CIP-2021 : C23C 16/52 : Control o regulación de los procesos de revestimiento.
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Notas[t] desde C21 hasta C30: METALURGIA
Notas[g] desde C23C 16/00 hasta C23C 20/00: Deposición química o revestimiento por descomposición; Deposición por contacto
C QUIMICA; METALURGIA.
C23 REVESTIMIENTO DE MATERIALES METALICOS; REVESTIMIENTO DE MATERIALES CON MATERIALES METALICOS; TRATAMIENTO QUIMICO DE LA SUPERFICIE; TRATAMIENTO DE DIFUSION DE MATERIALES METALICOS; REVESTIMIENTO POR EVAPORACION EN VACIO, POR PULVERIZACION CATODICA, POR IMPLANTACION DE IONES O POR DEPOSICION QUIMICA EN FASE VAPOR, EN GENERAL; MEDIOS PARA IMPEDIR LA CORROSION DE MATERIALES METALICOS, LAS INCRUSTACIONES, EN GENERAL.
C23C REVESTIMIENTO DE MATERIALES METALICOS; REVESTIMIENTO DE MATERIALES CON MATERIALES METALICOS; TRATAMIENTO DE MATERIALES METALICOS POR DIFUSION EN LA SUPERFICIE, POR CONVERSION QUIMICA O SUSTITUCION; REVESTIMIENTO POR EVAPORACION EN VACIO, POR PULVERIZACION CATODICA, POR IMPLANTACION DE IONES O POR DEPOSICION QUIMICA EN FASE VAPOR, EN GENERAL (fabricación de productos revestidos de metal por extrusión B21C 23/22; revestimiento metálico por unión de objetos con capas preexistentes, ver las clases apropiadas, p. ej. B21D 39/00, B23K; metalización del vidrio C03C; metalización de piedras artificiales, cerámicas o piedras naturales C04B 41/00; esmaltado o vidriado de metales C23D; tratamiento de superficies metálicas o revestimiento de metales mediante electrolisis o electroforesis C25D; crecimiento de monocristales C30B; mediante metalización de textiles D06M 11/83; decoración de textiles por metalización localizada D06Q 1/04).
C23C 16/00 Revestimiento químico por descomposición de compuestos gaseosos, no quedando productos de reacción del material de la superficie en el revestimiento, es decir, procesos de deposición química en fase vapor (pulverización catódica reactiva o evaporación reactiva en vacío C23C 14/00).
C23C 16/52 · · Control o regulación de los procesos de revestimiento.
CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.
Procedimiento y dispositivo para ahorrar energía y al mismo tiempo aumentar la velocidad de paso en las instalaciones de recubrimiento al vacío.
(01/05/2019) Dispositivo de recubrimiento mediante pulverización, que se compone de en una serie de segmentos de pulverización y de segmentos de separación de gases con un plano de sustrato continuo , en el que los segmentos de pulverización están formados por una cubeta de caldera con un dispositivo de transporte interno para el transporte de sustratos y por al menos una tapa de la caldera conectada a la cubeta de caldera por medio de una brida de la caldera , disponiéndose la brida de la caldera en la proximidad inmediata por encima del plano de sustrato y encontrándose un bloque de apoyo de cátodos con objetivo y los canales de entrada de gas en las proximidades inmediatas…
Herramienta de corte recubierta con alfa-alúmina diseñada con límites de grano.
(20/03/2019). Solicitante/s: WALTER AG. Inventor/es: RUPPI, SAKARI, STIENS,DIRK.
Una herramienta de corte que consiste en
un sustrato de carburo cementado, cermet, cerámica, acero o un material superduro como el nitruro de boro cúbico (CBN)
y un recubrimiento con un espesor total de 5 a 40 μm, consistiendo el recubrimiento en una o más capas refractarias de las cuales al menos una capa es una capa de α-Al2O3 que tiene un espesor de 1 a 20 μm,
en donde la longitud de los límites de grano de tipo Σ3 en al menos una capa de α-Al2O3 es el 82% o más de la longitud total de la suma de los límites de grano de tipo límites de grano Σ3, Σ7, Σ11. Σ17, Σ19, Σ21, Σ23 y Σ29 ( límites de grano de tipo = Σ13-29), la distribución del carácter de los límites de grano se mide por EBSD.
PDF original: ES-2728705_T3.pdf
Método de deposición de vapores químicos activado por plasma y aparato para el mismo.
(20/03/2019) Un método de deposición de vapores químicos activada plasmáticamente que comprende las etapas de:
- proporcionar un recipiente de vacío que tiene una presión relativamente baja o vacío, al que se proporciona un gas operativo que comprende una mezcla de un gas de descomposición o precursor, un gas reactivo y/o un gas de sublimación,
- proporcionar una unidad de descomposición plasmática dentro del recipiente de vacío para descomponer el gas operativo que tiene moléculas complejas en radicales cargados o neutros, teniendo la unidad de descomposición plasmática un ánodo y un cátodo , rodeando el ánodo al cátodo, y teniendo el cátodo un campo magnético intensificador y estando eléctricamente aislado del ánodo circundante,
- proporcionar una unidad de procesamiento que incluye una cámara de procesamiento…
Aparato de recubrimiento.
(11/03/2019) Aparato para recubrir artículos de vidrio tridimensionales incluyendo:
un túnel, que tiene una parte superior y paredes laterales primera y segunda, adecuado para disponerse en una correa transportadora que transporta los artículos a través de dicho túnel;
una o varias boquillas dispuestas para distribuir una mezcla gaseosa incluyendo un primer conjunto de sustancias químicas incluyendo uno o varios primeros materiales de recubrimiento o sus precursores, en un chorro que atraviesa el recorrido de los artículos cuando son transportados a través del túnel;
una o varias boquillas dispuestas para distribuir una mezcla gaseosa incluyendo un segundo conjunto de sustancias químicas incluyendo uno o varios segundos materiales de recubrimiento o sus precursores, en un chorro que atraviesa el recorrido de los artículos…
Esclusa de gas así como dispositivo de revestimiento con una esclusa de gas.
(25/04/2018) Esclusa de gas (I) para la separación de dos compartimentos de gas (G1, G2), que comprende:
a) al menos un cuerpo de admisión (K), que presenta al menos un canal de entrada (H) para un gas, que desemboca en un primer lado del cuerpo de admisión (K),
b) al menos una pared (A) dispuesta a distancia del primer lado del al menos un cuerpo de admisión (K), donde entre la pared (A) y el al menos un cuerpo de afluencia (K) está configurado un intersticio (B) que está en conexión de fluido con el canal de entrada (H),
c) al menos dos aberturas de escape (i1, i2) para el gas que están en conexión de fluido con el intersticio…
Esclusa de gas, así como dispositivo de revestimiento con una esclusa de gas.
(16/08/2017) Esclusa de gas (I) para la separación de dos cámaras de gas (G1, G2), que comprende:
a) al menos un cuerpo de admisión (K), que presenta al menos dos canales de entrada (1, H2) para un gas, que desembocan en un primer lado del cuerpo de admisión (K),
b) una pared (A) dispuesta de modo distanciado respecto al primer lado del al menos un cuerpo de admisión (K), estando conformada entre la pared (A) y el al menos un cuerpo de admisión (K) una ranura (B) que está en unión fluida con los al menos dos canales de entrada (H1, H2),
c) al menos dos aberturas de escape (i1, i2) para el gas, que están en unión fluida con la ranura (B),
en la que en el lado contigua al al menos un cuerpo de admisión (K) y/o en el lado de la pared (A) opuesto al primer lado del cuerpo de admisión (K) hay n cámaras de medición…
Aparato y método de producción de diamantes.
(14/06/2017) Un aparato para producir diamantes y realizar un análisis in situ y en tiempo real, que comprende:
un alojamiento ,
una cámara de reacción , estando la cámara de reacción conectada estructuralmente al alojamiento , comprendiendo la cámara de reacción un área cerrada adaptada para alojar el crecimiento de diamantes,
un medio de radiación , estando el medio de radiación montado por encima de la cámara de reacción dentro del alojamiento , el medio de radiación adaptado para emitir microondas en la cámara de reacción para efectuar el crecimiento de los diamantes dentro de la cámara de reacción ,
un medio de grabación montado por encima de la cámara de reacción ,
una cubierta dieléctrica proporcionada en la parte superior de la cámara de reacción y dispuesta entre el área cerrada…
Herramienta de corte revestida con alúmina alfa que contiene azufre.
(30/03/2016) Un inserto para herramientas de corte, que consiste en
un sustrato de carburo cementado, cermet, cerámica, acero o un material superduro tal como nitruro de boro cúbico (CBN)
y un revestimiento con un grosor total de 5 a 40 μm, revestimiento que consiste en una o más capas refractarias de las que al menos una capa es una capa de α-Al2O3 que tiene un grosor de 1 a 25 μm
caracterizado por que
la al menos una capa de α-Al2O3 tiene un contenido de azufre de más que 100 ppm, analizado por Espectroscopía de Masas de Iones Secundarios (SIMS) y
la al menos una capa de α-Al2O3 tiene un coeficiente de textura TC > 4 para la dirección de crecimiento , definiéndose el TC como sigue:
(hkl) ≥ intensidad medida de la reflexión (hkl)
Io (hkl) ≥ intensidad estándar…
Electrodo para la generación de un plasma, cámara de plasma con este electrodo y procedimiento para el análisis in situ o procesamiento in situ de una capa o de un plasma.
(24/09/2014) rf-electrodo para la generación de un plasma en una cámara de plasma, con al menos un orificio de paso óptico, en el que el rf-electrodo es una ducha de gas, caracterizado por un embudo cónico, que reviste de forma hermética al gas el orificio de paso óptico de la ducha de gas.
Revestimiento e inspección de recipientes.
(23/07/2014) Un sistema de procesamiento de recipientes para revestir e inspeccionar un recipiente , comprendiendo el sistema un montaje de estación de procesamiento configurado para: llevar a cabo una primera inspección del recipiente en busca de defectos;
aplicar un revestimiento a la superficie interior del recipiente después de la primera inspección;
llevar a cabo una segunda inspección de la superficie interior del recipiente revestido en busca de defectos después de aplicar el revestimiento;
evaluar los datos adquiridos durante la inspección.
Procedimiento de realización de al menos un microcomponente con una máscara única.
(20/11/2013) Procedimiento de realización de un microcomponente que comprende un apilamiento sobre un sustrato , incluyendo el apilamiento una primera capa depositada según un primer motivo y una segunda capa depositada según un segundo motivo, diferente del primer motivo, caracterizado porque el primer motivo está formado a través de una abertura de una máscara llevada a una primera temperatura (T1), y porque el segundo motivo está formado a través de la misma abertura de la misma máscara llevada a una segunda temperatura (T2), diferente de la primera temperatura.
Procedimiento para formar una película delgada, aparato para formar una película delgada, y procedimiento para controlar el proceso de formación de la película delgada.
(11/09/2013) Un procedimiento de formación de películas delgadas, para plasmatizar una mezcla de gases, consistiendo, lamezcla de gases, en un gas de monómero y un gas reactivo oxidante, y para la formación de una película delgada,sobre una superficie de un substrato, encontrándose formada, la película delgada, por un óxido, el cual comprende:una primera etapa de formación de una primera película delgada, mediante la plasmatización de una mezcla degases, al mismo tiempo que se varía el factor de relación de los caudales de flujo del gas monómero, con respecto algas reactivo, con la condición de que, el factor de relación de los caudales de flujo, se encuentre por lo menosdentro…
Dispositivo inyector de reconstitución automática.
(11/07/2013) Dispositivo inyector para la reconstitución automática de una substancia que comprende:
un mecanismo de ajuste de la dosis que tiene una superficie de engrane con el cartucho que seextiende desde él, siendo dicho mecanismo de ajuste de la dosis ajustable para definir una dosis para eldispositivo inyector; una carcasa que engrana de manera cooperativa con dicho mecanismo de ajuste dela dosis; y
unos medios de empuje para mover de manera selectiva dicho mecanismo de ajuste de la dosis desdeuna primera posición hasta una segunda posición con respecto a dicha carcasa, moviéndose dicha superficie de engrane con el cartucho una distancia predeterminada con respecto a dicha carcasa cuando dichomecanismo de ajuste de la dosis se mueve desde dicha primera posición hasta dicha segunda posición,comprendiendo además…
Sistema de rociado para el rociado progresivo de objetos no rectangulares.
(28/06/2013) Un procedimiento de rociado de un objeto diana con una sustancia líquida procedente de un equipo depistolas de rociado , que tienen uno o más orificios de aire del ventilador para controlar la anchura de un patrónde rociado perpendicular a la trayectoria del objeto diana, estando limitado el patrón de rociado en ladirección de la trayectoria del objeto a una región de rociado, comprendiendo el procedimiento:
transportar el objeto diana a lo largo de la trayectoria del objeto diana hacia la región de rociado; detectandocuándo al menos una parte del objeto diana entra en la región de rociado;
cuando al menos una parte del objeto diana entra en la región de rociado, activar la pistola…
Sistema dinámico para calentamiento o enfriamiento variable de sustratos transportados linealmente.
(02/04/2013) Sistema dinámico para calentamiento o enfriamiento variables de sustratos transportados linealmente.
Se proporciona un sistema para el calentamiento o el enfriamiento de sustratos discretos, transportados linealmente, con un hueco entre un borde posterior de un primer sustrato y un borde anterior de un sustrato subsiguiente en una dirección de transporte. El sistema incluye una cámara y un transportador configurados de forma funcional dentro de la cámara para mover los sustratos a través de ella a una velocidad de transporte. Una pluralidad de unidades de control de temperatura controladas individualmente, por ejemplo, unidades calefactoras o refrigerantes, se disponen linealmente dentro de la cámara a lo largo de la dirección de transporte. Un controlador está en comunicación con cada una de las unidades…
Procedimiento de deposición química de vapor a presión atmosférica para producir una capa delgada de sulfuro metálico n-semiconductor.
(09/05/2012) Procedimiento de deposición química en fase gaseosa a presión atmosférica (APCVD) para fabricar una capa delgada de sulfuro metálico n-semiconductor sobre un substrato calentado con un precursor que contiene el metal y sulfuro de hidrógeno (H2S) en calidad de precursor gaseoso reactivo y una corriente de gas portador inerte, caracterizado porque, para la fabricación de una capa delgada compacta de sulfuro de indio (In2S3) se transfiere a una fase líquida o gaseosa un precursor que contiene indio (PRIn (g/fl) ), que posee él mismo una alta presión de vapor o forma una aducto volátil con un disolvente, se mezcla dicho precursor en una región de…
APARATO PARA LA DEPOSICIÓN PEVCD DE UNA CAPA DE BARRERA INTERNA EN UN RECIPIENTE QUE COMPRENDE UN DISPOSITIVO DE ANÁLISIS ÓPTICO DE PLASMA.
(26/04/2011) Aparato para el depósito por plasma activado en fase de vapor (PECVD) de una capa delgada de un material con efecto barrera sobre una pared interna de un recipiente , comprendiendo este aparato : - un estructura que recibe el recipiente y una zona de presencia de plasma, estando esta estructura atravesada por un tubo que comprende un eje (A1), y presentando una abertura interna que desemboca en la zona de presencia de plasma definida por el volumen interno del recipiente y una abertura externa que desemboca en el exterior de esta zona definida por el volumen interno del recipiente ; - un generador de ondas electromagnéticas…
PROCEDIMIENTO Y DISPOSITIVO PCVD DE RECUBRIMIENTO DE SUBSTRATOS CURVADOS.
(01/11/1999) SE DESCRIBE UN PROCEDIMIENTO DE PCVD PARA LA OBTENCION DE RECUBRIMIENTOS DE GROSOR UNIFORME SOBRE SUSTRATOS ABOMBADOS, POR EL CUAL LA SUPERFICIE DEL SUSTRATO QUE SE VA A RECUBRIR SE COLOCA EN COMUNICACION CON LA SUPERFICIE DE PASO DE UN GAS DE UNA DUCHA DE GAS. PARA DETERMINAR LOS PARAMETROS APROPIADOS DEL PROCESO, EN UNA PRIMERA SERIE DE ENSAYOS PARA UN TIPO DE SUSTRATO A RECUBRIR, SE MANTIENE CONSTANTE EL TAMAÑO DE LAS SUPERFICIES DE PASO DE GAS Y LA MASA DE GAS PASA A TRAVES DE ESTAS SUPERFICIES, MIENTRAS QUE SE MODIFICAN GRADUALMENTE LOS INTERVALOS ENTRE CADA IMPULSO, EMPEZANDO POR UN VALOR INICIAL T{SUB,A} HASTA ALCANZAR UN VALOR OPTIMO T{SUB,EFF} Y HASTA QUE LA UNIFORMIDAD DEL GROSOR DE LAS CAPAS FORMADAS SOBRE EL SUSTRATO NO AUMENTE. OPCIONALMENTE, DURANTE UNA SEGUNDA SERIE…
PRODUCTO, PROCEDIMIENTO Y APARATO DE INFILTRACION/DEPOSITO QUIMICO ENFASE VAPOR CON GRADIENTE DE PRESION.
(16/02/1999). Solicitante/s: THE B.F. GOODRICH COMPANY. Inventor/es: PURDY, MARK, J., RUDOLPH, JAMES, W., BOK, LOWELL, D.
LA INVENCION SE REFIERE AL CAMPO DE COMPUESTOS DE ALTA TEMPERATURA REALIZADOS MEDIANTE LA INFILTRACION DE VAPOR QUIMICO Y DEPOSICION DE UNA MATRIZ DE UNION EN UNA ESTRUCTURA POROSA. EN CONCRETO, LA INVENCION SE REFIERE A PROCEDIMIENTOS DE GRADIENTE DE PRESION PARA FORZAR LA INFILTRACION DE UN GAS REACTIVO EN UNA ESTRUCTURA POROSA, A UN APARATO PARA LLEVAR A CABO ESTOS PROCEDIMIENTOS, Y A LOS PRODUCTOS RESULTANTES. LA INVENCION ES PARTICULARMENTE UTIL PARA EL PROCESAMIENTO SIMULTANEO DE CVI/CVD DE GRANDES CANTIDADES (CIENTOS) DE DISCOS DE FRENO DE AERONAVES.
PROCEDIMIENTO PARA LA ELABORACION DE UNA CAPA DE GRADIENTE.
(16/03/1998). Solicitante/s: SCHOTT GLAS CARL-ZEISS-STIFTUNG TRADING AS SCHOTT GLAS. Inventor/es: OTTO, JURGEN, SEGNER, JOHANNES, DR., PAQUET, VOLKER.
LA INVENCION DE REFIERE A UN PROCEDIMIENTO DE PLASMA CVD PARA ELABORACION DE CAPA DE GRADIENTE, DONDE EL GRADIENTE DE CAPA SE GENERA EN UNA DIRECCION DE CRECIMIENTO DE CAPA MEDIANTE MODIFICACION DE AL MENOS UN PARAMETRO DE POTENCIA DE PLACA DURANTE EL PROCESO DE RECUBRIMIENTO. DE ACUERDO CON LA INVENCION SE GENERAN CAPAS DE GRADIENTES DELGADAS CON ALTA DISOLUCION LOCALIZADA, QUE SE GUIAN DE MANERA PULSADA EN LA POTENCIA DE PLASMA Y EL GRADIENTE DE CAPA SE AJUSTA MEDIANTE MODIFICACION DE LOS PARAMETROS DE POTENCIA DE PLASMA SEGUN LA ALTURA DE IMPULSO, DURACION DE IMPULSO Y/O PAUSA DE IMPULSO.
PROCEDIMIENTO PARA RECUBRIR UNOS CUERPOS BASICOS DE HERRAMIENTAS Y HERRAMIENTA PRODUCIDA SEGUN ESTE PROCEDIMIENTO.
(01/08/1995). Solicitante/s: WIDIA GMBH. Inventor/es: VAN DEN BERG, HENDRIKUS, DR. RER. NAT. DIPL.-PHYS., KONIG, UDO, DR. RER. NAT. DIPL.-PHYS, TABERSKY, RALF, DIPL.-PHYS., BLUM, JOSEF, DIPL.-ING.
PARA REDUCIR LA ELEVADA TEMPERATURA DE RECUBRIMIENTO ASI COMO PARA MEJORAR LA ADHERENCIA DE LA CAPA SUPERFICIAL SE PROPONE EL EMPLEAR UN PROCESO CUD ACTIVADOR DE PLASMA CON UNA TENSION CONTINUA Y UNA MAGNITUD DE TENSION RESTO QUE PERMANECE EN LAS PAUSAS DE PULSACION, QUE ES IGUAL O MAYOR QUE EL PEQUEÑO POTENCIAL DE IONIZACION DE LOS GASES QUE PARTICIPAN EN LOS PROCESOS CUD Y SUPONE UN 50% DEL MAXIMO VALOR DE LA TENSION CONTINUA PULSADA. EL GROSOR DE LA CAPA DEBE SER COMO MAXIMO DE 20 A 30 NM. LA TEMPERATURA DEL CUERPO PRINCIPAL DURANTE EL RECUBRIMIENTO PERMANECE ENTRE 400 Y 800 C.
PROCESO PARA LA REALIZACION DE UN DEPOSITO DE UN REVESTIMIENTO PROTECTOR INORGANICO Y AMORFO SOBRE UN SUSTRATO POLIMERICO ORGANICO.
(01/03/1995). Solicitante/s: L'AIR LIQUIDE, SOCIETE ANONYME POUR L'ETUDE ET L'EXPLOITATION DES PROCEDES. Inventor/es: PERRIN, JEROME, CLAVERIE, PIERRE, FRIEDT, JEAN-MARIE, ROOM 104.
PROCESO PARA LA REALIZACION DE UN DEPOSITO DE UN REVESTIMIENTO PROTECTOR INORGANICO Y AMORFO SOBRE UN SUSTRATO POLIMERICO ORGANICO, ESTE REVESTIMIENTO ESTA CONSTITUIDO POR COMPUESTOS BAJO FORMA DE OXIDO, NITRURO, CARBURO O ALEACIONES DE ESTOS COMPUESTOS, POR DESCOMPOSICION FOTOSENSIBILIZADA EN FASE GASEOSA. SEGUN EL INVENTO, ESTE PROCESO CONSISTE EN UTILIZAR LA DESCOMPOSICION FOTOSENSIBILIZADA DE UN MEDIO GASEOSO QUE INCLUYE LOS PRECURSORES DE LOS ELEMENTOS QUE CONSTITUYEN EL DEPOSITO DEL REVESTIMIENTO PROTECTOR INORGANICO AMORFO PARA REALIZAR POR EXCITACION FOTONICA DE UNA IMPUREZA PREVIAMENTE INTRODUCIDA EN EL MEDIO, APTA PARA REALIZAR UNA TRANSFERENCIA INDIRECTA DE ENERGIA A LAS MOLECULAS DE ESTE, DE MODO QUE PERMITA LA DESCOMPOSICION DESPUES DEL DEPOSITO DE ESTOS ELEMENTOS SOBRE EL SUSTRATO. EL INVENTO CONCIERNE IGUALMENTE UN REACTOR ADAPTADO PARA LLEVAR A CABO ESTE PROCESO.
CONTROL DEL PROCESO DE DEPOSICION DE PELICULA DELGADA POR PLASMA.
(16/11/1994). Solicitante/s: THE BOC GROUP, INC.. Inventor/es: FELTS, JOHN T., LOPATA, EUGENE S.
EN UN PROCESO PARA DEPOSICION DE UNA PELICULA DELGADA EN UNA SUPERFICIE DE UN SUBSTARTO CON EL USO DE UN PLASMA, DONDE SE CONTROLA LA EMISION OPTICA DEL PLASMA, SE ANALIZA, Y LOS RESULTADOS SE UTILIZAN, PARA CONTROLAR AUTOMATICAMENTE LA NATURALEZA DEL PLASMA, A FIN DE CONTROLAR LAS CARACTERISTICAS DE LA PELICULA DELGADA DEPOSITADA. UN ASPECTO DE LA EMISION QUE SE DETECTA ES LA INTENSIDAD DE CADA UNA DE LAS 2 LINEAS DE EMISION DE BANDAS A LONGITUDES DE ONDA DIFERENTES DE LAS MISMAS ESPECIES DEL PLASMA, ESTANDO RELACIONADAS LAS INTENSIDADES, Y LA RELACION COMPARADA CON UN VALOR CONOCIDO PREDETERMINADO, PARA PROPORCIONAR UNA PELICULA RESULTANTE CON CARACTERISTICAS UNIFORMES Y REPETIDAS. ESTA RELACION TAMBIEN ESTA RELACIONADA CON LA TEMPERATURA ELECTRONICA MEDIA DEL PLASMA, QUE SE PUEDE CALCULAR A PARTIR DE ELLA. ADEMAS, LA INTENSIDAD DE OTRA LINEA DE EMISION DE OTRA DE LAS ESPECIES DEL PLASMA, SE PUEDE MEDIR Y RELACIONAR CON UNA DE LAS INTENSIDADES DE LINEA PRECEDENTES, SI SE DESEA CONTROL ADICIONAL.
PROCEDIMIENTO PARA LA DEPOSICION VIA PLASMA DE ESTRATOS MULTIPLES DE MATERIAL AMORFO DE COMPOSICION VARIABLE.
(16/05/1991). Solicitante/s: ENIRICERCHE S.P.A. AGIP S.P.A.. Inventor/es: DELLA SALA, DARIO, OSTRIFASTE, CIRO.
SE DESCRIBE UN PROCEDIMIENTO PARA LA PREPARACION DE ESTRUCTURAS DE MATERIALES AMORFOS CONSTITUIDAS POR VARIOS ESTRATOS DELGADOS DE DIVERSA COMPOSICION, CONSISTENTES EN UNA DESCARGA POR DESLUMBRAMIENTO EN UN UNICO REACTOR CONTENIENDO UNA MEZCLA GASEOSA Y SIN VARIAS, DURANTE LA DEPOSICION, LA MEZCLA DE LOS GASES REACTIVOS. UNICAMENTE ES VARIADA, DE FORMA CONTROLADA, LA TENSION EN LOS ELECTRODOS DEL REACTOR. LOS MULTIESTRATOS ASI OBTENIDOS ENCUENTRAN APLICACION EN DISPOSITIVOS FOTOVOLTAICOS Y EN LA ELECTRONICA.