Procedimiento de fabricación de una célula fotovoltaica con contactos interdigitados en la cara trasera.

Procedimiento de fabricación de una célula fotovoltaica con contactos interdigitados en la cara trasera,

caracterizado por que comprende:

- el suministro de un sustrato (1) de silicio dopado,

- la formación, en la cara trasera (B) de dicho sustrato (1), de una capa semiconductora dopada (10) con una primera especie de dopantes,

- la formación, en dicha capa semiconductora dopada (10), de una capa denominada dopante (11) que comprende una segunda especie de dopantes, de tipo eléctrico opuesto al de la primera especie (10),

- la formación, en la capa semiconductora dopada (10), de por lo menos una región (10a) dopada de tipo opuesto al de la primera especie, por irradiación selectiva de por lo menos una región 15 (11a) de la capa dopante (11) por un flujo luminoso cuya fluencia es superior a un umbral (S2), denominado "umbral de inversión de dopaje" más allá del cual los dopantes de la región irradiada (11a) de la capa dopante (11) se difunden en la región (10a) subyacente de la capa semiconductora dopada (10) de manera que exceda la concentración de la primera especie de dopantes,

- la formación, en la capa semiconductora dopada (10), de por lo menos una región (10b) eléctricamente aislante, por irradiación selectiva de por lo menos una región (11b) de la capa dopante (11) por un flujo luminoso cuya fluencia está comprendida en un intervalo ([S1-S2]), denominado "intervalo de compensación del dopaje" inferior a dicho umbral (S2) de inversión de dopaje, para el cual los dopantes de la región irradiada (11b) de la capa dopante (11) se difunden en la región (10b) subyacente de la capa semiconductora dopada (10) de manera que se equilibren las concentraciones de las dos especies de dopantes en dicha región (10b), estando dicha región (10b) eléctricamente aislante dispuesta de forma que separe una región (10c) de la capa (10) dopada con la primera especie de por lo menos una región (10a) dopada de tipo opuesto al de la primera especie.

Tipo: Patente Internacional (Tratado de Cooperación de Patentes). Resumen de patente/invención. Número de Solicitud: PCT/EP2013/057031.

Solicitante: COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES.

Nacionalidad solicitante: Francia.

Dirección: 25, rue Leblanc, Bâtiment "Le Ponant D" 75015 Paris FRANCIA.

Inventor/es: GALL,SAMUEL.

Fecha de Publicación: .

Clasificación Internacional de Patentes:

  • H01L31/068 SECCION H — ELECTRICIDAD.H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctrica en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 31/00 Dispositivos semiconductores sensibles a la radiación infrarroja, a la luz, a la radiación electromagnética de ondas más cortas, o a la radiación corpuscular, y adaptados bien para la conversión de la energía de tales radiaciones en energía eléctrica, o bien para el control de la energía eléctrica por dicha radiación; Procesos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o el tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas; Sus detalles (H01L 51/42 tiene prioridad; dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común, diferentes a las combinaciones de componentes sensibles a la radiación con una o varias fuentes de luz eléctrica H01L 27/00). › siendo las barreras de potencial únicamente del tipo PN a homounión, p.ej. células solares PN a homounión de sílice homogéneo o de láminas de sílice policristalino.
  • H01L31/18 H01L 31/00 […] › Procesos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas.

PDF original: ES-2570007_T3.pdf

 

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