22 patentes, modelos y diseños de THIN FILM ELECTRONICS ASA

(01/06/2007) Un dispositivo de memoria no volátil que comprende un material de memoria dieléctrico polarizable eléctricamente con propiedades ferroeléctricas o de electreto y capaz de presentar una histéresis y una remanencia, en el que el material de memoria comprende uno o más polímeros, en el que el material de memoria está previsto en contacto con una primera serie y una segunda serie de respectivos electrodos (WL;BL) para operaciones de escritura, lectura y borrado, en el que una célula de memoria con una estructura a modo de condensador está definida en el material de memoria y puede ser accedida directa o indirectamente por vía de los electrodos (WL;BL) en el que las células de memoria del dispositivo de memoria …

(01/04/2007) Método para la lectura de un dispositivo direccionable por matriz pasiva, particularmente un dispositivo de memoria o un dispositivo sensor con celdas direccionables individualmente para almacenar un valor lógico proporcionado por un valor de carga dispuesto en una celda, de manera que el dispositivo comprende material polarizable eléctricamente que muestra histéresis, particularmente un material ferroeléctrico, de manera que el dispositivo comprende un primer y segundo juegos de electrodos con electrodos paralelos que forman, respectivamente, líneas de palabras y líneas de bits en el dispositivo, de manera que los electrodos de la línea de palabras (WL) y los electrodos de la línea de bits (BL) están dispuestos…

(16/03/2007) Un procedimiento para determinar un estado lógico de células de memoria seleccionadas, proporcionadas en un dispositivo pasivo de almacenamiento de datos, matricialmente direccionable, que contiene líneas de palabra y de bit (LP; LB), en el cual a un estado lógico específico se asigna un único valor lógico, según un protocolo predeterminado, en donde dichas células almacenan datos en forma de un estado de polarización eléctrica en estructuras similares a condensadores, que comprenden un material polarizable, en particular, un material ferroeléctrico o 'electret', capaz de manifestar histéresis, en donde dicho material polarizable…

(01/03/2007) Un procedimiento para almacenar datos en una memoria de acceso aleatorio ferroeléctrica (FRAM) no volátil, particularmente una memoria en la cual un material ferroeléctrico de la memoria es un polímero ferroeléctrico, en el cual las localizaciones de memoria son suministradas como elementos de una matriz y se accede a ellas a través de unos electrodos que forman líneas de palabra y de bit de la matriz y en el cual las operaciones de lectura destructiva de las localizaciones de memoria son seguidas por operaciones de reescritura, estando caracterizado el procedimiento por las sucesivas etapas de: (a) almacenar una pluralidad de copias idénticas de dichos datos en una pluralidad de localizaciones de memoria,…

(16/04/2006) Un dispositivo de memoria volumétrica ferroeléctrica o electret, en el cual se proporciona en sándwich un material de memoria ferroeléctrica o electret entre capas de electrodo primera y segunda, respectivamente, que comprende electrodos a modo de bandas paralelas primera y segunda que forman líneas(2a) de palabras y líneas de bit (4a) de un conjunto (M) ordenado de memoria de matriz direccionable, en el cual las líneas de palabras y las líneas de bit del conjunto (M) ordenado están orientadas sustancialmente según ángulos rectos entre si, en el cual las celdas de memoria están definidas en volúmenes de material de memoria dispuestos a modo de sándwich entre líneas de palabras y líneas de bit cruzadas…

(16/09/2005) Un procedimiento para determinar un estado lógico de un elemento de memoria en un dispositivo de almacenamiento de datos, en el cual dicho elemento almacena datos en forma de un estado de polarización eléctrica de un condensador que contiene un material polarizable, en el cual dicho material polarizable es capaz de mantener una polarización eléctrica que no se pierde en ausencia de una tensión aplicada externamente sobre dicho condensador, y de generar una corriente de respuesta a una tensión aplicada, comprendiendo dicha corriente de respuesta unos componentes lineales y no lineales, y cuyo procedimiento consiste en: aplicar sobre dicho condensador una primera tensión de señal débil cronodependiente, teniendo dicha tensión de señal débil una amplitud y/o una duración inferiores a las requeridas para provocar un cambio permanente…

(01/09/2005) Un circuito de memoria ferroeléctrica o electret (C), en concreto, un circuito de memoria ferroeléctrica o electret con una resistencia a la fatiga mejorada, que comprende una celda de memoria con un material de memoria ferroeléctrica o electret , que presenta histéresis y es capaz de ser polarizado a un estado de polarización positivo o negativo con un determinado valor de polarización, en el que el material de memoria ferroeléctrica o electret es un material polimérico u oligomérico, o mezclas o materiales compuestos que comprenden materiales de este tipo, y con el primer y segundo electrodo (1a y 1b) dispuestos en contacto directo o indirecto con el material de memoria, en una disposición tal que mediante…

(16/08/2005) Dispositivo que constituye una memoria de matriz pasiva no volátil y comprende un material de memoria dieléctrico eléctricamente polarizable que presenta histéresis, y en particular un material ferroeléctrico, estando dicho material de memoria previsto de forma tal que está intercalado en una capa entre un primer conjunto y un segundo conjunto de respectivos electrodos de direccionamiento paralelos, constituyendo los electrodos del primer conjunto líneas de palabra (WL1, ...m) del dispositivo que constituye una memoria y estando dichos electrodos del primer conjunto previstos de forma tal que guardan una relación prácticamente de ortogonalidad con los electrodos del segundo conjunto , constituyendo éstos últimos las líneas de bit (BL1, ...n) del dispositivo que constituye una memoria, estando una celda de memoria con una estructura del…

(01/08/2005) Un procedimiento para efectuar operaciones de escritura y lectura en un conjunto de celdas de memoria de direccionamiento matricial que comprenden un material eléctricamente polarizable que presenta remanencia de polarización, en particular un material electreto o ferroeléctrico, en el cual un valor lógico almacenado en una celda de memoria está representado por un estado real de polarización de la celda de memoria y se determina detectando un flujo de carga hacia o desde dicha celda de memoria en respuesta a la aplicación de unas tensiones sobre las líneas de palabras y las líneas de bits para direccionar las celdas de memoria del conjunto, en el cual la detección del flujo de carga…

(01/08/2005) Aparato optoelectrónico direccionable matricialmente que comprende un medio funcional en forma de material optoelectrónicamente activo dispuesto en una capa global emparedada entre un primer y un segundo medios de electrodos (EM1, EM2), cada uno con electrodos paralelos , en forma de cinta, en el que los electrodos del segundo medio de electrodos (EM2) están orientados en ángulo respecto de los otros electrodos del primer medio de electrodos (EM1), en el que los elementos funcionales están conformados en volúmenes del material activo definidos en las superposiciones respectivas entre los electrodos del primer medio de electrodos…

(16/07/2005) Circuito (C) de memoria ferroeléctrica que comprende una célula (F) de memoria ferroeléctrica en la forma de una película delgada de polímero ferroeléctrico y un primero y segundo electrodos (E1;E2) respectivamente, que entran en contacto con la célula (F) de memoria ferroeléctrica por unas superficies opuestas de la misma, por lo que un estado de polarización de la célula puede ser establecido, conmutado o detectado mediante la aplicación de unas tensiones apropiadas sobre los electrodos (E1;E2), caracterizado porque por lo menos uno de los electrodos (E1;E2) comprende por lo menos una capa de contacto (P1;P2), comprendiendo…

(01/06/2005) Método para el control de una pantalla o dispositivo de memoria direccionable por matriz pasiva, de células que comprenden un material polarizable eléctricamente que muestra histéresis, en particular un material ferroeléctrico, en el que el estado de polarización de células individuales, seleccionables separadamente, se puede cambiar al estado deseado por aplicación de potenciales eléctricos o voltajes eléctricos a líneas de palabras y de bits que forman una matriz de direccionado, y en el que el método comprende el establecimiento de un protocolo pulsante de voltaje con n niveles de voltaje o potencial, n>_3, de manera…

(01/02/2005) En un dispositivo de procesamiento de datos ferroeléctrico para el procesamiento y/o almacenamiento de datos con direccionamiento pasivo o eléctrico se usa un medio de transporte de datos en forma de película fina de material ferroeléctrico que con un campo eléctrico aplicado se polariza para determinar los estados de polarización o conmutación entre ellos y se proporciona como una capa continua en o adyacente a unas estructuras de electrodos con forma de matriz. Un elemento lógico se forma en la intersección entre un electrodo x y un electrodo y de la matriz de electrodos. El elemento lógico se direcciona aplicando a los electrodos un voltaje mayor que el campo coercitivo del material ferroeléctrico. Dependiendo del estado de polarización y la forma del bucle de histéresis del material ferroeléctrico se obtiene una detección…

(01/12/2004) Método para la preparación de películas ultrafinas de materiales que contienen carbono, en particular películas finas de materiales poliméricos, en donde las películas tienen un espesor de 0, 5 m o menos, en donde las películas se forman mediante la deposición de los materiales a partir de una fase líquida sobre una superficie sólida, en donde la fase líquida está formada por el material en estado fundido o disuelto en un disolvente, en donde la deposición tiene lugar en un recinto, siendo el recinto particularmente una habitación limpia o un cubículo cerrado de una instalación de producción, y en donde los materiales son capaces de exhibir propiedades ferroeléctricas y/o de electreto tras un tratamiento…

(16/12/2003) La invención se refiere a un dispositivo pasivo eléctricamente direccionable que permite registrar, almacenar y/o tratar datos. Este dispositivo está constituido por un soporte funcional que presenta una forma continua o con motivos (S) que puede experimentar un cambio de estado físico o químico. El soporte funcional comprende células individualmente direccionables que representan un valor registrado o detectado o a las que se afecta un valor lógico predeterminado para la célula. La célula se coloca entre el ánodo y el cátodo en un órgano de electrodos (E) que está en contacto con e soporte funcional en la célula y conlleva un acoplamiento eléctrico, presentando el soporte funcional una impedancia no lineal. La célula puede ser alimentada directamente de energía, lo que modifica…

(16/01/2003) Transistor con efecto de campo, particularmente un transistor con efecto de campo de unión (JEFT) con geometría sustancialmente vertical, en el que el transistor comprende un substrato planar de material no conductor, una capa de material conductor que comprende un primer electrodo incluido en el substrato , una capa (3a) de material aislante que forma un primer aislante que se encuentra sobre el primer electrodo , una capa de material conductor que forma un segundo electrodo que se encuentra sobre el primer aislante (3a), otra capa (3b) de material aislante que forma un segundo aislante que se encuentra sobre el segundo electrodo , una capa de material conductor que forma un tercer electrodo…