Procedimiento de purificación del silicio.
Sección de la CIP Química y metalurgia
(06/11/2019). Solicitante/s: COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES. Clasificación: C30B11/00, C01B33/037, C30B29/06.
Procedimiento de purificación del silicio que comprende por lo menos las etapas que consisten en:
a) disponer de un recipiente que comprende silicio en estado fundido, presentando el recipiente un eje (X) longitudinal y definiendo el silicio en estado fundido por el lado opuesto al fondo del recipiente una superficie libre ,
b) imponer al silicio en estado fundido unas condiciones propicias para su solidificación, siendo la velocidad media temporal sobre la duración de la etapa b) de propagación del frente de solidificación del silicio, medida a lo largo del eje (X) longitudinal del recipiente , superior o igual a 5 mm/s y preferentemente a 10 mm/s,
estando dicho procedimiento caracterizado por que por lo menos un sistema de agitación impone, durante la totalidad o parte de la etapa b), un flujo de silicio en estado fundido de número de Reynolds comprendido entre 3 104 y 3 106 y preferentemente entre 105 y 106.
PDF original: ES-2766831_T3.pdf
Procedimiento de ensamblado de piezas carbonadas mediante soldadura fuerte refractaria.
(03/04/2019) Procedimiento útil para ensamblar al menos dos piezas carbonadas con una granulometría inferior a 10 μm y que comprende al menos las etapas que consisten en:
a) colocar las piezas carbonadas a ensamblar y de un elemento de silicio, particularmente en forma de un fleje de silicio, intercalándose el mencionado elemento entre las indicadas piezas, y
b) mantener el conjunto cohesivo bajo el efecto de una presión y someterlo a un calentamiento a una temperatura que varía de 1410oC a 1500oC bajo atmósfera inerte, para fundir el silicio y formar una junta que contenga al menos un puente de carburo de silicio en la superficie de contacto de las indicadas piezas y
c) exponer el conjunto obtenido al final de la etapa b) a un nivel de temperaturas superior a la temperatura de la etapa b) y que varía de 1500oC a 1750oC para consumir la integridad del…
Elaboración de silicio policristalino por sinterización natural para aplicaciones fotovoltaicas.
(26/10/2018) Procedimiento de control de la densidad y/o de la porosidad de una muestra de silicio, incluyendo este procedimiento:
* un posicionamiento de esta muestra de silicio, inicialmente en forma granular o de polvo, en un horno,
* determinación de las condiciones de temperatura de sinterización y de presión parcial de las especies oxidantes para ejecutar una etapa de sinterización,
* una sinterización sin carga de esta muestra, por tratamiento térmico de este a al menos una temperatura de sinterización y al menos una presión parcial de especies oxidantes, permaneciendo la temperatura de sinterización inferior a la temperatura de fusión de la muestra, estando la temperatura de sinterización y la presión parcial de especies oxidantes dirigidas durante la sinterización para…
Material de arquitectura multicapa, dedicado a ser puesto en contacto con silicio líquido.
Sección de la CIP Química y metalurgia
(21/12/2016). Solicitante/s: COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES. Clasificación: C04B35/80, C04B35/573.
Pieza de material, en particular dedicada a ser puesta en contacto con silicio líquido, que posee una arquitectura multicapa formada de al menos una capa denominada "de soporte" a base de carbono constituida de granos de grafito de dimensión micrométrica, que varía de 1 a 10 μm y que posee una porosidad abierta que varía del 25% al 40%, de una capa denominada "de superficie" de carburo de silicio, y de una capa denominada "intermedia" intercalada entre dichas capas de soporte y de superficie, caracterizada por que dicha capa intermedia está formada de una matriz de carburo de silicio que contiene al menos un 30% en volumen de nódulo(s) de carbono con la fracción volúmica del carburo de silicio que forma dicha capa intermedia, que varía del 45% al 70% y siendo igual a la fracción volúmica de la porosidad inicial del grafito que forma la capa de soporte a base de carbono, multiplicada por al menos 1,2.
PDF original: ES-2619321_T3.pdf
Dispositivo de guiado de ondas ultrasonoras adaptado a una utilización en un horno de solidificación dirigida de silicio.
(18/06/2014) Dispositivo de guiado de ondas ultrasonoras susceptible de ser utilizado en un recinto térmicamente aislante de un horno de cristalización de silicio y destinado a ser insertado parcialmente en el recinto de dicho horno por un orificio dispuesto en la pared del recinto, caracterizado porque comprende:
- una guía de onda de sílice cristalina, que comprende una cara de entrada de una onda ultrasonora, una cara de salida de una onda ultrasonora y una superficie lateral que une la cara de entrada y la cara de salida,
- una estructura de grafito o de carburo de silicio, que rodea al menos parcialmente la superficie lateral de la guía de onda,
- una…
Dispositivo y procedimiento de texturización mecánica de una oblea de silicio destinada a constituir una célula fotovoltaica.
(19/02/2014) Dispositivo de texturización mecánica de una oblea de silicio , destinada a constituir una célula fotovoltaica, que comprende una pluralidad de puntas de carburo de tungsteno y un soporte que comprende una pluralidad de alojamientos adaptados cada uno para alojar con deslizamiento una punta de carburo de tungsteno y medios para mantener apoyada cada una de la pluralidad de puntas contra la oblea de silicio según una fuerza constante independiente de las variaciones de grosor de dicha oblea.
Dispositivo de control del estado de avance de la cristalización de un baño de material fundido en un procedimiento de solidificación dirigida usando ultrasonidos.
(06/11/2013) Dispositivo para controlar el estado de avance de la cristalización de un baño de material fundido realizado en unacámara térmicamente aislante de un horno de cristalización de acuerdo con un procedimiento de solidificacióndirigida, que comprende una fuente de ultrasonidos y un detector de ultrasonidos , caracterizado porque:
- la fuente de ultrasonidos comprende n conjunto(s), siendo n un número entero mayor que o igual a 1,comprendiendo cada conjunto de la fuente un transductor , que es capaz de emitir una onda ultrasónica,conectado a una guía de ondas , que es capaz de guiar la onda ultrasónica producida por dicho transductor, haciala interfase vapor-líquido del baño líquido,
- el detector de ultrasonidos comprende al menos 2n conjuntos, comprendiendo cada…
Horno de fusión-solidificación provisto de modulación de los intercambios térmicos por las paredes laterales.
(29/05/2013) Horno de fusión y de solidificación para material cristalino provisto de:
- un crisol que tiene un fondo y paredes laterales , mostrando el crisol une dirección longitudinal perpendicular al fondo - un sistema lateral de aislamiento térmico colocado alrededor del crisol frente a las paredes laterales , estando provisto el sistema lateral de aislamiento térmico de al menos un elemento lateral (7a, 7b, 7c, 7'a, 7'b, 7'c) que se desplaza entre una posición de aislamiento y una posición que favorece la disipación térmica,
horno caracterizado porque:
- el sistema lateral de aislamiento térmico está constituido por al menos dos subelementos adyacentes que forman un anillo continuo…
Célula fotovoltaica de emisor distribuido en un substrato y procedimiento de realización de una célula de ese tipo.
(16/04/2013) Célula fotovoltaica que incluye un substrato a base de semiconductor de un primer tipo de conductividad que incluye dos caras principales paralelas entre sí, comprendiendo el substrato una pluralidad de orificios ciegos cuyas aberturas están dispuestas a nivel de una sola de las dos caras principales, estando los orificios ciegos rellenos con un semiconductor de un segundo tipo de conductividad opuesta al primer tipo de conductividad, que forma el emisor de la célula fotovoltaica , formando el substrato la base de la célula fotovoltaica , caracterizada porque la célula fotovoltaica incorpora además, sobre la cara principal del substrato que incluye las aberturas de los orificios ciegos , primeros dedos de colecta a base de al menos un semiconductor del segundo tipo de conductividad, en contacto con el emisor…