CIP-2021 : C30B 29/04 : Diamante.
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Notas[n] desde C30B 29/02 hasta C30B 29/54: - En los grupos C30B 29/02 - C30B 29/54, se aplica la regla del último lugar, es decir en cada nivel jerárquico, salvo que se indique lo contrario, un material se clasifica en el último lugar apropiado.
- Es importante tener en cuenta la Nota (3) tras el título de la sección C, que indica a qué versión del Sistema periódico de los Elementos se refiere la CIP. En este grupo, el Sistema Periódico utilizado es el sistema de 8 grupos indicados por números romanos en la Tabla Periódica
C QUIMICA; METALURGIA.
C30 CRECIMIENTO DE CRISTALES.
C30B CRECIMIENTO DE MONOCRISTALES (por sobrepresión, p. ej. para la formación de diamantes B01J 3/06 ); SOLIDIFICACION UNIDIRECCIONAL DE MATERIALES EUTECTICOS O SEPARACION UNIDIRECCIONAL DE MATERIALES EUTECTOIDES; AFINAMIENTO DE MATERIALES POR FUSION DE ZONA (afinamiento por fusión de zona de metales o aleaciones C22B ); PRODUCCION DE MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA (colada de metales, colada de otras sustancias por los mismos procedimientos o aparatos B22D; trabajo de materias plásticas B29; modificación de la estructura física de metales o aleaciones C21D, C22F ); MONOCRISTALES O MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA; TRATAMIENTO POSTERIOR DE MONOCRISTALES O DE MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA (para la fabricación de dispositivos semiconductores o de sus partes constitutivas H01L ); APARATOS PARA ESTOS EFECTOS.
C30B 29/00 Monocristales o materiales policristalinos homogéneos de estructura determinada caracterizados por los materiales o por su forma.
C30B 29/04 · · Diamante.
CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.
Partículas abrasivas que tienen una morfología única.
(15/07/2020). Solicitante/s: DIAMOND INNOVATIONS, INC.. Inventor/es: NG,KAN-YIN, DUMM,TIMOTHY F.
Una partícula de diamante monocristalino que comprende:
hoyos y picos que proporcionan a la partícula una superficie irregular;
en la que la rugosidad de superficie de dicha partícula está entre 0,5 y 0,8, en la que el término 'rugosidad de superficie' se refiere a la medición de una imagen bidimensional que cuantifica la extensión o grado de los hoyos y picos de los bordes o límites de la partícula según lo indicado en el analizador de imágenes CLEMEX, Clemex Vision User's Guide PE 3.5 ©2001 y en la que la rugosidad de la superficie está determinada por una relación del perímetro convexo dividido por el perímetro:
**(Ver fórmula)**.
PDF original: ES-2814225_T3.pdf
Matriz de embutir de diamante.
(26/02/2020). Solicitante/s: SUMITOMO ELECTRIC HARDMETAL CORP.. Inventor/es: UEDA, AKIHIKO, Kinoshita,Takuya , SUMIYA,HITOSHI, YUKAWA,MAKOTO, SUEMITSU,BUNYA, SUMIMOTO,SHIGETOSHI, KOBAYASHI,YUTAKA, TATSUMI,NATSUO, NISHIBAYASHI,YOSHIKI.
Una matriz de diamante que comprende un diamante provisto de un agujero para trefilar un material de alambre,
siendo el diamante un diamante monocristalino de CVD , teniendo el diamante una superficie superior y una superficie inferior y extendiéndose el agujero de la matriz desde la superficie superior a la superficie inferior, estando dicho agujero formado perpendicular a la superficie superior y la superficie inferior,
estando un eje del agujero inclinado en relación con una dirección normal de un plano de cristal del diamante ,
caracterizado por que las superficies superior e inferior del diamante son superficies inclinadas con respecto a un plano de 0,1° a 15°.
PDF original: ES-2777627_T3.pdf
Diamantes monocristalinos de grado de dispositivo electrónico y método de producción de los mismos.
(22/05/2019) Un método que utiliza un proceso de deposición de vapor químico por plasma de microondas (MPCVD) para producir diamante monocristalino de grado de dispositivo electrónico, que comprende:
(a) seleccionar un sustrato o una semilla de diamante que tengan una orientación predeterminada;
(b) limpiar y grabar fases que no son de diamante y otros daños superficiales inducidos por el sustrato o la semilla de diamante , con lo que esta etapa se realiza una o más veces, y en donde esta etapa comprende eliminar las fases que no son de diamante del sustrato limpiándolo en un baño de ácido hirviendo que tiene una temperatura…
Tobera de reactor para fabricar diamantes.
(09/03/2018). Solicitante/s: PORRAS VILA,F. JAVIER. Inventor/es: PORRAS VILA,F. JAVIER.
La tobera de reactor para fabricar diamantes, está caracterizada por ser una estructura tronco-cónica que se acopla a la abertura estrecha de un reactor de avión, mediante la rosca de la tobera . Toda su superficie está llena de unas pequeñas cajas en donde se sitúa el material a calentar, sea el grafito, mármol, piedras de toda índole, cristal, y, otros materiales. En el interior de la tobera , se instalan unas estructuras tronco-cónicas, a las que llamaré conos cuya misión es la de potenciar la fuerza de la salida de los gases de la combustión.
PDF original: ES-2658398_A1.pdf
Aparato de deposición química de vapor asistida por plasma de microondas.
(27/09/2017). Solicitante/s: IIA Technologies Pte. Ltd. Inventor/es: MISRA,DEVI SHANKER.
Un aparato para cultivar diamantes, comprendiendo el aparato:
una o más cámaras , estando cada cámara en conexión fluida con una o más otras cámaras , comprendiendo cada cámara uno o más conjuntos de plataforma de sustrato dentro de la cámara para soportar una plataforma de sustrato ,
en donde el conjunto de plataforma de sustrato comprende una placa , dicha plataforma de sustrato y un reflector periférico ; estando soportados la plataforma de sustrato y el reflector periférico en la parte superior de la placa ,
caracterizado por que
las cámaras están dispuestas en serie con tubos de flujo de gas entre cada cámara, o las cámaras están dispuestas en una red de manera que cada cámara está conectada a una cámara adyacente, para permitir el flujo de gas entre las cámaras.
PDF original: ES-2652129_T3.pdf
Aparato y método de producción de diamantes.
(14/06/2017) Un aparato para producir diamantes y realizar un análisis in situ y en tiempo real, que comprende:
un alojamiento ,
una cámara de reacción , estando la cámara de reacción conectada estructuralmente al alojamiento , comprendiendo la cámara de reacción un área cerrada adaptada para alojar el crecimiento de diamantes,
un medio de radiación , estando el medio de radiación montado por encima de la cámara de reacción dentro del alojamiento , el medio de radiación adaptado para emitir microondas en la cámara de reacción para efectuar el crecimiento de los diamantes dentro de la cámara de reacción ,
un medio de grabación montado por encima de la cámara de reacción ,
una cubierta dieléctrica proporcionada en la parte superior de la cámara de reacción y dispuesta entre el área cerrada…
CAPA GRUESA DE DIAMANTE MONOCRISTALINO, PROCEDIMIENTO DE PRODUCCION Y GEMAS PRODUCIDAS A PARTIR DE LA CAPA.
(16/05/2006). Ver ilustración. Solicitante/s: DE BEERS INDUSTRIAL DIAMOND DIVISION (PROPRIETARY) LIMITED. Inventor/es: SCARSBROOK, GEOFFREY ALAN, MARTINEAU, PHILIP MAURICE, DORN, BARBEL SUSANNE CHARLOTTE, COOPER, ANDREW MICHAEL, COLLINS, JOHN LLOYD, WHITEHEAD, ANDREW JOHN, TWITCHEN, DANIEL JAMES.
Una capa de diamante CVD monocristalino de alta calidad que tiene un espesor de al menos 2 mm y que tiene una o más de las siguientes características: 1) una gran distancia de recolección de carga a 300 K de al menos 100 ìm medida a un campo aplicado de 1 V/ìm; 2) un valor elevado para el producto de la movilidad media y duración de portadores ìô tal que supera 1, 0 x 10-6 cm2/V a 300 K; 3) una movilidad de electrones (ìe) medida a 300 K mayor de 2400cm2V-1s-1; 4) una movilidad de huecos (ìh) medida a 300 K mayor de 2100 cm2V-1s-1; y 5) en el estado desactivado, una resistividad a 300 K mayor de 1012 Ùcm a un campo aplicado de 50 V/ìm.
DIAMANTE CON SUPERFICIE ENRIQUECIDA.
(16/06/2004). Ver ilustración. Solicitante/s: GENERAL ELECTRIC COMPANY. Inventor/es: D\'EVELYN, MARK P., PARK, DONG-SIL, ANTHONY, THOMAS RICHARD, SPIRO, CLIFFORD LAWRENCE, MENG, YUE.
ESTA INVENCION SE REFIERE A UN CRISTAL DE DIAMANTE IMPURIFICADO CON ELEMENTOS QUE POSEE UNA MAYOR RESISTENCIA A LA FRACTURA COMPRENSIVA AUMENTANDO LA CONCENTRACION DE LAS IMPUREZAS DE IMPURIFICACION DEL ELEMENTO ENTRE EL CENTRO Y LA SUPERFICIE DEL CRISTAL DE DIAMANTE, GENERANDO ASI UNOS ESFUERZOS COMPRESIVOS TANGENCIALES EN LA SUPERFICIE DEL CRISTAL DE DIAMANTE. LA INVENCION TAMBIEN SE REFIERE A METODOS PARA LA PRODUCCION DEL CRISTAL DE DIAMANTE.
CRECIMIENTO DE GRANULACIONES DE DIAMANTE.
(01/05/2004). Ver ilustración. Solicitante/s: DE BEERS INDUSTRIAL DIAMOND DIVISION (PROPRIETARY) LIMITED. Inventor/es: DAVIES, GEOFFREY, JOHN, CHAPMAN, RAYMOND, ALBERT, HEDGES, LESLEY, KAY, STEWART, AULETTE.
Una granulación de diamante que comprende un núcleo y una región hipercrecida que contiene una pluralidad de cristalitas de diamante que se extienden hacia afuera desde el núcleo, teniendo la mayoría de las cristalitas una sección transversal cuya superficie aumenta a medida que aumenta la distancia de la cristalita al núcleo.
CONJUNTOS DE CRISTALES ORIENTADOS.
(01/04/2004). Solicitante/s: ROBERTS, ELLIS E. Inventor/es: ROBERTS, ELLIS E.
SE PRESENTA UN ARTICULO DE FABRICACION QUE COMPRENDE UNOS CRISTALES SENCILLOS SINTETICOS DE TALLA Y FORMA UNIFORME SELECCIONADOS DE ENTRE UN GRUPO QUE CONSISTE EN NITRURO DE BORO CUBICO O DE DIAMANTE Y MANTENIDOS EN UNA FORMACION (FIG. 1, 10, 19, 33) CON UNAS DIRECCIONES CRISTALOGRAFICAS SELECCIONADAS DE LOS CRISTALES ORIENTADAS EN LA MISMA DIRECCION PARA QUE LOS CRISTALES EXHIBAN COMO UN GRUPO UNA DIRECCION CRISTALOGRAFICA COMUN QUE PUEDE SER SELECTIVAMENTE LA DIRECCION MAS DURA O LA QUE ES CASI LA MAS DURA, Y UN METODO DE FABRICACION DE UN ARTICULO. ESTA ORIENTACION SACA PARTIDO DE LAS PROPIEDADES DE DUREZA DE LOS CRISTALES INDIVIDUALES POR MEDIO DE IMPARTIR ESTAS PROPIEDADES AL MONTAJE. DE ESTA FORMA, VARIOS MODELOS DEL ARTICULO SON UTILES COMO UN ABRASIVO, UN PORTADOR, UN FOCO FRIO O UN SEMICONDUCTOR.
PROCEDIMIENTO PARA AUMENTAR LA RESISTENCIA DE DIAMANTES MANUFACTURADOS.
(16/08/2001). Solicitante/s: GENERAL ELECTRIC COMPANY. Inventor/es: PARK, DONG-SIL, JACKSON, WILLIAM E.
LA PUREZA Y DUREZA DE UN BAÑO DE GRANOS DE DIAMANTES SE AUMENTA SEPARANDO UNA PARTE QUE CONTIENE INCLUSIONES INDESEABLES DE LA PARTE RESTANTE DE MAS ELEVADA PUREZA Y RECOCIENDO LA PARTE DE MAS ELEVADA PUREZA EN UNA ATMOSFERA REDUCTORA DURANTE UN PERIODO SUFICIENTE DE TIEMPO PARA MEJORAR LA DUREZA DE LA PARTE DE PUREZA MAS ELEVADA.
(16/11/1994). Solicitante/s: SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD.. Inventor/es: YOSHIDA, KATSUHITO, TSUJI, KAZUSWO.
MATERIAL COMPUESTO UTIL COMO DIODO CAPAZ DE OPERAR A ALTAS TEMPERATURAS COMO, POR EJEMPLO, DE 500 A 600 C O UN MECANISMO OPTICO SEMICONDUCTOR CAPAZ DE EMITIR RAYOS ULTRAVIOLETAS. CONTIENE UN CRISTAL DE DIAMANTE CON AISLAMIENTO ELECTRICO Y UN CRISTAL CUBICO BORO NITROGENADO, FORMADO EN UNA CARA DEL CRISTAL DE DIAMANTE COMO UN SUSTRATO, DE TAL MANERA QUE EN EL CRISTAL CUBICO BORO NITROGENADO TIENE EL MISMO INDICE DE PLANO QUE EL SUSTRATO.
CRECIMIENTO DE PARTICULAS DE DIAMANTE EN LECHO FLUIDIZADO.
(01/04/1993). Solicitante/s: CRYSTALLUME. Inventor/es: PINNEO, JOHN MICHAEL.
SE OFRECE UN CRECIMIENTOPARA FORMAR DIAMANTES SINTETICOS POR DEPOSICION DE VAPOR DE UNA FUENTE DE GAS DE CARBONO, EN PRESENCIA DE HIDROGENO ATOMICO, SOBRE UN SUSTRATO CONTENIDO EN UN LECHO FLUIDIZADO. EL DIAMANTE PUEDE RECUBRIRSE POR DEPOSICION DE VAPOR DE UN MATERIAL NO DIAMANTINO.
