LECTURA NO DESTRUCTIVA.

Un procedimiento para determinar un estado lógico de células (1) de memoria seleccionadas,

proporcionadas en un dispositivo pasivo de almacenamiento de datos, matricialmente direccionable, que contiene líneas de palabra y de bit (LP; LB), en el cual a un estado lógico específico se asigna un único valor lógico, según un protocolo predeterminado, en donde dichas células (1) almacenan datos en forma de un estado de polarización eléctrica en estructuras similares a condensadores, que comprenden un material polarizable, en particular, un material ferroeléctrico o 'electret', capaz de manifestar histéresis, en donde dicho material polarizable es capaz de mantener una polarización eléctrica no volátil en ausencia de un voltaje impreso externamente a través de dichas estructuras similares a condensadores, en donde tiene lugar una selección de células de memoria al activar la línea de palabra (LP) o la línea de bit (LB), o ambas, que se cruzan en una célula (1) de memoria en cuestión, en donde la activación de una línea de palabra (LP) o de una línea de bit (LB) se efectúa por medio de diferencias de potencial entre las mismas, aplicadas externamente, sometiendo así a dichas células seleccionadas (1) a un voltaje de sondeo de señal reducida, que surge de la diferencia de potencial aplicada, por lo cual se genera una corriente de respuesta desde dichas células, en donde dicho voltaje de sondeo de señal reducida depende del tiempo, en forma arbitrariamente seleccionable, y tiene amplitudes y / o duraciones de voltaje menores que aquellas requeridas para causar un cambio significativo permanente en los estados de polarización de dichas células.

Tipo: Resumen de patente/invención.

Solicitante: THIN FILM ELECTRONICS ASA.

Nacionalidad solicitante: Noruega.

Dirección: P.O. BOX 1872 VIKA,0124 OSLO.

Inventor/es: NORDAL, PER-ERIK, GUDESEN, HANS, GUDE, LEISTAD, GEIRR, I..

Fecha de Publicación: .

Fecha Solicitud PCT: 15 de Febrero de 2002.

Clasificación Internacional de Patentes:

  • G11C11/22 SECCION G — FISICA.G11 REGISTRO DE LA INFORMACION.G11C MEMORIAS ESTATICAS (registro de la información basado en un movimiento relativo entre el soporte de registro y el transductor G11B; dispositivos semiconductores para memorias H01L, p. ej. H01L 27/108 - H01L 27/115; técnica del impulso en general H03K, p. ej. conmutadores electrónicos H03K 17/00). › G11C 11/00 Memorias digitales caracterizadas por la utilización de elementos de almacenamiento eléctricos o magnéticos particulares; Elementos de almacenamiento correspondientes (G11C 14/00 - G11C 21/00 tienen prioridad). › que utilizan elementos ferroeléctricos.
  • G11C7/12 G11C […] › G11C 7/00 Disposiciones para escribir una información o para leer una información en una memoria digital (G11C 5/00 tiene prioridad; circuitos auxiliares para memorias que utilizan dispositivos semiconductores G11C 11/4063, G11C 11/413, G11C 11/4193). › Circuitos de control de líneas de bits, p.ej. circuitos de excitación, de potencia, de arrastre hacía arriba (pull-up), de empuje hacía abajo (pull-down), circuitos de precarga, circuitos de igualación, para líneas de bits.
  • G11C8/08 G11C […] › G11C 8/00 Disposiciones para seleccionar una dirección en una memoria digital (circuitos auxiliares para memorias que utilizan dispositivos semiconductores G11C 11/4063, G11C 11/413, G11C 11/4193). › Circuitos de control de líneas de palabras, p.ej. circuitos de excitación, de potencia, de arrastre hacía arriba (pull-up), de empuje hacía abajo (pull-down), circuitos de precarga, circuitos de igualación, para líneas de palabras.

Clasificación PCT:

  • G11C11/22 G11C 11/00 […] › que utilizan elementos ferroeléctricos.
  • G11C7/12 G11C 7/00 […] › Circuitos de control de líneas de bits, p.ej. circuitos de excitación, de potencia, de arrastre hacía arriba (pull-up), de empuje hacía abajo (pull-down), circuitos de precarga, circuitos de igualación, para líneas de bits.
  • G11C8/08 G11C 8/00 […] › Circuitos de control de líneas de palabras, p.ej. circuitos de excitación, de potencia, de arrastre hacía arriba (pull-up), de empuje hacía abajo (pull-down), circuitos de precarga, circuitos de igualación, para líneas de palabras.

Países PCT: Austria, Bélgica, Suiza, Alemania, Dinamarca, España, Francia, Reino Unido, Grecia, Italia, Liechtensein, Luxemburgo, Países Bajos, Suecia, Mónaco, Portugal, Irlanda, Eslovenia, Finlandia, Rumania, Chipre, Oficina Europea de Patentes, Lituania, Letonia, Ex República Yugoslava de Macedonia, Albania.

LECTURA NO DESTRUCTIVA.

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