PROCEDIMIENTO DE REPETICIÓN PARA TARJETAS INTELIGENTES.

La invención se refiere a un dispositivo de recuperación para recuperar datos válidos almacenados en una memoria dotada de: - medios de almacenamiento para almacenar los datos de almacenamiento en áreas de almacenamiento de datos de la memoria y para almacenar información de validez en un área de almacenamiento de validez de la memoria; - medios de lectura para leer los datos de almacenamiento almacenados a partir de las áreas de almacenamiento de datos y de la información de validez procedente del área de almacenamiento de validez de la memoria; y - medios de recuperación para detectar una interrupción inesperada durante el almacenamiento de datos de almacenamiento y para recuperación de datos de almacenamiento válidos de la memoria. La invención se refiere además a un método de recuperación para recuperar datos de almacenamiento válidos de una memoria, en el que se llevan a cabo las siguientes etapas: - almacenar datos de almacenamiento en áreas de almacenamiento de datos de la memoria; - leer de los datos de almacenamiento almacenados de las áreas de almacenamiento de datos de la memoria; - detección de una interrupción inesperada durante el almacenamiento de los datos de almacenamiento; - recuperar datos de almacenamiento válidos de la memoria si se ha detectado una interrupción. La invención se refiere además a un soporte de datos para comunicación sin contacto con una estación de lectura, con una memoria para almacenar datos de almacenamiento y con medios de comunicación para recibir datos de almacenamiento a almacenar en la memoria y para transmitir datos de almacenamiento leídos desde la memoria. Un medio de recuperación de este tipo, un procedimiento de recuperación de este tipo y un soporte de datos de este tipo son conocidos del documento US 6.272.607. El soporte de datos conocido está formado por una tarjeta inteligente que comprende un dispositivo de recuperación para almacenar datos de almacenamiento en una memoria. La tarjeta inteligente comprende medios de comunicación con los que la tarjeta inteligente está diseñada para comunicación sin contacto con una estación de lectura. Con este objetivo, la estación de lectura genera un campo electromagnético de alta frecuencia que es modulado para la transmisión de datos de almacenamiento y desde el que la tarjeta inteligente obtiene el suministro de potencia para la alimentación de la tarjeta inteligente. La memoria de la tarjeta inteligente está formada por una EEPROM. Por medio de una instrucción de lectura, la estación de lectura puede leer ciertas áreas de almacenamiento de la EEPROM, para cuyo objetivo, dispositivos de lectura previstos en la tarjeta inteligente leen datos de almacenamiento almacenados en ciertas áreas de almacenamiento y los transmiten a la estación de lectura por medio de los dispositivos o medios de comunicación. Además, por medio de una instrucción de escritura, la estación de lectura puede almacenar ciertos datos de almacenamiento en ciertas áreas de almacenamiento de la EEPROM, para cuyo objetivo medios de almacenamiento dispuestos en la tarjeta inteligente almacenan los datos de almacenamiento recibidos desde la estación de lectura por medio de dispositivos de comunicación en las áreas de almacenamiento de la EEPROM especificadas por la estación lectora. Una localización de almacenamiento de la EEPROM está formada por un transistor MOS con puerta flotante, en el que para determinar la localización de almacenamiento se transfieren cargas a la puerta flotante por medio del efecto túnel. A efectos de borrar la localización de almacenamiento se descargan cargas desde la puerta flotante del transistor MOS por medio del efecto túnel. Antes de almacenar un bit con un valor digital de 1 o antes de determinar la localización de almacenamiento, la puerta flotante es borrada de los medios de almacenamiento a efectos de ser cargada subsiguientemente a un valor de voltaje que representa el valor digital 1. Cuando se lee esta localización de almacenamiento, los medios de lectura comprueban el valor de voltaje almacenado en la puerta flotante, y lo comparan con un valor de umbral a efectos de decidir si el valor digital 0 o el valor digital 1 está almacenado en la localización de almacenamiento. La tarjeta inteligente conocida está dotada de medios de recuperación que, en el caso de que el proceso de almacenamiento sea inesperadamente interrumpido durante el almacenamiento de los datos de almacenamiento en las áreas de almacenamiento de la EEPROM, recupera los datos de almacenamiento que han sido previamente almacenados en las áreas de almacenamiento. Si esto es necesario, de acuerdo con un método de recuperación. 2 E03720811 07-11-2011   Una interrupción inesperada del proceso de almacenamiento tiene lugar siempre que la tarjeta inteligente es retirada del campo electromagnético durante un proceso de almacenamiento y, por lo tanto, el suministro de potencia a la tarjeta inteligente falla repentinamente. De acuerdo con el método de recuperación conocido, antes del almacenamiento de los primeros datos de almacenamiento en un área de almacenamiento de la memoria, los segundos datos de almacenamiento almacenados en el área de almacenamiento de datos son almacenados en un área de almacenamiento de refuerzo de la memoria y, a continuación, se almacena una segunda información de validez en el área de almacenamiento de validez de la memoria. A continuación, el área de almacenamiento de datos es borrada, a continuación los primeros datos de almacenamiento son almacenados en el área de almacenamiento de datos y, a continuación se almacena una primera información de validez en el área de almacenamiento de validez. La primera información de validez identifica el área de almacenamiento de datos, y una segunda información de validez identifica el área de almacenamiento de refuerzo como área de almacenamiento que comprende datos de almacenamiento válidos. Si el proceso de almacenamiento se interrumpe ahora, de acuerdo con el método de recuperación conocido, el área de almacenamiento de validez es leída en primer lugar y se hace una comprobación en cuanto a si la primera o segunda información de validez ha sido leída. Si ha sido leída la segunda información de validez, los segundos datos de almacenamiento almacenados en el área de almacenamiento de refuerzo serán almacenados nuevamente en el área de almacenamiento de datos y, por lo tanto, la situación de almacenamiento válida que existía antes del procedimiento de almacenamiento interrumpido se reestablece. Se ha pensado que si el proceso de almacenamiento se interrumpe precisamente en el instante en que se almacena la información de validez en el área de almacenamiento de validez, puede ocurrir que la información de validez sea almacenada solamente de forma débil en el área de almacenamiento de validez. Se designa como localización de almacenamiento con almacenamiento débil una localización de almacenamiento con una carga almacenada en la puerta aislada que no se corresponde con la carga prevista para un bit 1 o para un bit 0, dado que el proceso de carga o de descarga ha sido interrumpido por la interrupción brusca. Si los medios de lectura leen una localización de almacenamiento en la que se encuentra un almacenamiento débil, puede ocurrir que el valor de voltaje analógico leído se encuentra solo justo por debajo de un voltaje de umbral, y se lee un bit 0 o se encuentra justamente por encima de este voltaje de umbral y, por lo tanto, se lee un bit 1. Por lo tanto, se pueden obtener diferentes resultados relativos a la información de validez almacenada en el caso de lectura múltiple. En el dispositivo conocido puede ocurrir que si la segunda información de validez ha sido almacenada solamente de forma débil en virtud de una interrupción inesperada, el método de recuperación, después de la lectura de la segunda información de validez, puede ser interrumpido nuevamente durante el almacenamiento de los segundos datos de almacenamiento en el área de almacenamiento de datos. En este caso, se ha demostrado desventajoso que en una nueva lectura del área de almacenamiento de validez, la primera información de validez puede ser leída y, por lo tanto, se almacenan datos de almacenamiento no válidos en el área de almacenamiento de datos. Estos datos de almacenamiento no válidos comprenden ciertos primeros y segundos datos de almacenamiento, lo que es muy desventajoso. El documento de Rankl y otros da a conocer en Smart Card Handbook XP002927893 en el capítulo 5.9 rutinas atómicas. Son siempre utilizadas en relación con rutinas de escritura de EEPROM. En esta EEPROM se prevé un marcador de almacenamiento. Puede ser determinado como datos tampón válidos o datos tampón no válidos. Además del tampón se describe un espacio de almacenamiento correspondiente para las direcciones del... [Seguir leyendo]

1. Dispositivo de recuperación, para recuperar datos de almacenamiento válidos (SD) en la memoria (11) que presenta: - medios de almacenamiento (10) para almacenar datos (SD) en áreas de almacenamiento (DSB, BSB) y para almacenar información de validez (GI1, GI2) en un área de almacenamiento de validez (GSB) de la memoria (11); - medios de lectura (12) para leer los datos de almacenamiento almacenados (SD) de las áreas de almacenamiento de datos (DSB, BSB) y la información de validez (GI1, GI2) del área de almacenamiento de validez (GSB) de la memoria (11); y - medios de recuperación (13) para detectar una interrupción inesperada durante el almacenamiento de datos de almacenamiento (SD) y para recuperar datos de almacenamiento válidos (SD) de la memoria (11), caracterizado porque los medios de recuperación (13) para recuperar datos de almacenamiento válidos (SD) están diseñados, antes de recuperar datos de almacenamiento válidos (SD) de las áreas de almacenamiento de datos (DSB, BSB) para leer la información de validez (GI1, GI2) almacenada en el área de almacenamiento de validez (GSB) y a continuación almacenar la información de validez leída (GI1, GI2) en el área de almacenamiento de validez (GSB). 2. Dispositivo de recuperación, según la reivindicación 1, caracterizado porque antes del almacenamiento de los primeros datos de almacenamiento (SD) en el área de almacenamiento de datos (DSB), los medios de almacenamiento (10) son diseñados para almacenar segundos datos de almacenamiento (SD) almacenados en el área de almacenamiento de datos (DSB) en el área de almacenamiento de refuerzo (BSB) y que los medios de almacenamiento (10) son diseñados para almacenar información de validez (GI1, GI2) en un área de almacenamiento de validez (GSB) de la memoria (11) , de manera que la primera información de validez (GI1) identifica el área (DSB) de almacenamiento de datos y la segunda información de validez (GI2) identifica el área de almacenamiento de refuerzo (BSB) como áreas de almacenamiento que comprenden datos de almacenamiento válidos (SD). 3. Dispositivo de recuperación, según la reivindicación 2, caracterizado porque los medios de recuperación (13) están diseñados para almacenar la primera información de validez (GI1) en el área de almacenamiento de validez (GSB) si ni la primera información ni la segunda información de validez han sido leídas del área de almacenamiento de validez (GSB). 4. Dispositivo de recuperación, según la reivindicación 2, caracterizado porque los medios de almacenamiento (10) están diseñados para almacenar la primera información de validez (GI1) que está formada, como mínimo, en una primera posición de bits por el bit 1 y, como mínimo, por una segunda posición de bits por el bit 0 y para almacenar la segunda información de validez (GI2) que se ha formado, como mínimo, en la primera posición de bit por el bit 0 y, como mínimo, en una segunda posición de bit por el bit 1. 5. Dispositivo de recuperación, según la reivindicación 4, caracterizado porque los medios de recuperación (13) están diseñados para establecer si la información de validez leída corresponde a la segunda información de validez (GI2) y que, a efectos de almacenar la información de validez leída, los medios de recuperación (13) sobrescriben exclusivamente posiciones de bits de información de validez almacenada con bits 1 si las correspondientes posiciones de bits de la segunda información de validez establecida (GI2) comprende el bit 1, de manera que se evita un proceso de borrado previo durante la sobreescritura de almacenamiento de estas posiciones de bits. 6. Procedimiento de recuperación (EV, AV) para la recuperación de datos de almacenamiento válidos (SD) de una memoria (11), en el que se llevan a cabo las siguientes etapas: - almacenar datos de almacenamiento (SD) en áreas de almacenamiento de datos (DSB, BSB) e información de validez (GI1, GI2) en el área de almacenamiento de validez (GSB) de la memoria (11); - leer la información de validez (GI1, GI2) del área de almacenamiento de validez (GSB) y datos de almacenamiento almacenados (SD) de las áreas de almacenamiento de datos (DSB, BSB) de la memoria (11); - detección de una interrupción inesperada durante el almacenamiento de datos de almacenamiento (SD); - recuperación de datos de almacenamiento válidos (SD) en la memoria (11) si se ha detectado una interrupción, caracterizado porque a efectos de recuperar los datos de almacenamiento válidos (SD), antes de recuperar los datos de almacenamiento válidos (SD) en las áreas de almacenamiento de datos (DSD, BSB), leer la información de validez (GI1, GI2) almacenada en el área (GSB) de almacenamiento de validez y a continuación almacenar la información de validez leída (GI1, GI2) en el área de almacenamiento de validez (GSB). 7. Procedimiento de recuperación (EV, AV), según la reivindicación 6, caracterizado porque antes del almacenamiento de los primeros datos de almacenamiento (SD) en un área (DSB) de almacenamiento de datos, segundos datos de almacenamiento (SD) almacenados en el área de almacenamiento de datos (DSB) son almacenados en un área de almacenamiento de refuerzo (BSB), de manera que la primera información de validez 9 E03720811 07-11-2011   (GI1) identifica el área de almacenamiento de datos (DSB) y la segunda información de validez (GI2) identifica el área de almacenamiento de refuerzo (BSB) como áreas de almacenamiento que comprenden datos de almacenamiento válidos (SD). 8. Procedimiento de recuperación (EV, AV), según la reivindicación 7, caracterizado porque si ninguna de la primera ni segunda información de validez ha sido leída del área de almacenamiento de validez (GSB), la primera información de validez (GI1) es almacenada en el área de almacenamiento de validez (GSB). 9. Procedimiento de recuperación (EV, AV), según la reivindicación 7, caracterizado porque la primera información de validez almacenada (GI1) comprende el bit 1, como mínimo en una primera posición de bit, y el bit 0 en, como mínimo, una segunda posición de bit y porque la segunda información de validez almacenada (GI2) comprende del bit 0, como mínimo, en la primera posición de bit y el bit 1, como mínimo, en la segunda posición de bit. 10. Procedimiento de recuperación (EV, AV), según la reivindicación 9, caracterizado porque se establece si la información de validez leída corresponde a la segunda información de validez (GI2) y que a efectos de almacenar la información de validez leída, se sobrescriben para almacenamiento exclusivamente posiciones de bit de la información de validez almacenada con bit 1 si las correspondientes posiciones de bit de la segunda información de validez establecida (GI2) comprenden el bit 1, de manera que durante la sobreescritura de estas posiciones de bit se evita un procedimiento previo de borrado. 11. Soporte de datos (2) para comunicación sin contacto con una estación de lectura (1), con una memoria (11) para almacenar los datos de almacenamiento (SD) y con medios de comunicación (6) para recibir datos de almacenamiento (SD) a almacenar en la memoria (11) y para transmitir datos de almacenamiento (SD) leídos de la memoria (11), caracterizado porque se dispone un dispositivo de recuperación, de acuerdo con cualquiera de las reivindicaciones 1 a 5. E03720811 07-11-2011   11 E03720811 07-11-2011   12 E03720811 07-11-2011