Elemento de contacto de silicio fundido y proceso para producir el mismo, y proceso para producir silicio cristalino.

Un elemento de contacto de silicio fundido que tiene una capa de cuerpo poroso sinterizado presente en una superficie del mismo,

donde la capa de cuerpo poroso sinterizado comprende un cuerpo sinterizado que se puede obtener mediante:

moldeo de una mezcla para formar un producto moldeado, mezcla que contiene partículas orgánicas que comprenden una resina que se puede descomponer térmicamente y que tiene un diámetro promedio de partícula de 1 a 25 μm, y un polvo sinterizable que esencialmente consiste en nitruro de silicio;

calcinar el producto moldeado hasta que las partículas orgánicas desaparecen; y

sinterizar adicionalmente el polvo sinterizable;

donde la capa de cuerpo poroso sinterizado tiene, formada sobre el mismo, poros derivados de las formas de las partículas orgánicas, teniendo los poros un diámetro circular equivalentes promedio de 1 a 25 μm estando presentes de forma dispersa en una superficie de la capa de cuerpo poroso sinterizado en una relación de área ocupada por poros de 30 a 80 %;

donde la capa de cuerpo poroso sinterizado se forma sobre un sustrato.

Tipo: Patente Internacional (Tratado de Cooperación de Patentes). Resumen de patente/invención. Número de Solicitud: PCT/JP2012/051669.

Solicitante: Yamaguchi University.

Nacionalidad solicitante: Japón.

Dirección: 1677-1, Yoshida Yamaguchi-shi, Yamaguchi 753-8511 JAPON.

Inventor/es: KOMATSU,RYUICHI, ITOH,HIRONORI, AZUMA,MASANOBU.

Fecha de Publicación: 12 de Octubre de 2016.

Clasificación Internacional de Patentes:

C01B33/02 QUIMICA; METALURGIA. › C01 QUIMICA INORGANICA. › C01B ELEMENTOS NO METALICOS; SUS COMPUESTOS (procesos de fermentación o procesos que utilizan enzimas para la preparación de elementos o de compuestos inorgánicos excepto anhídrido carbónico C12P 3/00; producción de elementos no metálicos o de compuestos inorgánicos por electrólisis o electroforesis C25B). › C01B 33/00 Silicio; Sus compuestos (C01B 21/00, C01B 23/00 tienen prioridad; persilicatos C01B 15/14; carburos C01B 32/956). › Silicio (formación de monocristales o de materiales policristalinos homogéneos de estructura determinada C30B).
C04B38/06 C […] › C04 CEMENTOS; HORMIGON; PIEDRA ARTIFICIAL; CERAMICAS; REFRACTARIOS. › C04B LIMA; MAGNESIA; ESCORIAS; CEMENTOS; SUS COMPOSICIONES, p. ej. MORTEROS, HORMIGON O MATERIALES DE CONSTRUCCION SIMILARES; PIEDRA ARTIFICIAL; CERAMICAS (vitrocerámicas desvitrificadas C03C 10/00 ); REFRACTARIOS (aleaciones basadas en metales refractarios C22C ); TRATAMIENTO DE LA PIEDRA NATURAL. › C04B 38/00 Morteros, hormigón, piedra artificial o artículos de cerámica porosos; Su preparación (tratamiento de escorias por gases o por compuestos que producen gases C04B 5/06). › eliminando por quemado las sustancias añadidas.
C30B11/00 C […] › C30 CRECIMIENTO DE CRISTALES. › C30B CRECIMIENTO DE MONOCRISTALES (por sobrepresión, p. ej. para la formación de diamantes B01J 3/06 ); SOLIDIFICACION UNIDIRECCIONAL DE MATERIALES EUTECTICOS O SEPARACION UNIDIRECCIONAL DE MATERIALES EUTECTOIDES; AFINAMIENTO DE MATERIALES POR FUSION DE ZONA (afinamiento por fusión de zona de metales o aleaciones C22B ); PRODUCCION DE MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA (colada de metales, colada de otras sustancias por los mismos procedimientos o aparatos B22D; trabajo de materias plásticas B29; modificación de la estructura física de metales o aleaciones C21D, C22F ); MONOCRISTALES O MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA; TRATAMIENTO POSTERIOR DE MONOCRISTALES O DE MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA (para la fabricación de dispositivos semiconductores o de sus partes constitutivas H01L ); APARATOS PARA ESTOS EFECTOS. › Crecimiento de monocristales por simple solidificación o en un gradiente de temperatura, p. ej. método de Bridgman-Stockbarger (C30B 13/00, C30B 15/00, C30B 17/00, C30B 19/00 tienen prioridad; bajo un fluido protector C30B 27/00).
C30B29/06 C30B […] › C30B 29/00 Monocristales o materiales policristalinos homogéneos de estructura determinada caracterizados por los materiales o por su forma. › Silicio.
H01L21/208 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 21/00 Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas. › utilizando un depósito líquido.
H01L31/04 H01L […] › H01L 31/00 Dispositivos semiconductores sensibles a la radiación infrarroja, a la luz, a la radiación electromagnética de ondas más cortas, o a la radiación corpuscular, y adaptados bien para la conversión de la energía de tales radiaciones en energía eléctrica, o bien para el control de la energía eléctrica por dicha radiación; Procesos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o el tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas; Sus detalles (H01L 51/42 tiene prioridad; dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común, diferentes a las combinaciones de componentes sensibles a la radiación con una o varias fuentes de luz eléctrica H01L 27/00). › adaptados como dispositivos de conversión fotovoltaica [PV] (ensayos de los mismos durante la fabricación H01L 21/66; ensayos de los mismos después de la fabricación H02S 50/10).

PDF original: ES-2600652_T3.pdf

Patentes similares o relacionadas:

Procedimiento de purificación del silicio, del 6 de Noviembre de 2019, de COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES: Procedimiento de purificación del silicio que comprende por lo menos las etapas que consisten en: a) disponer de un recipiente que comprende […]

Procedimiento y dispositivo de tratamiento de la superficie libre de un material, del 9 de Octubre de 2019, de COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES: Procedimiento de tratamiento de una superficie libre de un material, que comprende una etapa (E1) de emisión de al menos un primer flujo gaseoso (QL1pur-QL4pur y QCpur), una […]

Crisol reutilizable para la fabricación de material cristalino, del 24 de Julio de 2019, de COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES: Crisol para la fabricación de un lingote de silicio por solidificación que comporta un fondo y paredes laterales formadas al menos […]

Procedimiento para el crecimiento de monocristales de la fase beta de óxido de galio (beta-Ga2O3) a partir de la masa fundida contenida dentro de un crisol metálico controlando la presión parcial de O2, del 26 de Junio de 2019, de FORSCHUNGSVERBUND BERLIN E.V.: Procedimiento para el crecimiento de monocristales de la fase beta de óxido de galio (b-Ga2O3) a partir de la masa fundida contenida en un crisol metálico, que comprende […]

Crisol para la solidificación direccional de silicio multicristalino o casi-monocristalino por recogida de gérmenes, del 13 de Mayo de 2019, de COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES: Crisol para la solidificación direccional de un lingote de silicio, comprendiendo dicho crisol un molde destinado a recibir silicio en fusión, y un elemento […]

Rellenado secuencial de molde, del 5 de Marzo de 2019, de HOWMET CORPORATION: Un método de fundición de aleación o metal líquido, que comprende suministrar una masa fundida de aleación o metal a una pluralidad de moldes que se conectan […]

Método y aparato para refinar un material fundido, del 20 de Febrero de 2019, de REC Solar Norway AS: Un método de refinado y solidificación direccional de silicio para formar un lingote de silicio , que comprende las etapas de: formar una masa fundida del […]

Procedimientos de fabricación de cuerpos semiconductores delgados a partir de material fundido, del 10 de Septiembre de 2018, de 1366 Technologies Inc: Procedimiento de fabricación de un cuerpo semiconductor, comprendiendo el procedimiento las etapas de: a. proporcionar un material semiconductor […]