CIP-2021 : H01L 31/18 : Procesos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas.
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H ELECTRICIDAD.
H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.
H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación).
H01L 31/00 Dispositivos semiconductores sensibles a la radiación infrarroja, a la luz, a la radiación electromagnética de ondas más cortas, o a la radiación corpuscular, y adaptados bien para la conversión de la energía de tales radiaciones en energía eléctrica, o bien para el control de la energía eléctrica por dicha radiación; Procesos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o el tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas; Sus detalles (H01L 51/42 tiene prioridad; dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común, diferentes a las combinaciones de componentes sensibles a la radiación con una o varias fuentes de luz eléctrica H01L 27/00).
H01L 31/18 · Procesos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas.
CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.
METODO DE FABRICACION DE HETEROUNIONES DE SULFURO DE CADMIO SULFURO DE COBRE, QUE EXHIBEN EFECTO FOTOVOLTAICO EN CELULAS SOLARES.
(16/09/1985). Solicitante/s: ARJONA ANCHORIZ,FRANCISCO FATAS LAHOZ,ENRIQUE.
METODO DE FABRICACION DE HETEROUNIONES DE SULFURO DE CADMIO SULFURO DE COBRE, QUE EXHIBEN EFECTO FOTOVOLTAICO EN CELULAS SOLARES.COMPRENDE: SUMERGIR UN SUSTRATO METALICO EN UNA DISOLUCION DE PH ADECUADO QUE TIENE UNA SAL DE CADMIO Y AZUFRE COLOIDAL, PROCEDENTE DE LA DESPROPORCIONACION DE NA2S2O3; SUMERGIR EL SUSTRATO Y FILM ANTERIOR EN UNA DISOLUCION QUE CONTIENE UNA SAL DE CADMIO, AGENTES COMPLEJANTES Y COMPUESTOS QUE CONTIENEN AZUFRE; RETIRAR DE LA DISOLUCION EL SUSTRATO CON LA PELICULA DE SULFURO DE CADMIO; HUNDIR EL SUSTRATO CON LA PELICULA DE SULFURO DE CADMIO POLICRISTALINO EN UNA DISOLUCION QUE COMPRENDE UNA SAL DE COBRE, AGENTES COMPLEJANTES Y UN COMPUESTO QUE CONTIENE AZUFRE; CORTOCIRCUITAR DURANTE CIERTO TIEMPO LA PILA GALVANICA RESULTANTE DE INTRODUCIR UNA LAMINA DE COBRE Y EL SUSTRATO CON LA HETEROUNION CDS/CUXS EN UNA DISOLUCION DE UNA SAL DE COBRE.
PROCEDIMIENTO PARA IMPEDIR CORTOCIRCUITOS O DERIVACIONES EN UNA CELULA SOLAR DE CAPA DELGADA DE GRAN SUPERFICIE.
(01/12/1984). Solicitante/s: NUKEM GMBH.
PROCEDIMIENTO PARA IMPEDIR CORTOCIRCUITOS O DERIVACIONES EN UNA CELULA SOLAR DE CAPA DELGADA DE GRAN SUPERFICIE.COMPRENDE UN SUSTRATO CON UN CONTACTO ELECTRICAMENTE CONDUCTOR, SOBRE EL CUAL SE APLICA UNA PRIMERA CAPA DE CONDUCTIVIDAD P O N, Y UNA SEGUNDA CAPA DE CONDUCTIVIDAD N O P, QUE HA DE SUSTITUIRSE POR UNA CAPA DE BARRERA SCHOTTKY, Y QUE A SU VEZ ES PROVISTA DE OTRO CONTACTO ELECTRICAMENTE CONDUCTOR . DESPUES DE LA APLICACION DE LA PRIMERA CAPA, Y ANTES DE LA APLICACION DE LA SEGUNDA, SE PASIVAN LAS ZONAS DEL PRIMER CONTACTO ELECTRICAMENTE CONDUCTOR QUE NO HAN SIDO EFICAZMENTE CUBIERTAS POR LA PRIMERA CAPA.
PROCEDIMIENTO DE FABRICACION DE UN ELEMENTO SEMI-CONDUCTOR, EN PARTICULAR CELULAS SOLARES FOTOVOLTAICAS.
(01/11/1984). Solicitante/s: SECRETAIRE DES SERVICES DE PROGRAMMATION POLITIQUE, DE BELGISCHE STAAT, L'ETAT BELGE.
PROCEDIMIENTO PARA LA FABRICACION DE UN ELEMENTO SEMI-CONDUCTOR, EN PARTICULAR CELULAS SOLARES FOTOVOLTAICAS, QUE COMPRENDE UNA SUPERFICIE ANTERIOR FOTOSENSIBLE Y UNA SUPERFICIE POSTERIOR DISPUESTA PARA REALIZAR UN CONTACTO OHMICO.COMPRENDE LAS SIGUIENTES OPERACIONES: PRIMERA, SE REALIZA UNA UNION SOBRE LA SUPERFICIE ANTERIOR DE LA PLACA DE SUSTRATO SEMI-CONDUCTOR MEDIANTE DIFUSION EN ESTA DE UNA MATERIA DE DOPADO; SEGUNDA, SE RECUBRE LA SUPERFICIE ANTERIOR DOPADA CON UNA CAPA DE MATERIA ANTI-REFLECTANTE; TERCERA, SE RECUBRE MEDIANTE SERIGRAFIA LA CAPA DE MATERIA ANTI-REFLECTANTE CON UNA CAPA A BASE DE PLATA; CUARTA, SE SOMETE LA PASTA A BASE DE PLATA A UN TRATAMIENTO TERMICO; Y POR ULTIMO, SE SOMETE LA SUPERFICIE POSTERIOR DE LA PLACA A UN TRATAMIENTO ANALOGO AL MENCIONADO.
PROCEDIMIENTO DE FABRICACION DE UN DISPOSITIVO SEMI-CONDUCTOR, EN PARTICULAR DE UNA CELULA SOLAR FOTOVOLTAICA.
(01/06/1984). Solicitante/s: BELGISCHE STAAT, L'ETAT BELGE.
PROCEDIMIENTO DE FABRICACION DE UN DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR EN PARTICULAR DE UNA CELULA SOLAR FOTOVOLTAICA.CONSISTE EN VARIAS ETAPAS: A) REALIZAR UNA UNION SOBRE LA SUPERFICIE ANTERIOR DE LA PLACA DE SUBSTRATO SEMICONDUCTOR MEDIANTE DIFUSION EN ESTA DE UNA MATERIA DE DOPADO; B) RECUBRIR LA SUPERFICIE ANTERIOR DOPADA CON UNA CAPA DE MATERIA ANTI-REFLECTANTE; C) RECUBRIR POR SERIGRAFIA LA CAPA DE MATERIA ANTI-REFLECTANTE CON UNA CAPA DE PASTA DE BASE DE PLATA; D) SOMETER LA PASTA A BASE DE PLATA A UN TRATAMIENTO TERMICO CONTROLADO; E) APLICAR POR SERIGRAFIAEN AL MENOS UNA PARTE IMPORTANTE DE LA SUPERFICIE POSTERIOR DE LA PLACA DE SUBSTRATO SEMICONDUCTOR UNA PRIMERA CAPA, FORMADA POR UNA PASTA DE ALUMINIO; Y F) APLICAR POR SERIGRAFIA SOBRE LA PRIMERA CAPA DE ALUMINIO, UNA SEGUNDA CAPA CUYO PORCENTAJE DE COBERTURA TIENE DE 10 A 40 FORMADA POR UNA PASTA A BASE DE PLATA O PALADIO O POR UNA SEGUNDA PASTA DE PLATA.
METODO DE FABRICACION DE UNA CELULA SOLAR DE SULFURO DE CADMIO.
(16/04/1984). Solicitante/s: PRUTEC LIMITED.
METODO DE FABRICACION DE UNA CELULA SOLAR DE SULFURO DE CADMIO.SE FORMA UNA CELULA CON UN SUSTRATO DE VIDRIO , UN CONTACTO FRONTAL , UNA CAPA DE SULFURO DE CADMIO , Y UNA CAPA DE COBRE . LA UNION ENTRE AMBAS CAPAS ES FOTOVOLTAICA. PARA FORMAR UN CONTACTO SOBRE LA CAPA DE SULFURO DE COBRE, SE DEPOSITA EN FASE DE VAPOR SOBRE ELLA UNA CAPA MEZCLADA DE COBRE Y OXIDO DE COBRE. SE REALIZA POSTERIORMENTE UN TRATAMIENTO TERMICO PARA OPTIMIZAR EL RENDIMIENTO ELECTRICO DE LA CELULA.
UN METODO MEJORADO PARA LA OBTENCION DE CAPAS DE SULFURO DE CADMIO.
(12/01/1984). Solicitante/s: STANDARD ELECTRICA, S.A..
METODO PARA LA OBTENCION DE CAPAS DE SULFURO DE CADMIO, LAS CUALES PRESENTAN UN EFECTO FOTOVOLTAICO EN LAS CELULAS SOLARES.COMPRENDE LAS SIGUIENTES OPERACIONES: PRIMERA, SE DEPOSITA SOBRE UN SUSTRATO UNA CAPA DE SULFURO DE CADMIO POR ELECTROLISIS CON CORRIENTE ALTERNA, PROCEDENTE DE UN ELECTROLITO QUE CONTIENE UNA SAL DE CADMIO Y UNOS COMPUESTOS CON CONTENIDO DE AZUFRE; SEGUNDA, DICHO SUSTRATO CON LA CAPA DE SULFURO DE CADMIO EN EL DEPOSITADA SE SEPARA DE LA SOLUCION DEL ELECTROLITO; Y POR ULTIMO, EL SUSTRATO PREPARADO SE SOMETE A UN PROCESO DE TEMPLE PARA PRODUCIRUNA CAPA DE SULFURO DE CADMIO POLICRISTALINO.
PERFECCIONAMIENTOS EN LA CONSTRUCCION DE CELULAS SOLARES.
(16/05/1982). Solicitante/s: SOLAREX CORPORATION.
PROCEDIMIENTO PARA LA APLICACION DE UN REVESTIMIENTO ANTIRREFLECTANTE A LA SUPERFICIE DE UNA CELULA DE ENERGIA SOLAR. COMPRENDE LAS SIGUIENTES ETAPAS: PRIMERA, SE CALIENTA LA SUPERFICIE DE LA CELULA DE ENERGIA SOLAR A UNA TEMPERATURA APROXIMADA DE UNOS 325, SEGUNDA, SE DIRIGE HACIA DICHA SUPERFICIE CALIENTE UNA CORRIENTE DE VAPOR DE UN COMPUESTO METALICO SELECCIONADO ENTRE UN HALURO METALICO Y UN ALCOXILO METALICO, SOLO O EN COMBINACION CON UN GAS REDUCTOR, Y POR ULTIMO SE DIRIGE TAMBIEN CONTRA DICHA SUPERFICIE UNA CORRIENTE DE OXIGENO DE TAL FORMA QUE OXIDE EL COMPUESTO METALICO YA DEOSITADO, FORMANDOSE UNA CAPA ANTIRREFLECTANTE SOBRE DICHA SUPERFICIE.
PROCEDIMIENTO PARA LA FABRICACION POR TRANSFERENCIA DE PANELES DE CELULAS FOTOELECTRICAS.
(16/05/1982). Solicitante/s: VILAPRINYO OLIVA,ENRIQUE CLABE,JEAN.
PROCEDIMIENTO PARA LA FABRICACION POR TRANSFERENCIA DE PANELES DE CELULAS FOTOELECTRICAS (CERTIFICADO DE ADICION DE LA PATENTE DE INVENCION NUM. 489479). SE PARTE DE UN SOPORTE PLASTICO, TAL COMO POLIPROPILENO EN BANDA, SOBRE EL QUE SE COLOCAN CONTACTOS ELECTRICOS CONSTITUIDOS POR TIRAS LONGITUDINALES PARALELAS AL BORDE DE LA BANDA Y SEPARADOS ENTRE SI POR ZONAS DE ANCHURA CONSTANTE. SOBRE LA MISMA BANDA DE SOPORTES SE AÑADE UN PRIMER SEMICONDUCTOR, POR EJEMPLO, SCD, EN FORMA DE TIRAS MAS ANCHAS QUE LOS CONTACTOS ELECTRICOS Y SOLAPANDOSE CON ESTOS. SOBRE ESTA PRIMERA CAPA SE COLOCA UNA SEGUNDA DE TIRAS SEMICONDUCTORAS, TAL COMO DE SCU.
UN METODO PARA LA FABRICACION DE CELULAS FOTOVOLTAICAS.
(16/12/1980) METODO DE FABRICAICON DE CELULAS FOTOVOLTAICAS. CONSISTE EN ROCIAR, SOBRE UNA PLANCHA DE VIDRIO CALIENTE (VIDRIO NES) REVESTIDO CON SNOX, CON UNA PELICULA CONDUCTORA TRANSPARENTE; CON UNA SOLUCION COMPRENDIENDO UN SOLVENTE; UNA SAL DE CADMIO; UN COMPUESTO CONTENIENDO AZUFRE Y UN COMPUESTO SOLUBLE CONTENIENDO ALUMINIO ALTAMENTE CONCENTRADO. UNA SOLUCION COMPLEMENTARIA A BASE DE UNA SAL DE CADMIO Y UN COMPUESTO CONTENIENDO AZUFRE, CON BAJA CONCENTRACION DE ALUMINIO, PUEDE SER POSTERIORMENTE ROCIADA SOBRE EL SUBSTRATO DE VIDRIO. EL PROCESO DE ROCIADO SE REALIZA MANTENIENDO LA SUPERFICIE DEL SUBSTRATO A UNA TEMPERATURA CONSTANTE DEL ORDEN DE 257G A 588GC, CALENTANDOLO POSTERIORMENTE HASTA UNA TEMPERATURA DE 525GC EN UNA ATMOSFERA DE OXIGENO, Y ENFRIANDO…
PROCEDIMIENTO PARA APLICAR UN CONTACTO ELECTRICAMENTE CONDUCTOR A LA SUPERFICIE DE UNA CELULA FOTOVOLTAICA.
(16/09/1980). Solicitante/s: SOLAREX CORPORATION.
Procedimiento para aplicar un contacto eléctricamente conductor a la superficie de una célula fotovoltaica, caracterizado porque comprende las etapas de forma partículas de un material metálico a una temperatura superior a la temperatura de aleación de dicho material con silicio; y pulverizar dichas partículas hacia la citada superficie, a una distancia tal que las partículas entren en contacto con la superficie a una temperatura a la cual se alearan con el silicio adheriendose con ello a dicha superficie.
POTENCIOMETRO OPTOELECTRONICO.
(01/07/1976). Solicitante/s: RECEL,S.A..
Resumen no disponible.
PERFECCIONAMIENTOS INTRODUCIDOS EN LOS CIRCUITOS PARA DISMINUIR EL CONTENIDO DE ARMONICAS DE DETECTORES INDUCTIVOS DE LAZO.
(16/04/1975). Solicitante/s: SIEMENS A. G..
Perfeccionamientos introducidos en los circuitos para disminuir el contenido de armónicas de detectores inductivos de lazo, caracterizados porque en el oscilador del detector de lazo se conduce desde un traslator situado en la rama del colector del transistor, a través de un diodo y mediante un arrollamiento auxiliar, una tensión invertida a la base del transistor, y porque entre la base y el emisor del transistor está conectado un condensador.