CIP 2015 : C30B 11/00 : Crecimiento de monocristales por simple solidificación o en un gradiente de temperatura,

p. ej. método de Bridgman-Stockbarger (C30B 13/00, C30B 15/00, C30B 17/00, C30B 19/00 tienen prioridad; bajo un fluido protector C30B 27/00).

CIP2015CC30C30BC30B 11/00[m] › Crecimiento de monocristales por simple solidificación o en un gradiente de temperatura, p. ej. método de Bridgman-Stockbarger (C30B 13/00, C30B 15/00, C30B 17/00, C30B 19/00 tienen prioridad; bajo un fluido protector C30B 27/00).

Notas[g] desde C30B 7/00 hasta C30B 21/00: Crecimiento de monocristales a partir de líquidos; Solidificación unidireccional de materiales eutécticos

C30B 11/02 · sin solvente (C30B 11/06 tiene prioridad).

C30B 11/04 · introduciendo en el baño fundido el material a cristalizar o los reactivos que lo forman in situ .

C30B 11/06 · · añadiendo al menos un constituyente del cristal, pero no todos.

C30B 11/08 · · añadiendo todos los constituyentes del cristal durante la cristalización.

C30B 11/10 · · · Constituyentes sólidos o líquidos, p. ej. método de Verneuil.

C30B 11/12 · · · Constituyentes gaseosos, p. ej. crecimiento vapor-líquido-sólido.

C30B 11/14 · caracterizado por el germen, p. ej. por su orientación cristalográfica.

CIP2015: Invenciones publicadas en esta sección.

Crisol para la producción de lingotes semiconductores cristalinos y método para la fabricación del mismo.

(13/07/2016). Solicitante/s: VESUVIUS FRANCE S.A.. Inventor/es: DUBOIS, LAURENT, MARTIN, CHRISTIAN, RANCOULE, GILBERT.

Crisol para la producción de lingotes semiconductores cristalinos, comprendiendo dicho crisol un volumen interno definido por una parte inferior (1a) cuya superficie superior comprende una parte plana que define un primer plano horizontal (H) y paredes laterales periféricas (1b) cada una comprendiendo una superficie interna que comprende una parte plana vertical, que define un plano vertical (V), y perpendicular al primer plano horizontal (H), uniéndose dichas paredes laterales (1b) a la parte inferior (1a) en el perímetro del último formando un radio de curvatura, R1, de al menos 1 mm, caracterizado por que, la línea de intersección (hv) que forma la intersección entre el primer plano horizontal (H) y los planos verticales (V) definida por las partes planas verticales de cada pared lateral (1b) se sitúa completamente en las paredes laterales (1b), en la parte inferior (1a), o en el volumen interno del crisol.

PDF original: ES-2596255_T3.pdf

Intercambiador térmico de un sistema de solidificación y/o de cristalización de un material semiconductor.

(06/01/2016) Intercambiador térmico de un sistema de solidificación y/o de cristalización de un material semiconductor, que comprende una primera pieza (2; 2a; 2b; 2c; 2d; 2e; 2f; 2g; 2h; 2i; 2j) y una segunda pieza (3; 3a; 3b; 3c; 3d; 3e; 3f; 3g; 3h; 3i; 3j), siendo las primera y segunda piezas desplazables una con respecto a la otra, caracterizado por que la primera pieza comprende unos primeros relieves y la segunda pieza comprende unos segundos relieves , estando los primeros relieves destinados a cooperar con los segundos relieves y por que comprende un elemento de desplazamiento de la primera pieza en relación con la segunda pieza que permite controlar un flujo de calor intercambiado, por…

Dispositivo de fabricación de material cristalino a partir de un crisol de resistencia térmica no uniforme.

(16/12/2015) Dispositivo que forma un crisol para la fabricación de material cristalino por cristalización dirigida que incluye un fondo y al menos una pared lateral en el que el fondo incluye: - una primera parte (2a) que presenta una primera resistencia térmica y una segunda parte (2b) que presenta una segunda resistencia térmica inferior a la primera resistencia térmica y destinada a recibir una semilla en el segundo material cristalino para la fabricación de dicho material cristalino, estando el fondo y dicha al menos una pared lateral formados al menos en parte por una pieza estanca que incluye al menos un endentado que participa para definir dichas partes primera y segunda (2a, 2b), dispositivo caracterizado porque la primera parte (2a) está recubierta por una primera…

Fragmento de silicio policristalino y procedimiento para la limpieza de fragmentos de silicio policristalino.

(26/11/2014) Fragmento de silicio policristalino con una concentración de carbono en la superficie de 0,5-35 ppbw.

Crisol y método para la producción de un lingote de material semiconductor (cuasi) monocristalino.

(10/09/2014) Crisol para la producción de lingotes de material semiconductor cristalino, tal como silicio, comprendiendo dicho crisol paredes laterales periféricas (1 b) y un piso (1 a) estando al menos una porción de dicho piso revestida con una capa superior , caracterizado porque, dicha capa superior tiene un espesor, δ, de al menos 500 μm y porque, a una temperatura de deformación por debajo de 1.400 °C, dicha capa superior se puede deformar en forma plástica o viscosa.

Implantes bioabsorbibles.

(10/09/2014) Un implante bioabsorbible que comprende: un elemento metálico alargado que comprende más de aproximadamente el 50 % en peso de un metal seleccionado del grupo que consiste en magnesio, hierro, cinc, calcio y manganeso y combinaciones de los mismos, y que no tiene sustancialmente metales de las tierras raras, definiendo el elemento metálico alargado al menos una parte del implante bioabsorbible, en el que el metal define al menos uno de (i) un grano individual continuo que tiene una relación de aspecto de longitud de grano y diámetro de grano de al menos 10:1 y (ii) una microestructura columnar que incluye granos que tienen una longitud de grano promedio de al menos…

Dispositivo de guiado de ondas ultrasonoras adaptado a una utilización en un horno de solidificación dirigida de silicio.

(18/06/2014) Dispositivo de guiado de ondas ultrasonoras susceptible de ser utilizado en un recinto térmicamente aislante de un horno de cristalización de silicio y destinado a ser insertado parcialmente en el recinto de dicho horno por un orificio dispuesto en la pared del recinto, caracterizado porque comprende: - una guía de onda de sílice cristalina, que comprende una cara de entrada de una onda ultrasonora, una cara de salida de una onda ultrasonora y una superficie lateral que une la cara de entrada y la cara de salida, - una estructura de grafito o de carburo de silicio, que rodea al menos parcialmente la superficie lateral de la guía de onda, - una…

Método para obtener materia prima de silicio para células solares.

(01/01/2014) Un método para la producción de una materia prima de silicio, siendo la materia prima de silicio para laproducción de lingotes de silicio solidificados direccionalmente por el método de Czochalski, por zona de flotación omulti-cristalino, láminas de silicio delgadas o cintas para la producción de obleas de silicio para células solaresfotovoltaicas, caracterizado porque el silicio de grado metalúrgico producido en un horno de arco eléctrico medianteun horno de reducción carbotérmica y que contiene hasta 300 ppm (átomos) de boro y hasta 100 ppm (átomos) defósforo se somete a las siguientes etapas de refino: a) tratamiento del silicio de grado metalúrgico con una escoria de calcio-silicato para reducir el contenido de boro delsilicio a entre 0,3 ppm (átomos) y 5,0 ppm (átomos); b) solidificar el silicio tratado con escoria de la etapa a); c)…

Aparato de fabricación de un sustrato de silicio para células solares usando colada continua para facilitar el control de la temperatura y procedimiento de fabricación de un sustrato de silicio usando el mismo.

(18/12/2013) Un aparato de fabricación de un sustrato de silicio usando colada continua, que comprende: una unidad de crisol configurada para recibir silicio en bruto y que tiene un puerto de descarga que penetra enuna pared lateral de la misma y está dispuesta en una dirección horizontal; una unidad calefactora que se proporciona en una pared exterior y en una superficie inferior externa de la unidadde crisol y que calienta la unidad de crisol para fundir el silicio en bruto en la unidad de crisol y formar siliciofundido; una unidad de colada que cuela el silicio fundido, descargado por medio del puerto de descarga de la unidad decrisol, hasta formar un sustrato…

Aparato para producir lingotes de silicio multicristalino mediante un método de inducción.

(11/12/2013) Aparato para producir lingotes de silicio multicristalino por medio del método de inducción, que comprende unacaja , la cual incluye medios para el calentamiento inicial de silicio, un crisol refrigerado envuelto por uninductor y que tiene un fondo movible y cuatro paredes que constan de secciones separadas entre sí por ranuras que se extienden verticalmente, medios para mover el fondo movible, y uncompartimento de refrigeración controlada, dispuesto debajo del crisol refrigerado, en donde su cara interiordefine una cámara de fusión de sección transversal rectangular o cuadrada y las paredes del crisol refrigerado seextienden hacia fuera por lo menos desde el inductor en dirección a la porción más baja del crisol refrigerado paraasí expandir la cámara de fusión, caracterizado porque cada pared del crisol refrigerado tiene una sección…

Dispositivo de control del estado de avance de la cristalización de un baño de material fundido en un procedimiento de solidificación dirigida usando ultrasonidos.

(06/11/2013) Dispositivo para controlar el estado de avance de la cristalización de un baño de material fundido realizado en unacámara térmicamente aislante de un horno de cristalización de acuerdo con un procedimiento de solidificacióndirigida, que comprende una fuente de ultrasonidos y un detector de ultrasonidos , caracterizado porque: - la fuente de ultrasonidos comprende n conjunto(s), siendo n un número entero mayor que o igual a 1,comprendiendo cada conjunto de la fuente un transductor , que es capaz de emitir una onda ultrasónica,conectado a una guía de ondas , que es capaz de guiar la onda ultrasónica producida por dicho transductor, haciala interfase vapor-líquido del baño líquido, - el detector de ultrasonidos comprende al menos 2n conjuntos, comprendiendo cada…

Proceso de fabricación de lingotes de silicio multicristalino por el método de inducción.

(16/10/2013) Proceso de fabricación de lingotes de silicio multicristalino por el método de inducción, comprendiendo elproceso los pasos de cargar una materia prima de silicio al interior de la cámara de fusión de un crisolrefrigerado rodeado por un inductor; formar una superficie de masa fundida; fundir mientras se supervisan losparámetros de salida de la alimentación del inductor; y extraer el lingote de silicio multicristalino bajo condicionesde enfriamiento controladas; estando dicho proceso caracterizado por el hecho de que, a lo largo de la fusión,la velocidad másica de carga de la materia prima de silicio y la velocidad de extracción del lingote se ajustan deforma tal que hacen que la posición de la superficie de la masa fundida quede por debajo del plano superior delinductor…

Horno de fusión-solidificación provisto de modulación de los intercambios térmicos por las paredes laterales.

(29/05/2013) Horno de fusión y de solidificación para material cristalino provisto de: - un crisol que tiene un fondo y paredes laterales , mostrando el crisol une dirección longitudinal perpendicular al fondo - un sistema lateral de aislamiento térmico colocado alrededor del crisol frente a las paredes laterales , estando provisto el sistema lateral de aislamiento térmico de al menos un elemento lateral (7a, 7b, 7c, 7'a, 7'b, 7'c) que se desplaza entre una posición de aislamiento y una posición que favorece la disipación térmica, horno caracterizado porque: - el sistema lateral de aislamiento térmico está constituido por al menos dos subelementos adyacentes que forman un anillo continuo…

Proceso para la solidificación de un material fundido no metálico.

(03/05/2013). Ver ilustración. Solicitante/s: FORSCHUNGSVERBUND BERLIN E.V.. Inventor/es: RUDOLPH, PETER, BÜLLESFELD,FRANK, SAHR,UWE, MILLER,WOLFRAM, REHSE,UWE, DROPKA,NATASCHA.

Proceso para la solidificación de un material fundido no metálico , que se encuentra en un crisol , en el que, por medio de varios inductores , se generan campos magnéticos, para lo cual los inductores son alimentados con un primer conjunto de corrientes alternas ( 11a, 11b, 11c, 11d) desfasadas y con una primera frecuencia (f1), de manera que mediante la superposición de campos magnéticos se genere un campo de ondas progresivas (W1) en el material fundido , y éste sea alimentado con al menos un segundo conjunto de corrientes alternas (12a, 12b, 12c, 12d) desfasadas con una segunda frecuencia (f2), caracterizado porque mediante la superposición del campo magnético generado con la segunda frecuencia (f2), se genera un segundo campo de ondas progresivas (W2) en el material fundido , que se mueve en dirección contraria al campo de ondas progresivas (W1), por lo que los dos campos de ondas progresivas generados (W1, W2) recorren el material fundido en una dirección (Y) esencialmente vertical.

PDF original: ES-2402446_T3.pdf

Procedimiento de fabricación de una oblea de silicio de calidad solar.

(11/04/2013) Un procedimiento de fabricación de una oblea de silicio de calidad solar, comprendiendo dicho procedimiento lasetapas de: proporcionar un molde cerámico de oblea de calidad solar con una porosidad superior a cero; proporcionar una mezcla que incluye un medio de suspensión, un agente aglutinante en suspensión, y unagente de oclusión de poros en suspensión; tratar dicho molde cerámico de oblea de calidad solar con dicha mezcla para producir un molde cerámico deoblea de calidad solar con porosidad reducida; proporcionar una pasta que incluye un líquido que esencialmente evita la oxidación del polvo de silicio y unpolvo de silicio que está prácticamente libre de óxidos; introducir dicha pasta en dicho molde cerámico de oblea de calidad solar con porosidad reducida; precipitar dicho polvo de silicio a partir de dicha pasta para formar una preforma…

Procedimiento y dispositivo para la fabricación de cuerpos de fundición metálicos según el procedimiento de fundición de precisión.

(19/09/2012). Solicitante/s: TITAL GMBH. Inventor/es: RODEHÜSER,HELMUT, STEINRÜCKEN,ULRICH, NICOLAI,HANS-PETER, HENNEKE,DIETMAR.

Procedimiento para la fabricación de un cuerpo de fundición metálico según el procedimiento de fundición deprecisión, en el que el metal que ha se ser colado o la aleación que ha de ser colada se cuela en un molde defundición cerámico con paredes porosas y, para el enfriamiento y la solidificación de la masa fundida, el molde defundición se sumerge de forma constante en un medio refrigerante comenzando por un extremo, de tal forma que elfrente de solidificación que se forma como superficie límite entre la masa fundida y el metal ya solidificado corredetrás del nivel del medio refrigerante, caracterizado porque la zona del molde de fundición aún situada por encimadel nivel del medio refrigerante se calienta dentro de una campana calentadora, mediante un gas portador de calor, auna temperatura superior a la temperatura de solidez del metal o la aleación que han de ser colados, conteniendo elgas portador de calor oxígeno y un gas oxidable de forma exotérmica.

PDF original: ES-2393415_T3.pdf

Dispositivo de fabricación de un bloque de material cristalino con modulación de la conductividad térmica.

(08/06/2012) Dispositivo de realización de un bloque de material cristalino a partir de un baño de material fundido , que comprende un crisol que tiene un fondo , medios de extracción del calor dispuestos bajo el crisol y medios de modulación de la conductividad térmica interpuestos entre el fondo del crisol y los medios de extracción del calor , dispositivo caracterizado porque los medios de modulación de la conductividad térmica comprenden una pluralidad de placas , de material térmicamente conductor y de baja emisividad, paralelas al fondo del crisol y medios de acercamiento y de alejamiento de dichas placas unas con respecto a otras y con respecto al fondo del crisol , presentando las placas una emisividad inferior a 0,5.

Dispositivo y procedimiento de fabricación de un bloque de material cristalino.

(16/05/2012) Dispositivo de fabricación de un bloque de material cristalino por cristalización direccional, queincorpora unos medios de calentamiento y unos medios de enfriamiento dispuestos para que establezcan ungradiente térmico en un crisol de cristalización , incorporando los medios de enfriamiento un intercambiador y una fuente de calor suplementaria regulable, dispositivo caracterizado porque los medios de enfriamiento incorporan una espira de inducción enfriada mediante un líquido refrigerante circulante por el interior de laespira de inducción y un susceptor de inducción eléctricamente conductor dispuesto entre el crisol y laespira…

Instalación y procedimiento de fabricación en continuo de barra de silicio multicristalino.

(19/04/2012) Instalación de fabricación en continuo de una barra de silicio multicristalino en un crisol sustancialmente cilíndrico , siendo dicho crisol calentado en su parte alta por inducción de manera que la parte superior del silicio se funda, y estando asociado a unos medios de realimentación de silicio, caracterizada porque comprende unos medios para aspirar periódicamente una parte del silicio fundido.

Dispositivo y procedimiento para la fabricación de cristales a partir de masas fundidas conductoras de electricidad.

(18/04/2012) Dispositivo para la fabricación de cristales a partir de masas fundidas conductoras de electricidad, que presenta al menos un crisol con un fondo de crisol (3b), que está dispuesto en una cámara de crecimiento y contiene una masa fundida , un dispositivo calefactor que envuelve el crisol y está realizado como disposición de bobinas múltiples a partir de bobinas , , dispuestas una sobre otra y sirve para la generación simultánea de un campo magnético móvil, estando unidas por electricidad las bobinas con al menos un dispositivo suministrador de energía dispuesto fuera de la cámara de crecimiento por medio de…

Dispositivo para fabricar cristales a partir de masas fundidas eléctricamente conductoras.

(28/03/2012) Dispositivo para cultivar cristales a partir de masas fundidas eléctricamente conductoras que presenta al menos un crisol que contiene una masa fundida , dispuesto en una cámara de cultivo , un dispositivo de calentamiento que rodea al crisol , que está realizado como disposición de múltiples bobinas de bobinas (1a, 1b, 1c) dispuestas una sobre otra, presentando las bobinas (1a, 1b, 1c) espiras de bobina continuas o escalonadas y estando colocadas en las bobinas (1a, 1 b, 1c) barras de alimentación de corriente (2a, 2b, 2c, 2m) que están conectadas eléctricamente con un dispositivo de alimentación de energía dispuesto fuera de la cámara de cultivo , caracterizado por…

Procedimiento y sistema para formar un lingote de silicio usando una materia prima de silicio de bajo grado.

(07/03/2012) Un procedimiento para formar un lingote de silicio usando una materia prima de silicio de bajo grado, comprendiendo el lingote de silicio un silicio de mayor grado que la materia prima de silicio de bajo grado, que comprende las etapas de: formar en un dispositivo de crisol , , un silicio fundido a partir de una materia prima de silicio de bajo grado , , ; realizar una solidificación direccional del silicio fundido para formar un lingote de silicio en el dispositivo de crisol, formando la solidificación direccional una cantidad generalmente solidificada de silicio y una cantidad generalmente fundida de silicio , aumentando la solidificación direccional la altura de la cantidad combinada solidificada…

PROCEDIMIENTO DE PREPARACIÓN DE ALÚMINAS HIDRATADAS MONOLÍTICAS Y DE MATERIALES COMPUESTOS.

(01/06/2011) Procedimiento de preparación de una alúmina hidratada monolítica, comprendiendo sucesivamente dicho procedimiento las siguientes etapas: a) decapado de una superficie de una pieza de aluminio o de una aleación de aluminio; b) recubrimiento de dicha superficie por una amalgama de mercurio que comprende al menos un metal noble; y c) exposición de dicha superficie recubierta obtenida en b) a una atmósfera oxidante húmeda

PROCEDIMIENTO PARA OBTENER MONOCRISTALES CZT MEDIANTE EL METODO BRIDGMAN MODIFICADO.

(17/09/2010) La presente invención describe un procedimiento para la obtención de un monocristal en volumen de Cd1-xZnxTe-CZT, según el método Bridgman Modificado que utiliza un crisol de nitruro de boro pirolítico y comprende un proceso de crecimiento en vapor que comprende las siguientes etapas: someter el sistema de crecimiento a una temperatura constante superior en 20ºC con respecto a la temperatura del punto de fusión del material de partida; disminución de la temperatura del sistema de crecimiento alcanzada en la etapa anterior hasta alcanzar una temperatura de 1120ºC; y mantener la temperatura alcanzada en la etapa anterior constante hasta el recocido del monocristal. La invención también se refiere a un aparato para llevar a cabo el procedimiento que comprende 3 elementos calefactores que proporcionan un perfil…

APARATO Y PROCEDIMIENTO PARA OBTENER MONOCRISTALES SEMICONDUCTORES MEDIANTE EL METODO BRIDGMAN.

(17/09/2010) La presente invención describe un aparato para la preparación de un monocristal semiconductor en volumen de Cd1-xZnxTe-CZT según el método Bridgman que comprende: un elemento resistivo calefactor ; una ampolla de crecimiento ; un sistema de soporte de la ampolla de crecimiento que comprende a su vez un tubo de platino cuya parte superior está en contacto con la ampolla de crecimiento; un tubo de cuarzo de igual diámetro que la ampolla de crecimiento, en cuyo interior se sitúa el tubo de platino ; un tubo de cuarzo en el interior de tubo de platino y centrado con respecto al mismo. La invención describe…

INSTALACION DE CRECIMIENTO DE CRISTALES.

(16/11/2009). Ver ilustración. Solicitante/s: CRYSTAL GROWING SYSTEMS GMBH. Inventor/es: MUHE,ANDREAS, ALTEKRUGER,BURKHARD, VONHOFF,AXEL.

Instalación de crecimiento de cristales, en particular instalación de crecimiento de cristales semiconductores, con un crisol que puede ser calentado para una masa fundida y una disposición de bobinas colocada coaxial con el crisol para generar un campo magnético en la masa fundida , comprendiendo la disposición de bobinas tres o más bobinas, que están colocadas unas sobre otras en dirección axial y que en cada caso están atacadas con una tensión alterna, estando la tensión alterna aplicada a una bobina desplazada en fase con respecto a la tensión alterna aplicada a la bobina adyacente, caracterizada porque las bobinas están formadas por un cuerpo cilíndrico hueco de un material eléctricamente conductor, formando éste mediante una ranura múltiples veces circular un camino de corriente circular de una sola capa en forma de espiral, el cual mediante puntos de contacto que pueden conectarse al suministro de tensión está subdividido en secciones, que en cada caso forman una bobina.

ALEACION BASADA EN NIQUEL PARA LA FABRICACION TECNICA POR MOLDEO DE COMPONENTES SOLIDIFICADOS MONOCRISTALINOS.

(16/07/2006). Solicitante/s: MTU AERO ENGINES GMBH. Inventor/es: GLATZEL, UWE, PROF. DR., MACK, THOMAS, DR., WILLMER, SILKE, DR., WORTMANN, JURGEN, DR..

Aleación basada en níquel para la fabricación técnica por moldeo de componentes solidificados monocristalinos, especialmente de paletas para etapas de turbinas de alta velocidad en turbinas de gas, con una proporción de renio (Re) de al menos 2, 3 a como máximo 2, 6% en peso, una proporción de volframio (W) cuya relación en peso con la proporción de renio (Re) asciende de al menos 1, 1 a como máximo 1, 6, una proporción de aluminio (Al) de al menos 6, 2 a como máximo 6, 8% en peso, una proporción de cobalto (Co) de al menos 7, 2 a como máximo 7, 8% en peso, una proporción de cromo (Cr) de al menos 5, 8 a como máximo 6, 4% en peso, una proporción de hafnio (Hf) de al menos 0, 05 a como máximo 0, 15% en peso, una proporción de molibdeno (Mo) de al menos 1, 7 a como máximo 2, 3% en peso, una proporción de tantalio (Ta) de al menos 2, 0 a como máximo 2, 6% en peso, y una proporción de titanio (Ti) de a menos 0, 9 a como máximo 1, 1% en peso, el resto níquel e impurezas.

PROCEDIMIENTO DE CRECIMIENTO CRISTALINO SOBRE SUBSTRATO.

(01/05/2004). Solicitante/s: CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE. Inventor/es: LEYCURAS, ANDRE.

Procedimiento de crecimiento cristalino de un material sobre un primer material sólido , a partir de un material en fusión, sobre el primer material sólido , caracterizado porque comprende: - una etapa (a) de crecimiento del primer material sobre un substrato , constituido por un segundo material , - una etapa (d, d’) en la cual se hacen crecer unas puntas cristalinas del primer material a partir de la intercara del primer material y del material en fusión, imponiendo un gradiente de temperatura en la dirección perpendicular a la superficie libre del material en fusión tal que la intercara entre el primer material y el material en fusión esté a una temperatura más elevada que la temperatura en la superficie libre del material en fusión; - una etapa (f, f’) que consiste en hacer crecer, lateralmente, en un plano principalmente paralelo al de la superficie libre del material en fusión, unos cristales a partir de las puntas cristalinas, invirtiendo el signo del gradiente.

SUPERALEACIONES MONOCRISTALINAS A BASE DE NIQUEL RESISTENTE A LA CORROOSION A TEMPERATURA ELEVADA.

(16/04/2003). Solicitante/s: CANNON-MUSKEGON CORPORATION. Inventor/es: ERICKSON, GARY L.

Una superaleación a base de níquel resistente a la corrosión en caliente incluyendo los elementos siguientes en porcentaje en peso: Cromo 14, 2-15, 5 Cobalto 2, 0-4, 0 Molibdeno 0, 30-0, 45 Tungsteno 4, 0-5, 0 Tántalo 4, 5-5, 8 Niobio 0, 05-0, 25 Aluminio 3, 2-3, 6 Titanio 4, 0-4, 4 Hafnio 0, 01-0, 06 Carbono 0-0, 05 Boro 0-0, 03 Circonio 0-0, 03 Renio 0-0, 25 Silicio 0-0, 10 Manganeso 0-0, 10 Níquel + Impurezas incidentales Equilibrio teniendo dicha superaleación un número de estabilidad de fase NV-3B inferior a aproximadamente 2, 45.

SUPERALEACION MONOCRISTALINA A BASE DE NIQUEL DE ALTO SOLVUS EN FASE GAMMA PRIMA.

(16/02/2003). Solicitante/s: ONERA (OFFICE NATIONAL D'ETUDES ET DE RECHERCHES AEROSPATIALES). Inventor/es: CARON, PIERRE, RAFFESTIN, JEAN-LOUIS, NAVEOS, SERGE.

Se presenta una superaleación basada en níquel especialmente para las palas móviles y estacionarias monocristalinas de motores de turbina de gas de aviones y helicópteros. Se presenta una nueva superaleación con base de níquel que tiene contenidos específicos de renio y rutenio. Una superaleación basada en níquel tiene la composición (en porcentajes en peso) de entre un 3,5 y un 7,5% de Cr, entre 0 y un 1,5% de Mo, entre un 1,5 y un 5,5% de Re, entre un 0 y un 5,5% de Ru, entre un 3,5 y un 8,5% de W, entre un 5 y un 6,5% de Al, entre 0 y 2,5% de Ti, entre un 4,5 y un 9% de Ta, entre un 0,08 y un 0,12% de Hf, entre un 0,08 y un 0,12 de Si, el resto ser Ni e impurezas.

PROCEDIMIENTO Y DISPOSITIVO PARA REALIZAR LA SOLIDIFICACION ORIENTADA DE UNA MASA DE MATERIAL FUNDIDO.

(16/08/2001) LA INVENCION SE REFIERE A UN PROCEDIMIENTO PARA LA SOLIDIFICACION DIRECCIONAL DE UNA COLADA DE UN PRIMER METAL EN UN MOLDE DE FUNDICION, COMPRENDIENDO EL PROCEDIMIENTO LAS SIGUIENTES OPERACIONES: LA COLADA ES INTRODUCIDA DENTRO DEL MOLDE A UNA PRIMERA TEMPERATURA, POR ENCIMA DEL PUNTO DE FUSION DEL PRIMER METAL, SIENDO REFRIGERADA ENTONCES EN EL MOLDE MEDIANTE INCLINACION DEL MOLDE A UN BAÑO QUE CONSISTE EN UN SEGUNDO METAL LIQUIDO A UNA SEGUNDA TEMPERATURA, POR DEBAJO DEL PUNTO DE FUSION DEL PRIMER METAL. EL BAÑO ESTA CUBIERTO MEDIANTE UNA CAPA DE FLOTACION LIBRE, QUE CONSISTE EN MATERIAL AISLANTE…

ESTRUCTURA MULTICAPA CRISTALINA Y SU PROCEDIMIENTO DE FABRICACION.

(16/10/2000). Solicitante/s: CENTRUM BADAN WYSOKOCISNIENIOWYCH. Inventor/es: POROWSKI, SYLWESTER, JUN, JAN, GRZEGORY, IZABELLA, KRUKOWSKI, STANISLAW, WROBLEWSKI, MIROSLAW.

SE PROPORCIONA UN PROCESO PARA LA FABRICACION DE UNA ESTRUCTURA CRISTALINA DE MULTIPLES CAPAS DE NITRUROS DE METALES DEL GRUPO III DE LA TABLA PERIODICA QUE INCLUYE GAN, AIN E INN. EL PROCESO INCLUYE LOS PASOS DE CALENTAR UN METAL DEL GRUPO III A UNA TEMPERATURA T1 BAJO UNA PRESION DE NITROGENO EN EQUILIBRIO MIENTRAS SE MANTIENE LA ESTABILIDAD DEL NITRURO DE METAL DEL GRUPO III PARA FORMAR UNA PRIMERA CAPA DE CRISTAL DE NITRURO DE METAL DEL GRUPO III. POSTERIORMENTE, EL METODO INCLUYE EL PASO DE FORMAR UNA SEGUNDA CAPA DE CRISTAL DEL NITRURO DE METAL DEL GRUPO III MEDIANTE LA REDUCCION DE LA PRESION DE NITROGENO DE MODO QUE LA SEGUNDA CAPA DE CRISTAL CREZCA EN LA PRIMERA CAPA CON UNA VELOCIDAD DE CRECIMIENTO INFERIOR AL CRECIMIENTO DE LA PRIMERA CAPA A UNA TEMPERATURA T2 NO SUPERIOR A LA TEMPERATURA T1. LA SEGUNDA CAPA CRECE EN AL MENOS UNA PORCION DE LA PRIMERA CAPA CON UN GROSOR PREDETERMINADO BAJO LA NUEVA PRESION DE NITROGENO.

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