Método de metalización de sustratos de célula solar.

Un método de metalización de un sustrato de célula solar (201) que comprende,

en este orden, las etapas de

(i) proporcionar un sustrato de célula solar (201) que tiene una base de chapado (202) sobre al menos una parte de una superficie de dicho sustrato (201),

(ii) depositar una primera capa resistente (203) sobre todo el sustrato (201), incluyendo los bordes y las paredes laterales de dicho sustrato (201), y dar textura a dicha primera capa resistente (203) y formar así primeras aberturas (204) que exponen al menos una parte de la base de chapado (202),

(iii) formar una capa de siembra conductora (205) encima de la primera capa resistente con textura (203) y sobre aquellas partes de la base de chapado que están expuestas por las primeras aberturas (204),

(iv) electrochapar una primera capa de metal o de aleación metálica (206) sobre la capa de siembra conductora (205) formada en la etapa (iii),

(v) decapar una cantidad de la primera capa de metal o de aleación metálica (206) suficiente para retirar la primera capa de metal o de aleación metálica (206) de la primera capa resistente con textura (203), dejando una primera capa de metal o de aleación metálica con textura (206) en las primeras aberturas (204),

(vi) decapar la capa de siembra conductora (205) de la primera capa resistente con textura (203), y

(vii) retirar la primera capa resistente con textura (203).

Tipo: Patente Europea. Resumen de patente/invención. Número de Solicitud: E12184514.

Solicitante: ATOTECH DEUTSCHLAND GMBH.

Nacionalidad solicitante: Alemania.

Dirección: ERASMUSSTRASSE 20 10553 BERLIN ALEMANIA.

Inventor/es: LAMPRECHT, SVEN, MATEJAT, KAI-JENS, SCHOENENBERGER,CATHERINE, VOSS,DR. TORSTEN, SPERLING,JAN.

Fecha de Publicación: .

Clasificación Internacional de Patentes:

  • H01L31/0224 ELECTRICIDAD.H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 31/00 Dispositivos semiconductores sensibles a la radiación infrarroja, a la luz, a la radiación electromagnética de ondas más cortas, o a la radiación corpuscular, y adaptados bien para la conversión de la energía de tales radiaciones en energía eléctrica, o bien para el control de la energía eléctrica por dicha radiación; Procesos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o el tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas; Sus detalles (H01L 51/42 tiene prioridad; dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común, diferentes a las combinaciones de componentes sensibles a la radiación con una o varias fuentes de luz eléctrica H01L 27/00). › Electrodos.
  • H01L31/18 H01L 31/00 […] › Procesos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas.

PDF original: ES-2573137_T3.pdf

 

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