Dispositivo de fabricación de material cristalino a partir de un crisol de resistencia térmica no uniforme.
Dispositivo que forma un crisol para la fabricación de material cristalino por cristalización dirigida que incluye un fondo (2) y al menos una pared lateral (4) en el que el fondo (2) incluye:
- una primera parte (2a) que presenta una primera resistencia térmica y una segunda parte (2b) que presenta una segunda resistencia térmica inferior a la primera resistencia térmica y destinada a recibir una semilla (3) en el segundo material cristalino para la fabricación de dicho material cristalino,
estando el fondo (2) y dicha al menos una pared lateral (4) formados al menos en parte por una pieza estanca (1) que incluye al menos un endentado que participa para definir dichas partes primera y segunda (2a, 2b), dispositivo caracterizado porque la primera parte (2a) está recubierta por una primera capa antiadherente (9, 9a) que tiene una primera resistencia térmica adicional y porque la segunda parte (2b) está recubierta por una segunda capa antiadherente (9b) que tiene una segunda resistencia térmica adicional inferior a la primera resistencia térmica o la segunda parte (2b) está desprovista de capa antiadherente.
Tipo: Patente Internacional (Tratado de Cooperación de Patentes). Resumen de patente/invención. Número de Solicitud: PCT/FR2012/000348.
Solicitante: COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES.
Nacionalidad solicitante: Francia.
Dirección: Bâtiment le Ponant D, 25 rue Leblanc 75015 Paris FRANCIA.
Inventor/es: Camel,Denis, COUSTIER,FABRICE, JOUINI,ANIS, PIHAN,ETIENNE.
Fecha de Publicación: .
Clasificación Internacional de Patentes:
- C30B11/00 QUIMICA; METALURGIA. › C30 CRECIMIENTO DE CRISTALES. › C30B CRECIMIENTO DE MONOCRISTALES (por sobrepresión, p. ej. para la formación de diamantes B01J 3/06 ); SOLIDIFICACION UNIDIRECCIONAL DE MATERIALES EUTECTICOS O SEPARACION UNIDIRECCIONAL DE MATERIALES EUTECTOIDES; AFINAMIENTO DE MATERIALES POR FUSION DE ZONA (afinamiento por fusión de zona de metales o aleaciones C22B ); PRODUCCION DE MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA (colada de metales, colada de otras sustancias por los mismos procedimientos o aparatos B22D; trabajo de materias plásticas B29; modificación de la estructura física de metales o aleaciones C21D, C22F ); MONOCRISTALES O MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA; TRATAMIENTO POSTERIOR DE MONOCRISTALES O DE MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA (para la fabricación de dispositivos semiconductores o de sus partes constitutivas H01L ); APARATOS PARA ESTOS EFECTOS. › Crecimiento de monocristales por simple solidificación o en un gradiente de temperatura, p. ej. método de Bridgman-Stockbarger (C30B 13/00, C30B 15/00, C30B 17/00, C30B 19/00 tienen prioridad; bajo un fluido protector C30B 27/00).
- C30B11/14 C30B […] › C30B 11/00 Crecimiento de monocristales por simple solidificación o en un gradiente de temperatura, p. ej. método de Bridgman-Stockbarger (C30B 13/00, C30B 15/00, C30B 17/00, C30B 19/00 tienen prioridad; bajo un fluido protector C30B 27/00). › caracterizado por el germen, p. ej. por su orientación cristalográfica.
- C30B29/06 C30B […] › C30B 29/00 Monocristales o materiales policristalinos homogéneos de estructura determinada caracterizados por los materiales o por su forma. › Silicio.
PDF original: ES-2562731_T3.pdf
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