(09/10/2019) Procedimiento de tratamiento de una superficie libre de un material, que comprende una etapa (E1) de emisión de al menos un primer flujo gaseoso (QL1pur-QL4pur y QCpur), una etapa (E2) de barrido de la superficie libre del material por el primer flujo (QL1pur-QL4pur y QCpur) seguida por una etapa (E3) de evacuación del primer flujo por al menos una zona de evacuación (103a-103d), caracterizado por que comprende, simultáneamente a la etapa (E1) de emisión del primer flujo (QL1pur-QL4pur y QCpur), una etapa (E4) de emisión de al menos un segundo flujo gaseoso (Qapro-Qdpro) formando una cubierta de protección por encima de la superficie libre del material , separada de dicha superficie libre y una etapa (E6) de evacuación del segundo flujo gaseoso (Qapro-Qdpro) por una parte superior de dicha zona de evacuación (103a-103d) de un recipiente , siendo evacuado…

(24/07/2019) Crisol para la fabricación de un lingote de silicio por solidificación que comporta un fondo y paredes laterales formadas al menos parcialmente por un material refractario, caracterizado porque: - el material refractario es grafito que presenta un coeficiente de dilatación térmica medio, en un rango de temperatura comprendido entre la temperatura ambiente y la temperatura de fusión del silicio, superior o igual al coeficiente de dilatación térmica de dicho silicio en dicho rango de temperatura; - las paredes laterales del crisol están al menos en parte recubiertas por una capa impermeable al aire a base de carburo de silicio; - y el crisol comporta un sistema de apriete que conecta dos paredes laterales adyacentes, el sistema de apriete está configurado para autorizar la separación de las dos paredes…

(26/06/2019) Procedimiento para el crecimiento de monocristales de la fase beta de óxido de galio (b-Ga2O3) a partir de la masa fundida contenida en un crisol metálico, que comprende las etapas de: - proporcionar en una cámara de crecimiento un sistema térmico u horno de crecimiento que comprende el crisol metálico que contiene el material de partida de Ga2O3 , un aislamiento térmico que rodea al crisol metálico y un calentador dispuesto alrededor del crisol metálico ; - proporcionar o crear un germen cristalino dentro del horno de crecimiento ; - introducir por lo menos en el horno de crecimiento una atmósfera de crecimiento que contiene oxígeno; - calentar el crisol metálico mediante el calentador , que a su vez calienta el…

(13/05/2019) Crisol para la solidificación direccional de un lingote de silicio, comprendiendo dicho crisol un molde destinado a recibir silicio en fusión, y un elemento amovible que forma barrera de difusión con las impurezas metálicas y dispuesto en el fondo de la cara interna de dicho molde, estando formado el elemento amovible en todo o en parte por una capa barrera formada por al menos un material seleccionado del grupo constituido por la sílice SiO2, el nitruro de silicio Si3N4, el carburo de silicio SiC, el carbonitruro de silicio, el oxinitruro de silicio, el grafito y sus mezclas y que presenta una pureza de al menos un 99,95% en masa, presentando la capa barrera un grosor propicio para la retención…

(20/02/2019) Un método de refinado y solidificación direccional de silicio para formar un lingote de silicio , que comprende las etapas de: formar una masa fundida del silicio en un recipiente que comprende paredes y un fondo ; poner en contacto una capa de contacto de una placa de contacto de temperatura controlada con la superficie de la masa fundida , comprendiendo dicha placa de contacto de temperatura controlada una capa conductora de calor en contacto operativo con medios de refrigeración , una capa calentada localizada entre una primera capa intermedia y una segunda capa intermedia debajo de la capa conductora de calor y…

(10/09/2018) Procedimiento de fabricación de un cuerpo semiconductor, comprendiendo el procedimiento las etapas de: a. proporcionar un material semiconductor fundido, que tiene una superficie; b. proporcionar un molde poroso, que comprende una superficie de formación; c. proporcionar un régimen de presión diferencial de manera que la presión en al menos una parte de la superficie de formación es menor que la presión en la superficie de material fundido; d. poner en contacto la superficie de formación con el material fundido durante una duración de contacto de manera que, durante al menos una parte de la duración de contacto, el régimen de presión diferencial se proporciona de manera que un cuerpo de material semiconductor solidifica sobre la superficie de formación; e. provocar el movimiento de la superficie de formación…

(12/10/2016) Un elemento de contacto de silicio fundido que tiene una capa de cuerpo poroso sinterizado presente en una superficie del mismo, donde la capa de cuerpo poroso sinterizado comprende un cuerpo sinterizado que se puede obtener mediante: moldeo de una mezcla para formar un producto moldeado, mezcla que contiene partículas orgánicas que comprenden una resina que se puede descomponer térmicamente y que tiene un diámetro promedio de partícula de 1 a 25 μm, y un polvo sinterizable que esencialmente consiste en nitruro de silicio; calcinar el producto moldeado hasta que las partículas orgánicas desaparecen; y …

(06/01/2016) Intercambiador térmico de un sistema de solidificación y/o de cristalización de un material semiconductor, que comprende una primera pieza (2; 2a; 2b; 2c; 2d; 2e; 2f; 2g; 2h; 2i; 2j) y una segunda pieza (3; 3a; 3b; 3c; 3d; 3e; 3f; 3g; 3h; 3i; 3j), siendo las primera y segunda piezas desplazables una con respecto a la otra, caracterizado por que la primera pieza comprende unos primeros relieves y la segunda pieza comprende unos segundos relieves , estando los primeros relieves destinados a cooperar con los segundos relieves y por que comprende un elemento de desplazamiento de la primera pieza en relación con la segunda pieza que permite controlar un flujo de calor intercambiado, por…

(16/12/2015) Dispositivo que forma un crisol para la fabricación de material cristalino por cristalización dirigida que incluye un fondo y al menos una pared lateral en el que el fondo incluye: - una primera parte (2a) que presenta una primera resistencia térmica y una segunda parte (2b) que presenta una segunda resistencia térmica inferior a la primera resistencia térmica y destinada a recibir una semilla en el segundo material cristalino para la fabricación de dicho material cristalino, estando el fondo y dicha al menos una pared lateral formados al menos en parte por una pieza estanca que incluye al menos un endentado que participa para definir dichas partes primera y segunda (2a, 2b), dispositivo caracterizado porque la primera parte (2a) está recubierta por una primera…

(26/11/2014) Fragmento de silicio policristalino con una concentración de carbono en la superficie de 0,5-35 ppbw.

(10/09/2014) Un implante bioabsorbible que comprende: un elemento metálico alargado que comprende más de aproximadamente el 50 % en peso de un metal seleccionado del grupo que consiste en magnesio, hierro, cinc, calcio y manganeso y combinaciones de los mismos, y que no tiene sustancialmente metales de las tierras raras, definiendo el elemento metálico alargado al menos una parte del implante bioabsorbible, en el que el metal define al menos uno de (i) un grano individual continuo que tiene una relación de aspecto de longitud de grano y diámetro de grano de al menos 10:1 y (ii) una microestructura columnar que incluye granos que tienen una longitud de grano promedio de al menos…

(10/09/2014) Crisol para la producción de lingotes de material semiconductor cristalino, tal como silicio, comprendiendo dicho crisol paredes laterales periféricas (1 b) y un piso (1 a) estando al menos una porción de dicho piso revestida con una capa superior , caracterizado porque, dicha capa superior tiene un espesor, δ, de al menos 500 μm y porque, a una temperatura de deformación por debajo de 1.400 °C, dicha capa superior se puede deformar en forma plástica o viscosa.

(18/06/2014) Dispositivo de guiado de ondas ultrasonoras susceptible de ser utilizado en un recinto térmicamente aislante de un horno de cristalización de silicio y destinado a ser insertado parcialmente en el recinto de dicho horno por un orificio dispuesto en la pared del recinto, caracterizado porque comprende: - una guía de onda de sílice cristalina, que comprende una cara de entrada de una onda ultrasonora, una cara de salida de una onda ultrasonora y una superficie lateral que une la cara de entrada y la cara de salida, - una estructura de grafito o de carburo de silicio, que rodea al menos parcialmente la superficie lateral de la guía de onda, - una…

(01/01/2014) Un método para la producción de una materia prima de silicio, siendo la materia prima de silicio para laproducción de lingotes de silicio solidificados direccionalmente por el método de Czochalski, por zona de flotación omulti-cristalino, láminas de silicio delgadas o cintas para la producción de obleas de silicio para células solaresfotovoltaicas, caracterizado porque el silicio de grado metalúrgico producido en un horno de arco eléctrico medianteun horno de reducción carbotérmica y que contiene hasta 300 ppm (átomos) de boro y hasta 100 ppm (átomos) defósforo se somete a las siguientes etapas de refino: a) tratamiento del silicio de grado metalúrgico con una escoria de calcio-silicato para reducir el contenido de boro delsilicio a entre 0,3 ppm (átomos) y 5,0 ppm (átomos); b) solidificar el silicio tratado con escoria de la etapa a); c)…

(18/12/2013) Un aparato de fabricación de un sustrato de silicio usando colada continua, que comprende: una unidad de crisol configurada para recibir silicio en bruto y que tiene un puerto de descarga que penetra enuna pared lateral de la misma y está dispuesta en una dirección horizontal; una unidad calefactora que se proporciona en una pared exterior y en una superficie inferior externa de la unidadde crisol y que calienta la unidad de crisol para fundir el silicio en bruto en la unidad de crisol y formar siliciofundido; una unidad de colada que cuela el silicio fundido, descargado por medio del puerto de descarga de la unidad decrisol, hasta formar un sustrato…

(11/12/2013) Aparato para producir lingotes de silicio multicristalino por medio del método de inducción, que comprende unacaja , la cual incluye medios para el calentamiento inicial de silicio, un crisol refrigerado envuelto por uninductor y que tiene un fondo movible y cuatro paredes que constan de secciones separadas entre sí por ranuras que se extienden verticalmente, medios para mover el fondo movible, y uncompartimento de refrigeración controlada, dispuesto debajo del crisol refrigerado, en donde su cara interiordefine una cámara de fusión de sección transversal rectangular o cuadrada y las paredes del crisol refrigerado seextienden hacia fuera por lo menos desde el inductor en dirección a la porción más baja del crisol refrigerado paraasí expandir la cámara de fusión, caracterizado porque cada pared del crisol refrigerado tiene una sección…

(06/11/2013) Dispositivo para controlar el estado de avance de la cristalización de un baño de material fundido realizado en unacámara térmicamente aislante de un horno de cristalización de acuerdo con un procedimiento de solidificacióndirigida, que comprende una fuente de ultrasonidos y un detector de ultrasonidos , caracterizado porque: - la fuente de ultrasonidos comprende n conjunto(s), siendo n un número entero mayor que o igual a 1,comprendiendo cada conjunto de la fuente un transductor , que es capaz de emitir una onda ultrasónica,conectado a una guía de ondas , que es capaz de guiar la onda ultrasónica producida por dicho transductor, haciala interfase vapor-líquido del baño líquido, - el detector de ultrasonidos comprende al menos 2n conjuntos, comprendiendo cada…

(16/10/2013) Proceso de fabricación de lingotes de silicio multicristalino por el método de inducción, comprendiendo elproceso los pasos de cargar una materia prima de silicio al interior de la cámara de fusión de un crisolrefrigerado rodeado por un inductor; formar una superficie de masa fundida; fundir mientras se supervisan losparámetros de salida de la alimentación del inductor; y extraer el lingote de silicio multicristalino bajo condicionesde enfriamiento controladas; estando dicho proceso caracterizado por el hecho de que, a lo largo de la fusión,la velocidad másica de carga de la materia prima de silicio y la velocidad de extracción del lingote se ajustan deforma tal que hacen que la posición de la superficie de la masa fundida quede por debajo del plano superior delinductor…

(29/05/2013) Horno de fusión y de solidificación para material cristalino provisto de: - un crisol que tiene un fondo y paredes laterales , mostrando el crisol une dirección longitudinal perpendicular al fondo - un sistema lateral de aislamiento térmico colocado alrededor del crisol frente a las paredes laterales , estando provisto el sistema lateral de aislamiento térmico de al menos un elemento lateral (7a, 7b, 7c, 7'a, 7'b, 7'c) que se desplaza entre una posición de aislamiento y una posición que favorece la disipación térmica, horno caracterizado porque: - el sistema lateral de aislamiento térmico está constituido por al menos dos subelementos adyacentes que forman un anillo continuo…

(11/04/2013) Un procedimiento de fabricación de una oblea de silicio de calidad solar, comprendiendo dicho procedimiento lasetapas de: proporcionar un molde cerámico de oblea de calidad solar con una porosidad superior a cero; proporcionar una mezcla que incluye un medio de suspensión, un agente aglutinante en suspensión, y unagente de oclusión de poros en suspensión; tratar dicho molde cerámico de oblea de calidad solar con dicha mezcla para producir un molde cerámico deoblea de calidad solar con porosidad reducida; proporcionar una pasta que incluye un líquido que esencialmente evita la oxidación del polvo de silicio y unpolvo de silicio que está prácticamente libre de óxidos; introducir dicha pasta en dicho molde cerámico de oblea de calidad solar con porosidad reducida; precipitar dicho polvo de silicio a partir de dicha pasta para formar una preforma…

(08/06/2012) Dispositivo de realización de un bloque de material cristalino a partir de un baño de material fundido , que comprende un crisol que tiene un fondo , medios de extracción del calor dispuestos bajo el crisol y medios de modulación de la conductividad térmica interpuestos entre el fondo del crisol y los medios de extracción del calor , dispositivo caracterizado porque los medios de modulación de la conductividad térmica comprenden una pluralidad de placas , de material térmicamente conductor y de baja emisividad, paralelas al fondo del crisol y medios de acercamiento y de alejamiento de dichas placas unas con respecto a otras y con respecto al fondo del crisol , presentando las placas una emisividad inferior a 0,5.

(16/05/2012) Dispositivo de fabricación de un bloque de material cristalino por cristalización direccional, queincorpora unos medios de calentamiento y unos medios de enfriamiento dispuestos para que establezcan ungradiente térmico en un crisol de cristalización , incorporando los medios de enfriamiento un intercambiador y una fuente de calor suplementaria regulable, dispositivo caracterizado porque los medios de enfriamiento incorporan una espira de inducción enfriada mediante un líquido refrigerante circulante por el interior de laespira de inducción y un susceptor de inducción eléctricamente conductor dispuesto entre el crisol y laespira…

(19/04/2012) Instalación de fabricación en continuo de una barra de silicio multicristalino en un crisol sustancialmente cilíndrico , siendo dicho crisol calentado en su parte alta por inducción de manera que la parte superior del silicio se funda, y estando asociado a unos medios de realimentación de silicio, caracterizada porque comprende unos medios para aspirar periódicamente una parte del silicio fundido.

(18/04/2012) Dispositivo para la fabricación de cristales a partir de masas fundidas conductoras de electricidad, que presenta al menos un crisol con un fondo de crisol (3b), que está dispuesto en una cámara de crecimiento y contiene una masa fundida , un dispositivo calefactor que envuelve el crisol y está realizado como disposición de bobinas múltiples a partir de bobinas , , dispuestas una sobre otra y sirve para la generación simultánea de un campo magnético móvil, estando unidas por electricidad las bobinas con al menos un dispositivo suministrador de energía dispuesto fuera de la cámara de crecimiento por medio de…

(28/03/2012) Dispositivo para cultivar cristales a partir de masas fundidas eléctricamente conductoras que presenta al menos un crisol que contiene una masa fundida , dispuesto en una cámara de cultivo , un dispositivo de calentamiento que rodea al crisol , que está realizado como disposición de múltiples bobinas de bobinas (1a, 1b, 1c) dispuestas una sobre otra, presentando las bobinas (1a, 1b, 1c) espiras de bobina continuas o escalonadas y estando colocadas en las bobinas (1a, 1 b, 1c) barras de alimentación de corriente (2a, 2b, 2c, 2m) que están conectadas eléctricamente con un dispositivo de alimentación de energía dispuesto fuera de la cámara de cultivo , caracterizado por…

(07/03/2012) Un procedimiento para formar un lingote de silicio usando una materia prima de silicio de bajo grado, comprendiendo el lingote de silicio un silicio de mayor grado que la materia prima de silicio de bajo grado, que comprende las etapas de: formar en un dispositivo de crisol , , un silicio fundido a partir de una materia prima de silicio de bajo grado , , ; realizar una solidificación direccional del silicio fundido para formar un lingote de silicio en el dispositivo de crisol, formando la solidificación direccional una cantidad generalmente solidificada de silicio y una cantidad generalmente fundida de silicio , aumentando la solidificación direccional la altura de la cantidad combinada solidificada…

(01/06/2011) Procedimiento de preparación de una alúmina hidratada monolítica, comprendiendo sucesivamente dicho procedimiento las siguientes etapas: a) decapado de una superficie de una pieza de aluminio o de una aleación de aluminio; b) recubrimiento de dicha superficie por una amalgama de mercurio que comprende al menos un metal noble; y c) exposición de dicha superficie recubierta obtenida en b) a una atmósfera oxidante húmeda