ramificados de orden superior, escogidos entre: 2-silil-trisilano SiH3-Si(H)(SiH3)-SiH3, 2,2-disilil- trisilano SiH3-Si(S¡H3)2-SiH3, 2-silil-tetrasilano SiH3-Si(H)(SiH3)-SiH2-SiH3, 2,3-disililtetrasilano SiH3- Si H(S¡H3)-SiH(Si H3)-SiH3, 2,2-disililtetrasilano SiH3-Si(SiH3)2-SiH2-SiH3, 3-sililpentasilano SÍH3-SÍH2- SiH(S¡H3)-S¡H2-S¡H3, 2-sililpentasilano SiH3-SiH(SiH3)-SiH2-SiH2-SiH3, 2,3-disililpentasilano SiH3- SiH(S¡H3)-S¡H(S¡H3)-SiH2-SiH3, 2,4-disililpentasilano SiH3-SiH(SiH3)-SiH2-SiH(SiH3)-SiH3, 2-sililhexasilano SiH3-S¡H(S¡H3)-(S¡H2)3SiH3, 3-sililhexasilano

SiH3-SiH2-S¡H(S¡H3)-(SiH2)2SiH3, 2,2-disililpentasilano SiH3-Si(SiH3)2-(SiH2)2-SiH3, 3,3-disililpentasilano SÍH3-SÍH2-SÍ (S¡H3)2-SiH2 -SiH3, 2,2,3-trisililtetrasilano SiH3-Si(SiH3)2-SiH(SiH3)-SiH3, 2-sililheptasilano SiH3-S¡H(S¡H3)-(S¡H2)4-SiH3, 3-sililheptasilano SiH3-SiH2-SiH(SiH3)-(SiH2)3-SiH3, 4-sililheptasilano SiH3- (SiH2)2-S¡H(S¡H3)-(SiH2)2-SiH3, 2,2-disililhexasilano SiH3-Si(SiH3)2-(SiH2)3-SiH3, 2,3-disililhexasilano SiH3-

S¡H(SiH3)-SiH(SiH3)-(SiH2)2-SiH3, 2,4-disililhexasilano SiH3-S¡H(S¡H3)-S¡H2-S¡H(S¡H3)-S¡H2-S¡H3, 2,5-

disililhexasilano SiH3-S¡H(S¡H3)-(S¡H2)2-S¡H(S¡H3)-S¡H3, 3,3-disililhexasilano SiH3-S¡H2-Si(S¡H3)2-(S¡H2)2- S¡H3, 3,4-disililhexasilaño SiH3-S¡H2-S¡H(S¡H3)-S¡H(S¡H3)-S¡H2-S¡H3, 2,2,3-trisililpentasilano SiH3-Si(S¡H3)2- SiH(SiH3)-SiH2-SiH3, 2,2,4-trisililpentasilano SiH3-Si(SiH3)2-SiH2-SiH(SiH3)-SiH3,2,3,3-trisililpentasilano SiH3-S¡H(SÍH3)-SÍ(SÍH3)2-S¡ H2-SÍH3, 2,3,4-trisililpentasilano SiH3-S¡H(S¡H3)-S¡H(S¡H3)-S¡H(S¡H3)-S¡H3,

2,2,3,3-tetrasililtetrasilano SiH3-S¡(S¡H3)2-Si(S¡H3)2-S¡H3, otros silanos ramificados de fórmula general S¡xH2x+2, donde x es un entero de 4 a 20 y mezclas de ellos;

(c) silanos cíclicos, escogidos entre: ciclotrisilano SÍ3H6, ciclotetrasilano SÍ4H8, ciclopentasilano SÍ5H10, ciclohexasilano SÍ6H12, otros silanos cíclicos de fórmula general Sixhtex, donde x es un entero de 3 a 20 y mezclas de ellos;

(d) silanos cíclicos sustituidos con grupos sililo, escogidos entre: silil ciclotetrasilano SÍH3-SÍ4H7, 1,2-disilil ciclopentasilano (SiH3)2-Si5H8, silil ciclohexasilano SÍH3-SÍ6H11, 1,3-disilil ciclohexasilano (S¡H3)2-S¡6H10, otros ciclosilanos sustituidos con grupos sililo de fórmula general SiyH3y-SixH2x-y donde x es un entero de 3 a 20 e y es un entero de 1 a 2x y mezclas de ellos;

(e) silenos sustituidos con grupos sililo, escogidos entre: 2-tetrasileno SiH3-S¡H=S¡H-S¡H3, 2,3-disililtetras¡l-2-

eno SiH3-Si(SiH3)=Si(SiH3)-SiH3, 2,3-disililpentasil-2-eno S¡H3-Si(S¡H3)=S¡(S¡H3)-S¡H2-SiH3, 2,5-

disililhexasil-2-eno SiH3-Si(SiH3)=SiH-S¡H2-S¡H(S¡H3)-SIH3, 2,3,4-trisililhexasil-2-eno SiH3- Si(S¡H3)=Si(SiH3)-S¡H(SiH3)-SiH2-SiH3, otros silenos sustituidos con grupos sililo de fórmula general SiyH3y- SixH2x-y donde x es un entero de 2 a 20 e y es un entero de 1 a 2x y mezclas de ellos;

y donde la cantidad de silano utilizado está comprendida entre 5 % y 10 % (volumen / volumen), la cantidad utilizada del aditivo (al menos uno) es de 0,01 a 5 % (volumen / volumen) y el resto es hidrógeno.

En otra realización, la invención proporciona un método de depósito de una película de silicio amorfo (aSI:H) o de una película de silicio microcristalino (pCSi:H) como película fotoconductora sobre un sustrato, utilizando silano, hidrógeno, y al menos un aditivo escogido entre:

(a) silanos de cadena recta de orden superior, escogidos entre: disilano SÍ2H6, trisilano SÍ3H8, tetrasilano SÍ4H10, pentasllano SI5H12, hexasilano SI6H14, heptasllano SÍ7H16, octasilano SÍ8H18, nonasilano SÍ9H20, decasilano SÍ10H22, otros silanos de cadena recta de fórmula general SixH2x+2 en la que x es un entero de 2 a 20, y sus mezclas;

(b) silanos ramificados de orden superior, escogidos entre: 2-silil-trisilano SiH3-Si(H)(SiH3)-SiH3, 2,2-disilil- trisilano SiH3-Si(SiH3)2-SiH3, 2-silil-tetrasilano SiH3-Si(H)(SiH3)-SiH2-SiH3, 2,3-disililtetrasilano SiH3- S¡H(SiH3)-SiH(SiH3)-SiH3, 2,2-disililtetrasilano SiH3-Si(SiH3)2-SiH2-SiH3, 3-sililpentasilano SÍH3-SÍH2- S¡H(SiH3)-SiH2-SiH3, 2-sililpentasilano SiH3-SiH(SiH3)-SiH2-SiH2-SiH3, 2,3-disililpentasilano SiH3- S¡H(SiH3)-SiH(SiH3)-SiH2-SiH3, 2,4-disililpentasilano SiH3-SiH(SiH3)-SiH2-SiH(SiH3)-SiH3, 2-sililhexasilano S¡H3-SiH(SiH3)-(SiH2)3SiH3, 3-sililhexasilano SiH3-SiH2-SiH(SiH3)-(SiH2)2SiH3, 2,2-disililpentasilano SiH3- Si(SiH3)2-(SiH2)2-SiH3, 3,3-disililpentasilano SiH3-SiH2-Si (SiH3)2-SiH2 -SiH3, 2,2,3-trisililtetrasilano SiH3- Si(SiH3)2-SiH(SiH3)-SiH3,... [Seguir leyendo]

Reivindicaciones:

1. Un método de depósito de una película de silicio amorfo (aSi:H) o de una película de silicio microcristalino (pCS¡:H) como película fotoconductora sobre un sustrato, que utiliza

silano;

hidrógeno;

al menos un aditivo escogido entre:

(b) silanos ramificados de orden superior, escogidos entre: 2-silil-trisilano SiH3-Si(H)(SiH3)-SiH3, 2,2-disilil- trisilano SiH3-Si(SiH3)2-SiH3, 2-silil-tetrasilano SiH3-Si(H)(S¡H3)-SiH2-SiH3, 2,3-disililtetrasilano S¡H3- SiH(SiH3)-SiH(SiH3)-SiH3, 2,2-disililtetrasilano SiH3-Si(SiH3)2-S¡H2-SiH3, 3-sililpentasilano SÍH3-SÍH2- SiH(SiH3)-SiH2-SiH3, 2-sililpentasilano SiH3-SiH(SiH3)-S¡H2-S¡H2-SiH3, 2,3-disililpentasilano S¡H3- SiH(SiH3)-SiH(SiH3)-SiH2-SiH3, 2,4-disililpentasilano S¡H3-S¡H(S¡H3)-S¡H2-SiH(SiH3)-SiH3, 2-sililhexas¡lano SiH3-SiH(SiH3)-(SiH2)3SiH3, 3-sililhexasilano

SiH3-SiH2-SiH(SiH3)-(SiH2)2SiH3, 2,2-disiMlpentasilano S¡H3-S¡(S¡H3)2-(S¡H2)2-SiH3, 3,3-disililpentasilano SÍH3-SÍH2-SÍ (SiH3)2-SiH2 -S¡H3, 2,2,3-tr¡s¡l¡ltetras¡lano S¡H3-S¡(S¡H3)2-S¡H(SiH3)-SiH3, 2-sililheptas¡lano SiH3-SiH(SiH3)-(SiH2)4-SiH3, 3-sililheptasilano S¡H3-S¡H2-S¡H(S¡H3)-(S¡H2)3-SiH3, 4-sililheptas¡lano S¡H3- (SiH2)2-SiH(SiH3)-(SiH2)2-SiH3, 2,2-dis¡l¡lhexas¡lano S¡H3-S¡(S¡H3)2-(S¡H2)3-SiH3, 2,3-disililhexasilano S¡H3- SiH(SiH3)-SiH(SiH3)-(SiH2)2-SiH3, 2,4-disililhexasilano S¡H3-S¡H(S¡H3)-S¡H2-SiH(SiH3)-SiH2-S¡H3, 2,5- disililhexasilano SiH3-SiH(SiH3)-(SiH2)2-SiH(SiH3)-S¡H3, 3,3-d¡s¡l¡lhexas¡lano SiH3-SiH2-Si(SiH3)2-(S¡H2)2- SÍH3, 3,4-disililhexasilano SiH3-SiH2-SiH(SiH3)-SiH(SiH3)-S¡H2-S¡H3, 2,2,3-trisililpentasilano SiH3-S¡(S¡H3)2- SiH(SiH3)-SiH2-SiH3, 2,2,4-trisililpentasilano SiH3-Si(SiH3)2-S¡H2-S¡H(S¡H3)-SiH3,2,3,3-trisililpentas¡lano SiH3-S¡H(SiH3)-Si(SiH3)2-S¡ H2-SÍH3, 2,3,4-trisililpentasilano S¡H3-S¡H(S¡H3)-SiH(SiH3)-SiH(S¡H3)-S¡H3, 2,2,3,3-tetrasililtetrasilano SiH3-Si(SiH3)2-Si(SiH3)2-SiH3, otros silanos ramificados de fórmula general SixH2x+2, donde x es un entero de 4 a 20 y mezclas de ellos;

(c) silanos cíclicos, escogidos entre: ciclotrisilano SÍ3H6, ciclotetrasilano SÍ4H8, ciclopentasilano SÍ5H10, ciclohexasilano SÍ6H12, otros silanos cíclicos de fórmula general SixH2x, donde x es un entero de 3 a 20 y mezclas de ellos;

(d) silanos cíclicos sustituidos con grupos sililo, escogidos entre: silil ciclotetrasilano SÍH3-SÍ4H7, 1,2-disilil ciclopentasilano (SiH3)2-Si5H8, silil ciclohexasilano SÍH3-SÍ6H11, 1,3-disilil ciclohexasilano (SiH3)2-Si6H10, otros ciclosilanos sustituidos con grupos sililo de fórmula general SiyH3y-SixH2x-y donde x es un entero de 3 a 20 e y es un entero de 1 a 2x y mezclas de ellos;

(e) silenos sustituidos con grupos sililo, escogidos entre: 2-tetrasileno SiH3-SiH=SiH-SiH3, 2,3-disililtetrasil-2- eno SiH3-Si(SiH3)=Si(SiH3)-SiH3, 2,3-disililpentasil-2-eno SiH3-Si(SiH3)=Si(SiH3)-SiH2-SiH3, 2,5- disililhexasil-2-eno SiH3-Si(SiH3)=SiH-SiH2-SiH(SiH3)-SiH3, 2,3,4-trisililhexasil-2-eno SÍH3- Si(SiH3)=Si(SiH3)-SiH(SiH3)-SiH2-SiH3, otros silenos sustituidos con grupos sililo de fórmula general SiyH3y- SixH2x-y donde x es un entero de 2 a 20 e y es un entero de 1 a 2x y mezclas de ellos; y

opcionalmente al menos un aditivo adicional escogido entre:

(h) silanos sustituidos con halógenos, escogidos entre: monoclorosilano SiH3CI, diclorosilano SiH2CI2, triclorosilano SiHCI3, tetraclorosilano (SiCU) y clorodisilano SiH3-SiH2CI y sus mezclas;

(i) gases que contienen halógenos, escogidos entre: cloro Cl2, cloruro de hidrógeno HCI, trifluoruro de cloro CIF3, trifluoruro de nitrógeno NF3, flúor F2, fluoruro de hidrógeno HF, bromo Br2, bromuro de hidrógeno HBr, ioduro de hidrógeno Hl y sus mezclas;

en el que el silano utilizado lo es en una cantidad de 5 a 10 % (volumen / volumen), el aditivo (al menos uno) usado lo es en una cantidad de 0,01 a 5 % (v/v), el aditivo adicional (al menos uno), cuando se usa, se hace en una cantidad de 0,01 a 5 % (v/v)y el resto es hidrógeno.

2. El método de la reivindicación 1 que utiliza silano;

hidrógeno;

al menos un aditivo escogido en los grupos de (a) a (e) y

al menos un aditivo adicional escogido entre los compuestos de los grupos (h) e (i).

3. El método de cualquiera de las reivindicaciones precedentes, en el que el depósito se lleva a cabo a una temperatura de sustrato de 25 °C a 500 °C y a una presión de 1,33 a 2000 Pa (0,01 a 15 torr).

4. El método de la reivindicación 3, en el que la temperatura del sustrato es de 150 a 250 °C.

5. El método de cualquiera de las reivindicaciones precedentes, en el que el depósito es un proceso escogido en el grupo que consiste en los siguientes: deposición química de vapor (CVD, por sus siglas en inglés), deposición química de vapor mejorada con plasma (PECVD), deposición química de vapor de baja presión (LPCVD), deposición química de vapor de filamento callente (HWCVD), deposición química de vapor ¡nielada (ICVD) y deposición química

de vapor a presiones sub-atmosférlcas (SA-CVD).

6. El método de cualquiera de las reivindicaciones precedentes, en el que el depósito se realiza mediante deposición química de vapor mejorada con plasma a una densidad de potencia de plasma que varía de 0,19 a 1,6 W/cm2 y a una frecuencia de plasma que varía de 13,56 a 40,68 MHz.

7. El método de la reivindicación 6, que es un método de depósito de una película de silicio amorfo (aSi:H) a una velocidad de depósito de 10 a 200 Á/s o es un método de depósito de una película de silicio microcristalino (pCSi:H) a una velocidad de depósito de 10 a 100 Á/s.

8. El método de las reivindicaciones 6 o 7 que es un método de depósito de una película de silicio amorfo (aSi:H)

que permite obtener una célula solar de unión única que tiene rendimientos de 5 a 15 %; o bien es un método de depósito de una película de silicio microcristalino (pCSi:H) que permite obetener una célula solar con unión en tándem que tiene rendimientos de 7 a 20 %.

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