Intercambiador térmico de un sistema de solidificación y/o de cristalización de un material semiconductor.
Intercambiador térmico (1) de un sistema de solidificación y/o de cristalización de un material semiconductor,
que comprende una primera pieza (2; 2a; 2b; 2c; 2d; 2e; 2f; 2g; 2h; 2i; 2j) y una segunda pieza (3; 3a; 3b; 3c; 3d; 3e; 3f; 3g; 3h; 3i; 3j), siendo las primera y segunda piezas desplazables una con respecto a la otra, caracterizado por que la primera pieza comprende unos primeros relieves (21) y la segunda pieza comprende unos segundos relieves (31), estando los primeros relieves destinados a cooperar con los segundos relieves y por que comprende un elemento de desplazamiento (9) de la primera pieza en relación con la segunda pieza que permite controlar un flujo de calor intercambiado, por que el elemento de desplazamiento comprende un regulador (92) para modular la distancia entre la primera pieza y la segunda pieza en función del flujo de calor intercambiado deseado, y por que:
- los primeros relieves comprenden unos huecos (23) y unos salientes (22) y los segundos relieves comprenden unos huecos (33) y unos salientes (32), siendo variable en particular el paso de los salientes y de los huecos a lo largo de una dimensión de la primera pieza y de la segunda pieza, o
- la altura de los salientes es variable a lo largo de una dimensión de al menos una de las primera y segunda piezas y/o los primeros y segundos relieves cooperan mediante encajamiento de los salientes dentro de los huecos.
Tipo: Patente Internacional (Tratado de Cooperación de Patentes). Resumen de patente/invención. Número de Solicitud: PCT/EP2011/071290.
Solicitante: COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES.
Nacionalidad solicitante: Francia.
Dirección: BATIMENT "LE PONANT D" 25, RUE LEBLANC 75015 PARIS FRANCIA.
Inventor/es: Camel,Denis, PIHAN,ETIENNE, COUDURIER,NICOLAS.
Fecha de Publicación: .
Clasificación Internacional de Patentes:
- C30B11/00 QUIMICA; METALURGIA. › C30 CRECIMIENTO DE CRISTALES. › C30B CRECIMIENTO DE MONOCRISTALES (por sobrepresión, p. ej. para la formación de diamantes B01J 3/06 ); SOLIDIFICACION UNIDIRECCIONAL DE MATERIALES EUTECTICOS O SEPARACION UNIDIRECCIONAL DE MATERIALES EUTECTOIDES; AFINAMIENTO DE MATERIALES POR FUSION DE ZONA (afinamiento por fusión de zona de metales o aleaciones C22B ); PRODUCCION DE MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA (colada de metales, colada de otras sustancias por los mismos procedimientos o aparatos B22D; trabajo de materias plásticas B29; modificación de la estructura física de metales o aleaciones C21D, C22F ); MONOCRISTALES O MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA; TRATAMIENTO POSTERIOR DE MONOCRISTALES O DE MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA (para la fabricación de dispositivos semiconductores o de sus partes constitutivas H01L ); APARATOS PARA ESTOS EFECTOS. › Crecimiento de monocristales por simple solidificación o en un gradiente de temperatura, p. ej. método de Bridgman-Stockbarger (C30B 13/00, C30B 15/00, C30B 17/00, C30B 19/00 tienen prioridad; bajo un fluido protector C30B 27/00).
- C30B29/06 C30B […] › C30B 29/00 Monocristales o materiales policristalinos homogéneos de estructura determinada caracterizados por los materiales o por su forma. › Silicio.
- F28F3/04 MECANICA; ILUMINACION; CALEFACCION; ARMAMENTO; VOLADURA. › F28 INTERCAMBIO DE CALOR EN GENERAL. › F28F PARTES CONSTITUTIVAS DE APLICACION GENERAL DE LOS APARATOS INTERCAMBIADORES O DE TRANSFERENCIA DE CALOR (materiales de transferencia de calor, de intercambio de calor o de almacenamiento de calor C09K 5/00; purgadores de agua o aire, ventilación F16). › F28F 3/00 Elementos en forma de placas o de láminas; Conjuntos de elementos en forma de placas o de láminas (especialmente adaptados para el movimiento F28F 5/00). › formando los medios parte integrante del elemento.
- H01L23/367 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 23/00 Detalles de dispositivos semiconductores o de otros dispositivos de estado sólido (H01L 25/00 tiene prioridad). › Refrigeración facilitada por la forma del dispositivo.
PDF original: ES-2566369_T3.pdf
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